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小编语：一直以来，大佬英特尔的一举一动都牵动着业界的小心脏扑腾扑腾跳个不停，何况这次是一款号称革命性的新技术发布，联想到前些时候业界对英特尔和美光合作前景的担忧，这次联合发布可以说给很多投资者以惊喜，意思是，“安啦，我们好好的”，效果也在发布会后两家公司的股价上得以体现，美光次日股价大涨9%，英特尔涨了2.9%。这个看上去具有颠覆性意义的新技术让很多人欣喜若狂，但也有冷静的业内人士站出来点评了，《英特尔推3D XPoint存储技术有古怪？来听听专家的》，似乎这种新技术的应用方向让人有点犯迷糊，英特尔这是要走哪一出？你觉得呢？
据《华尔街日报》网络版报道，英特尔和美光科技在7月28日宣布，他们已开发出了一种新型存储芯片，能够大幅提升计算机、智能机以及其它类型高科技产品的性能。
英特尔和美光称，他们计划在明年开始销售这种芯片。该芯片的处理速度最高可达到当前多数移动设备所用NAND闪存芯片的1000倍，可存储的数据容量是主流DRAM内存芯片的10倍。
这项技术名为3D Xpoint，虽然处理速度上还无法十分接近DRAM芯片，但是像NAND闪存芯片一样，即便在断电后它仍可以保存数据。英特尔和美光并未披露太多关于3D Xpoint的技术细节，包括他们使用的关键材料，但表示使用了一种独特方式来存储数据。
3D Xpoint
英特尔和美光高管预计，新芯片的速度将催生新型应用，令业界受益匪浅，特别是那些功能模式建立在大量数据基础之上的应用，比如语音识别、金融诈骗侦测以及基因组学。
“这确实是一项革命性技术，”美光CEO马克·德肯(Mark Durcan)在技术发布活动上表示。英特尔高级副总裁鲍勃·克鲁克(Rob Crooke)称：“这是一项很多人认为不可能实现的技术。”
但是这项新技术的重要性和独创性可能饱受争议。近几年来，很多其他公司都已经宣布在存储芯片开发上取得了重要进展。创业公司Crossbar战略营销和商业开发副总裁萨尔文·杜波斯(Sylvain Dubois)表示，英特尔和美光似乎仿效了其电阻式RAM技术的元素。“这听起来非常像我们已拥有的技术，”杜波斯称。
Everspin Technologies等其他公司也相信，他们在为稳定数据存储芯片提供DRAM级速度上已抢占先机。
英特尔和美光计划初期生产能够存储128Gb数据的双层芯片(two-layer chip)，这一存储容量和现有的部分NAND芯片相当。随着在芯片中堆叠更多电路，英特尔和美光计划在日后提升芯片的存储容量。
参加该技术发布活动的分析师表示，硬件设计商需要时间来决定如何或是否使用这项技术。英特尔和美光称，现有技术为产品提供的速度提升远小于新型芯片。
Gartner分析师马廷·雷诺兹(Martin Reynolds)表示，这一新技术最初很可能被大型数据中心的运营者，例如谷歌和Facebook使用，以提高服务器性能。
他表示：“对它们而言，这带来了巨大的机会，因为它们可以大幅提升服务器的存储量。这是一个全新的市场，你将会看到随之而来的一些新增长。”
美光和英特尔已经成立了一家合资公司，生产用于移动设备和计算机数据存储的闪存芯片。美光也在为手机和PC生产内存芯片，并与韩国的三星和SK海力士存在竞争关系。
