ARM：力挺FD-SOI，英特尔不服来战

日前，ARM方面表示，FD-SOI正在成为移动芯片市场的一支“潜力股”。

ARM公司执行副总裁Pete Hutton告诉记者，“我发现一个非常有趣的事情：如果你比较看重低功耗和低成本，那么大部分人仍会选择28nm 而非16nm FINFET，因为后者要比前者贵很多。而22nm的FD-SOI工艺相比28nm可以让你在接受价格的同时拥有高性能。”

大概几周前，Globoalfoudaries宣布大举向22nm FD-SOI工艺制程迈进，它相比20nm平台可以提供70%的功耗缩减，同时在掩蔽层为FinFET工艺带来了50%的功耗缩减。

ARM公司执行副总裁Pete Hutton

当问到FD-SOI是否会成为移动芯片制程的主流工艺时，Hutton强调说：“这是一个比28nm工艺性能更高，但比16nm FinFET工艺成本更低的技术。”

当被问到英特尔的移动芯片研发是否会受ARM的芯片组提供商的影响时，Hutton回答说：“他们曾表示自己取得了一定的成功，但我们并没有看到。”

那么，芯片组提供商是否仍然能够从英特尔得到同样水平的补贴？Hutton提供了来自英特尔的一个水平较低的移动业务亏损报告，并指出他们仍然在使用同样的策略，但并不会影响ARM的客户。

关于英特尔收购Altera的影响，Hutton指出英特尔的CEO已经多次表示其将保持并提高Altera基于ARM内核的FPGA产品线。

最后，记者询问ARM是否会对服务器市场的收入做报告时，Hutton表示已经在进行，但尚不方便透露。

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