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意法半导体和三星将采用FD-SOI工艺已经不是什么爆炸性的新闻，加工厂提供巨大的晶圆容量非常重要，如：三星就是这场游戏的一部分。然而，GF将要支持20nm FD-SOI工艺却让我们感到吃惊。为什么是20n而不是28nm呢？我相信这是市场的决策：一年前，GF已经决定支持FD-SOI技术，签署支持20nm FD-SOI工艺替代28nm工艺，这样可以填补市场的空白。
LETI，是法国的一个研究中心，专注于引导领先技术应用于实际产品中。意法半导体表示，一项技术从实验验证到实际工业产品需要很长的一段时间，如：FD-SOI：从1988年到2012年。FD-SOI技术已经被三星和GF签署，这是LETI的成功。LETI CEO Marie Semaria发出三个关键信息：
1.FD-SOI技术已经被三星（28nm）和ST（28nm，14nm）授权，GF将支持新兴的物联网应用，尤其是存储器，RF IC和MEMS；
2.广泛支持FD-SOI应用，包含新兴的和中型欧洲芯片制造商，LETI推出了“硅脉冲”加强FD-SOI生态系统：EDA，IP和MPW；
3.“Cool Cube”已经被LETII落实，用于支持单片3D或CMOS集成电路；
LETI CEO Marie Semaria认为，FD-SOI技术在物联网应用中大有优势，与GF合作，高功率效率（物联网偏爱低功率）和充分的集成能力在28nm甚至22nm的表现良好。Marie表示，摩尔定律在28nm工艺会爆发，我非常同意她的观点，作为一项新技术，它将抬高每个晶体管的成本（如：14nm相对于22nm产品），工业领域需要探索所更有创新力的方法来保持半导体像过去50年一样具有吸引力。3D技术是可能的创新之一。实际上，只有一种方法是不完全正确的，不同的3D技术正在研发，如TSV或者LTET基于“Cool Cube”进程的连续集成技术。
无可争议，1号加工厂通过Modem领导着智能手机部分，并且应用程序IC已经拒绝了FD-
SOI，但是高通决定与LETI建立合作关系，目的是为了CoolCube投产。
什么是CoolCube？简单来说就是，当大多数内存去处理第二个芯片的时候（如：Modem和存贮器），使用第一个芯片（如，应用处理器）去完成初始化。一旦第二个芯片被处理好了，两个芯片将通过宽带线互相连接（不是TSV），并且封装在一起。这样做的好处就是，相对于两个IC单独封装，这样占用空间更小，功耗更低。实际上，内部芯片之间的连接电容电感更小，使得总体电容更小，因此功耗会低。CoolCube看起来很有吸引力，这一新兴技术走向产品级，高通是客户也是驱动力。
作为CoolCube，硅脉冲给人的印象不深刻，但却很重要。目的是建立完善的FD-SOI生态
系统，包括EDA工具，IP提供和多项晶圆功能。硅脉冲用于支持启动和整合芯片制造商去完成他们的第一个FD-SOI项目，但是建立实际的生态系统后，所有采用FD-SOI的芯片制造商都会从中获益。
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