英特尔：三星10nm工艺？没啥好担心的！

这周早些时候，三星正式发布了其10nm芯片生产技术，我们并不清楚这一技术的具体细节（报告在这方面语焉不详），但很多媒体暗示三星在超越英特尔。

对此论调，我深表怀疑。

来挖掘一下细节
我们谈论半导体制造技术的时候，通常会用“节点标签”，如28nm，20nm，16/14nm，但要知道，这些只是标签。制造技术的核心是这种工艺在给定的引脚封装内能实现怎样的性能、功耗和功能。

主要的半导体厂商通常会在一些行业论坛上公布一些报告，展示其最新芯片制造技术的关键特性。三星确实也发布了一篇文章介绍了其10nm工艺的一些特性参数。

尽管三星没有提及晶体管性能和功耗，但它给出了两个可用来比较工艺密度的指标：最小金属间距和栅极间距。

和英特尔的14nm工艺很接近
英特尔披露其14nm工艺技术特点中最小金属间距为52nm，栅极间距为70nm。三星公布的10nm工艺技术中这两个数据分别为48nm和64nm。

如果综合最小金属间距和栅极间距这两个指标可以作为衡量工艺密度的有用信息（这也是被广泛接受的方法），那么同样一个设计，采用三星10nm工艺实现的产品在面积上将为英特尔14nm工艺实现的产品的85%。

换句话说，三星10nm工艺看似领先于英特尔的14nm工艺，但要考虑到一个时间差的问题，即英特尔的14nm工艺已经在去年下半年实现量产，而三星10nm工艺可能还要推迟几年才会真正量产。

再看下SRAM位元尺寸：完整性检查
比较两种工艺的相关密度，最好的办法是看下两个有可比性的设计。一种通用结构是SRAM位元。众所周知SRAM是当前很多芯片设计的重点部分，因此也被认为是比较给定工艺密度的合理方法。

三星在10nm工艺描述中提到其SRAM位元是0.053mm²，英特尔14nm工艺中的相关数据是0.0588mm²。这些数字刚好印证了上面提到的栅极间距和最小金属间距比较的结果（三星10nm工艺实现SRAM位元面积是英特尔14nm工艺的90%），是我上述分析的一个很好的论据补充。

拨开市场营销的迷雾
我坚信三星10nm工艺技术更接近英特尔的14nm工艺，而不是英特尔的下一代10nm工艺。三星和英特尔很可能在同一时间实现10nm工艺的量产，而任何把三星和英特尔相提并论的报道都只不过是轻信了三星的市场营销，在帮三星造势而已。

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