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28nm以下FinFET工艺想一家独大?FD-SOI不答应

2014/09/28
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阅读需 5 分钟
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摩尔定律发展到今天,工艺开始从幕后来到台前,究竟哪种工艺技术将是主流也成为业界关注的焦点,如果说在28nm节点我们还看到包括HKMG HPL、HKMG HP、SiON LP、SOI、SHP等众多工艺的角力,那么到了28nm以下,业界出现了一种一边倒的态势,即工艺厂商纷纷拥抱FinFET工艺,一时间,“下一个工艺节点将出现大一统的局面”似乎已成定势。

但事实并非如此,“英特尔一再推迟FinFET工艺的时间点,每年因延迟造成的损失达30亿美元;综合比较,FD-SOI工艺在28nm和16nm/14nm节点上更具优势。”近日,在由芯原等赞助的2014上海FD-SOI论坛上,美国商业战略(IBS)公司首席执行官Handel Jones如是说。

9月22日,2014上海FD-SOI论坛如期举行

其实,上述观点Handel在去年首届上海FD-SOI论坛上就已经提出,我们可以看到科学严密的数据对比证明他的观点。而不同的是,Handel今年用一组明确的数据表示,中国半导体公司和市场以及物联网应用将给FD-SOI工艺的爆发提供土壤。

按地域划分的半导体市场容量趋势,中国市场的消耗量最大,一直到2020年,这种态势有增无减

中国半导体市场供应情况趋势,目前只有10%的芯片来自本土厂商,而国家制定的目标是,到2020年,本土芯片供应达到总消耗量的40%,中国半导体企业将有大发展

智能手机的市场容量趋势,中国又是No.1

平板电脑的情况也一样

晶圆市场按工艺尺寸划分的市场容量趋势

 

28nm晶圆产能趋势,28nm将成为生命周期最长的一个工艺节点

FD-SOI工艺的市场潜力

28nm FD-SOI工艺的晶圆成本优势

按每1亿门的成本计算,各工艺技术的对比

随工艺节点演进,FinFET工艺的成本不降反增

物联网市场发展给半导体硬件提供的增长空间

针对物联网应用的工艺制程的综合比较,IBS认为FD-SOI工艺更具有竞争优势

 

但是提及FD-SOI工艺这么好,为什么没有成为主流?Handel也坦陈,没有大玩家的加入,换句话说,生态系统的不够完善,是FD-SOI面临的最大难题。而与非网记者了解到,今年论坛的一大变化就在于除了FD-SOI工艺的发起者意法半导体和积极倡导者芯原公司,可以看到包括晶圆代工EDA工具以及芯片设计等更多上下游的厂商参与进来,并带来了一些实质性突破和进展。包括:

  • 意法半导体的PDK已经准备就绪,客户可以立即进入设计,预计未来12个月到18个月将有基于FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)技术的芯片量产
  • 三星已从意法半导体获得了FD-SOI工艺的授权,正式加入了FD-SOI工艺的生态圈,同时三星和意法半导体为通用28nm工艺提供大量库和IP支持
  • Global Foundries已开始提供MPW形式的FD-SOI代工服务
  • Synopsys公司的IC Compiler II平台为基于FD-SOI工艺的芯片设计提供工具支持
  • 芯原公司正采用28nm FD-SOI工艺进行ARM Cortex A7处理器的设计,数据表明,用FD-SOI工艺实现的产品在尺寸、动态功耗、漏电流和总功耗上都优于其他同类产品,高频器件表现格外明显

这些信息显示,FD-SOI工艺成为主流并非水中月、镜中花。

FinFET和FD-SOI工艺各自的优势领域

SOI工艺形成的生态系统给FD-SOI工艺的发展提供了基础

基于OpenPOWER生态系统加速中国SOI生态系统的发展

SOI全球生态系统,可以看到中国品牌在快速增长

FD-SOI工艺的目标市场

SOI工艺在中国市场的竞争力

更多关于28nm芯片工艺的资讯,欢迎访问 与非网28nm工艺专区

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