• 正文
    • 一、主要应用领域及典型案例
    • 二、市场渗透率与竞争格局
    • 三、技术替代趋势与挑战
    • 四、未来市场增长点
    • 五、总结
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130°C烧结银 功率市场新宠儿

04/07 11:29
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130°C烧结银,功率市场新宠儿!

130°C烧结银AS9338技术近年来在高端电子封装领域快速渗透,尤其在新能源汽车5G通信AI芯片等高功率密度场景中表现突出。以下是其市场应用现状及典型案例分析:

一、主要应用领域及典型案例

1. 新能源汽车

核心应用场景

电驱系统(IGBT/SiC模块)
如***等车企采用130°C烧结银技术封装功率模块,实现更高的导热效率(导热系数达120 W/m·K),使SiC模块工作结温提升至200℃以上,系统效率提高8%-12%。

动力电池BMS管理
**在电池模组互联中采用该技术,降低接触电阻30%,温升减少15℃,提升电池包寿命至15年以上。

市场数据
2023年全球新能源汽车烧结银材料市场规模超5亿美元,中国市场占比超60%,年增速达80%。

2. 5G通信与AI芯片

基站功率放大器(PA)
**等厂商在5G基站射频前端采用130°C烧结银,实现芯片与基板的高密度互连,信号损耗降低20%,单机功耗减少10W。

AI加速卡封装
**H100、国产**MLU等高端AI芯片采用该技术进行3D堆叠封装,热阻降低至0.12℃·cm/W,算力密度突破60 TOPS/mm³。

3. 工业与航空航天

光伏逆变器
**在组串式逆变器中采用烧结银连接,模块寿命从10万小时提升至15万小时,故障率下降40%。

卫星电源系统
NASA最新卫星电源模块采用无铅烧结银方案,通过极端温度循环(-180℃~+150℃)验证,满足深空任务可靠性要求。

二、市场渗透率与竞争格局

1. 市场规模与增速

全球市场:2023年130°C烧结银材料市场规模约8.2亿美元,预计2025年将突破15亿美元,年复合增长率(CAGR)达42%。

中国市场:2023年国产化率约35%,头部企业如善仁新材、ALWAYSTONE占据国内60%份额,逐步替代德国贺利氏(Heraeus)、日本住友(Sumitomo)等进口产品。

2. 主要厂商布局

国际厂商
德国贺利氏推出低银含量(Ag含量<70%)烧结银浆,试图降低成本竞争;日本住友开发低温共烧陶瓷(LTCC)集成方案。

中国厂商

善仁新材:主打AS9338系列,已通过AEC-Q200车规认证,供货**电气。

ALWSYSTONE:开发无压烧结银铜复合材料,在华为5G基站实现量产导入。

三、技术替代趋势与挑战

1. 替代传统工艺的驱动力

成本优势:无需昂贵加压设备,产线改造成本降低70%,中小厂商更容易采用。

环保政策:欧盟《REACH法规》限制含铅焊料使用,加速无铅烧结银替代。

性能刚需:SiC/GaN第三代半导体器件需更高导热材料,传统焊料(导热<60 W/m·K)已无法满足需求。

2. 当前应用瓶颈

材料成本:银含量高达85%-95%,银价波动(2023年银价上涨25%)影响终端成本。

工艺适配:部分厂商SMT产线需微调温度曲线(传统焊料峰值温度260℃,烧结银仅需130℃)。

标准化缺失:行业尚未统一烧结银性能测试标准(如IPC标准仍沿用传统焊料指标)。

四、未来市场增长点

第三代半导体配套
SiC功率器件市场预计2025年达60亿美元,130°C烧结银作为关键封装材料将同步受益。

消费电子轻薄化
折叠屏手机、AR/VR设备需高导热低应力互连方案,烧结银开始渗透高端机型。

光伏储能一体化
光储逆变器功率密度提升至30kW以上,推动烧结银在超大电流模块中的应用。

五、总结

130°C烧结银AS9338技术凭借低温低压、高导热、低成本特性,已成为新能源汽车、5G通信等领域的“刚需”材料,市场渗透率快速提升。尽管面临银价波动和工艺适配问题,但在第三代半导体爆发、环保政策加码的背景下,其市场规模有望在2030年突破50亿美元,成为高端电子封装的核心技术路径。中国厂商凭借本土化供应链优势,正加速从“进口替代”转向“技术出海”。

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