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电流环路变送器XTR11x浪涌防护方案

04/01 08:16
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本文主要是针对电流环变送器XTR11x的浪涌防护方案,采用湖南静芯研发的TDS浪涌保护器件对芯片进行浪涌防护,保护设备免受电气系统中的浪涌电压浪涌电流的损害,确保设备的安全性。

一、XTR11x介绍

XTR115 和 XTR116 (XTR11x) 是精密电流输出转换器,设计用于通过业界通用电流环路传输模拟 4mA 至 20mA 信号。器件能提供精确的电流调节和输出电流限制功能。 片上稳压器 (5V) 可用于为外部电路供电。精密片上 VREF(XTR115 为 2.5V,XTR116 为 4.096V)可用于激励传感器或使其偏移。电流回路引脚 (IRET) 可检测外部电路中使用的任何电流,以精确控制输出电流。XTR11x是使用4mA至20mA电流传输的智能传感器的基本构建块。

二、TDS器件介绍

TDS(平缓钳位浪涌抑制器)具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性,可为系统提供更全面保护。当 EOS 事件来临时,瞬态电压攀升至超过集成精密触发器所设定的击穿电压(VBR)阈值,触发电路精确的开启内置泄流场效应晶体管,有效的将瞬态高压与大电流安全释放到地。由于TDS的内置泄流场效应晶体管具有极低的导通电阻,其钳位电压在额定峰值脉冲电流范围内几乎是恒定的。

在选择浪涌防护器件时,许多工程师会优先选择TVS二极管,实际上大电流TDS芯片在成本和性能、面积上比TVS更具优势。TDS器件的优势如下:

  1. 在提供相同保护的情况下,TDS耗散浪涌能量较小,能通过自身特性将过压与过流事件高效泄放到地,从而避免增加自身热损耗。
  2. TDS器件体积小巧,结构紧凑,为硬件工程师设计高度集成型解决方案提供了更优选择。如果应用需要超过单个TDS器件所能提供的特定钳位电压, 可以将多个TDS器件串联,提供了更多的灵活性。
  3. TDS器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%,减少了系统的电气应力,可以更好的保护后端IC,也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。
  4. TDS器件在额定峰值脉冲电流范围内拥有几乎恒定的钳位电压。传统TVS二极管的箝位电压随着峰值脉冲电流的增加而增加,而TDS器件的钳位电压在最大峰值脉冲电流之前几乎保持不变。
  5. TDS器件的钳位电压在工作温度范围内保持稳定,而传统TVS二极管的钳位电压随温度变化。TDS器件拥有卓越的耐用性,在工作规格内性能不会下降,仍能保证低漏电和高钳位电压。

三、应用方案

图1 应用方案

      XTR11x的低顺从电压额定值 (7.5 V) 允许使用各种电压保护方法,而不会影响工作范围。图1显示了一个二极管电桥电路,即使电压连接线接反,该电路也允许正常工作。该桥在环路电源电压中会导致两个二极管压降(约 1.4 V)损耗。这种损耗导致顺从电压约为 9 V,对于大多数应用来说都是令人满意的。二极管可以与环路电源电压和 V 引脚串联插入,以防止环路电源电压损失仅为 0.7V 的反向输出连接线路。

电流变送器的远程连接有时会受到电压浪涌的影响。最佳做法是将施加到 XTR11x 的最大浪涌电压限制在尽可能低的范围内。为此,使用工作电压为33V的浪涌抑制器ESTVS3300DRVR将输入电压钳位至40V以下,以获得最佳保护。

ESTVS3300DRVR是湖南静芯新推出的TDS平缓浪涌抑制器,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范,可在±30kV(空气)和±30kV(接触)下提供瞬变保护,采用小型 DFN 2mm x 2mm x 0.68mm 6引脚封装,通常用于保护工作电压为28V、33V、36V的系统。触发电压为38.7V,额定瞬态峰值脉冲电流可达50A(tp=8/20μs),钳位电压VC为40V以内。

四、器件电气特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

表1 ESTVS3300DRVR电气特性表

五、总结与结论

XTR11x作为常用的电流环路变送器,浪涌防护十分关键。静芯公司推出的系列TDS芯片具有接近理想状况的ESD和EOS保护特性,可以广泛应用于USB/雷电接口、工业机器人、IO-Link接口、工业传感器、IIoT设备、可编程逻辑控制器(PLC)和以太网供电(PoE)等领域,可为系统提供更全面以及更可靠的保护。目前公司推出来ESTVS2200DRVR、ESTDS2211P、ESTVS3300DRVR、ESTDS3311P等型号,欢迎客户前来咨询选购。

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