硅片如何清洗才是最正确的方法

我们知道硅片清洗，但是如何清洗才是满足要求的方法呢？那就必须来给大家具体说说，正确的硅片清洗方法。希望大家一起学习与分享，因为只有正确的方法操作才能达到最终目标。

硅片清洗最正确方法一览

硅片清洗的正确方法需要综合考虑多个因素，以确保清洗后的硅片具有良好的质量和性能。以下是一些关键步骤：

预清洗

刷洗：对于表面有较多颗粒杂质或灰尘的硅片，可先用柔软的刷子进行刷洗，以去除表面的松散颗粒和污垢。刷洗时要注意力度，避免损伤硅片表面。

超声波粗洗：将硅片放入盛有光学清洗剂的超声清洗槽中，设置超声温度为50-60℃，清洗时间为10-15分钟。超声清洗能够通过液体介质中的疏部和密部产生的压力变化，使硅片表面的杂质解吸，但此方法对小于1μm的颗粒去除效果不佳。

化学清洗

碱性清洗液浸泡：常用的碱性溶液有氢氧化钠、氢氧化铵等。将硅片放入碱性溶液中，温度控制在50-60℃之间，浸泡时间约5-10分钟，以去除硅片表面的有机物、无机污染物以及光刻胶等。

酸性清洗液浸泡：在碱洗后进行酸洗，使用酸性溶液如盐酸、硫酸等，温度同样控制在50-60℃，浸泡时间约5-10分钟，以中和残留的碱液，并去除一些在碱洗过程中可能未完全去除的杂质。

双氧水体系清洗：先将硅片用成分比为H₂SO₄:H₂O₂=5:1或4:1的酸性液清洗，再用成分比为H₂O:H₂O₂:NH₄OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的碱性清洗液清洗，最后使用成分比为H₂O:H₂O₂:HCl=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液清洗。这种方法效果好，环境污染小。

精洗

兆声波清洗：由换能器发出波长为1.5μm频率为0.8兆赫的高能声波，使溶液分子产生加速运动，形成高速的流体波连续冲击晶片表面，可去除硅片表面上小于0.2μm的粒子，起到机械擦片和化学清洗两种方法的作用。

臭氧微泡法：利用臭氧溶解在水中生成的高活性OH基，与有机物发生化学反应，除去硅片表面的有机杂质，同时在硅片表面覆盖一层原子级光滑程度的氧化膜，有效隔离杂质的再吸附。

漂洗

溢流漂洗：使用去离子水对经过化学清洗和精洗后的硅片进行初步漂洗，以去除残留的化学试剂。

慢拉脱水：将漂洗后的硅片放入慢拉脱水机中，用纯净的去离子水进行慢拉脱水处理，以去除表面的水分。

干燥

烘干：把脱水后的硅片放入烘箱中，在80-100℃的温度下进行烘干处理，时间根据具体情况而定，一般为10-15分钟，使硅片表面完全干燥，避免水分对后续加工或使用造成影响。