南芯科技推出内置MOS管的高集成度升降压充电芯片

南芯科技（证券代码：688484）宣布推出全集成同步双向升降压充电芯片 SC8911，该芯片配备 I2C 接口，专为常见的 2 串电池 30W 充电宝应用进行了效率优化，可有效降低外壳温升，为用户提供更安全、更高效的充电体验。SC8911 可支持 OTG 反向升压功能，兼容涓流充电、预充电、恒流充电、恒压充电、自动终止等多种模式，助力客户实现更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。

集成MOS方案，兼具三大亮点

在传统升降压控制器搭配外置 MOS 的方案中，由于布板限制，PCB 走线往往过长，导致功率管驱动速率受限，从而影响整体效率。相比之下，SC8911 采用高度集成化的设计，集成了 3 路 NMOS 驱动，兼具高效率、低成本、小尺寸三大亮点。在紧凑型应用中，SC8911 还具备以下优势：

效率大幅提升。通过内置功率管，SC8911 能够实现 4V/ns 以上的更高的开关速率，从而显著降低开关损耗。经测试，SC8911 最高可实现 97.6% 的效率，即使在发热严重的恶劣工况下（如电池电压 6V、输出 20V/1.5A），系统效率仍可达到 93.5%，PCBA 温度仅 69℃，显著优于行业平均水平。
PCB布局更友好。内置功率管确保了足够小的驱动回路和功率回路路径，且在封装引脚设计上，也充分考虑了输入输出电容放置的便捷性。因此，SC8911 能够在保证高开关速度的同时，轻松应对 EMI 挑战。
散热性能卓越。SC8911 采用了 4mm*5mm QFN-27 Flip chip 倒装封装方式，IC 内部的功率损耗温度可以通过封装铜柱直接传导至 PCB，有效增强了芯片的散热能力。

SC8911 的放电效率曲线

适配多样化需求，简化充电设计

SC8911 拥有 4.4V-21V 的宽输入电压范围，待机状态下静态电流低至 50μA，运输模式下静态电流低至 5μA，优化设备能耗表现。在充电性能方面、SC8911 可通过 I2C 接口选择240kHz/360kHz/480kHz 三种不同的开关频率，并实现全充电周期的电流及电压调节，充电电压控制精度最高可达 ±0.5%。尤其是针对反向 OTG 功能，SC8911 支持 10mV 电压步进精细调节需求，可满足 PD 和 UFCS 协议调压，支持终端设备的多样化需求。

SC8911 支持充/放电模式及相关参数

SC8911 的集成化给充电设计也带去了很多便利：

SC8911 提供集成化的端口小电流检测功能和负载检测功能，可省去系统的端口电流检测电阻和 A 口负载检测电路
通过优化系统逻辑，SC8911 在使用过程中可减少 I/O 口需求，降低协议芯片门槛
使用 SC8911 还能让系统省去端口放电、适配器插入检测等电路，并将端口隔离 P 管替换成 N 管，进一步减小 BOM 尺寸、降低 BOM 成本

SC8911 典型应用框图

多重检测与保护机制，守护充电过程

SC8911 提供了多种检测功能，可精确测量输入电流、输入电压、电池电流、电池电压、结温和输出电流等参数，让整个充电过程尽在掌控。在此基础上，SC8911 集成了多种保护机制，包括端口和电池过压保护、输出过压保护、短路保护、逐周期电流限制和热关断保护等，有效保障整个充电过程的安全与稳定。

南芯科技充电管理产品家族

南芯科技现已建立起包含开关充电芯片、电荷泵充电芯片、线性充电芯片、无线充电芯片和 SoC 充电芯片在内的充电管理产品家族。其中，开关充电芯片提供升压、降压、升降压三种架构，可以对单节和多节电池进行充电和控制。新发布的 SC8911 兼具高效率、低成本、小尺寸三大优势，在小功率移动电源市场从 22.5W 向 30W 过渡的过程中，提供了极具竞争力的解决方案。

*本文中图表数据为理论值，均来自南芯内部实验室，于特定测试环境下所得（请见各项具体说明），实际使用中可能因产品个体差异、软件版本、使用条件和环境因素不同略有不同，请以实际使用的情况为准。