3月2日,利普思半导体公司发文宣布,他们位于江苏扬州的SiC模块封装测试基地建设正式启动。据悉,3月1日,利普思车规级第三代功率半导体模块项目在扬州市江都区正式启动,该项目总投资额高达10亿元人民币,占地面积32亩。据介绍,该项目建成后可实现年产车规级SiC模块300万只,年销售收入10亿元,年税收5000万元。
利普思成立于2019年11月,专注于第三代功率半导体SiC模块的封装设计、制造与销售,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、新能源发电及储能等多个领域。利普思总部位于江苏无锡,除了正在建设的扬州生产基地外,他们还在无锡和日本设有研发中心和生产线。
无锡生产基地
目前,利普思的无锡制造基地装备了两条生产线,分别用于生产SiC模块和IGBT模块,总年产能为90万个模块。其中,无锡工厂的车规级SiC功率模块封装测试产线于2022年投产,预计年产30万个SiC模块。
日本生产基地
此外,利普思的日本子公司生产线主要生产SiC模块,年产能为30万个模块。
近年来,该公司市场拓展迅速,营收增长显著:
2021年下半年:利普思的SiC产品开始量产,其预计2022年销售额将实现大突破,SiC模块出货量将超过数十万个。
2022年:该公司计划完成乘用车SiC模块产品的量产。
2023年3月,利普思成功完成由和高资本、联新资本、瀛嘉汇投资的逾亿元Pre-B轮融资。
2024年,利普思宣布其SiC模块已获得北美知名新能源汽车Tier1项目定点,预计将于2025年第三季度正式量产。
据介绍,该公司全系列SiC和IGBT模块产品已广泛应用于新能源汽车、电动重卡、超级充电桩、储能、氢能、光伏、风力发电及电网等领域,部分产品已经销售至欧洲和北美。
此外,利普思与多家知名高校和科研机构建立了合作关系,通过产学研结合推动技术创新。公司与上海交通大学成立了“SiC模块应用联合实验室”,共同研发具备技术领先、紧贴市场的新产品及新技术。