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驱动电路设计(三)---驱动器的隔离电源杂谈

02/25 10:25
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驱动电路设计是功率半导体应用的难点,涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护,实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计,英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能,本系列文章以阅读杂谈的方式讲解如何正确理解和应用这些功能,也建议读者收藏和阅读推荐的资料以作参考。

驱动电路有两类,隔离型的驱动电路和电平移位驱动电路,他们对电源的要求不一样,隔离型的驱动电路需要隔离电源,驱动集成电路一般都支持正负电源,而电平移位驱动电路一般采用自举电源,一般是单极性正电源。

图1:1ED332xMC12N系列电隔离单通道驱动IC的输出侧框图

注:典型型号1ED3323MC12N 8.5A,5.7kV(rms)单通道隔离栅极驱动器,具有短路保护、有源米勒钳位和软关断功能,通过UL 1577和VDE 0884-11认证

从1ED332xMC12N框图可以看出,其有VCC2正电源端,VEE2负电源端和接地端GND2。

正电源

对于IGBTMOSFETSiC MOSFET正电源的电压值有明确的建议值,它决定了驱动脉冲的幅值,IGBT一般为+15V,Si MOSFET为10V,而SiC MOSFET为15V~18V。

正电源与饱和压降

不同的驱动脉冲的幅值决定了器件的饱和压降即静态损耗,以IKW40N120T2 40A 1200V IGBT为例,当驱动脉冲幅值为VGE=15V,50A时的饱和压降在2.7V,如果降低到VGE=11V时,饱和压降上升到3.5V,如果再降栅压,IGBT就将退出饱和,静态损耗急剧增加,这就是为什么驱动器会带UVLO功能。反过来,如果驱动电压提高,VGE=17V,饱和压降降到2.5V,可以有效降低导通损耗。

摘自IKW40N120T2 40A 1200V IGBT数据手册

正电源与短路电流

IGBT短路承受能力是与驱动正电压有关,驱动电压VGE高,短路电流大,短路承受时间短,反过来驱动电压低短路电流小,短路承受时间长,见下表。当驱动电压上升到18V,短路电流会增加45%。而短路承受时间从10us,降到了6us,而静态损耗降低了10%。

对于采用无磁芯变压器的驱动IC,可以2us内关断IGBT短路电流,但是过快的短路响应在高噪声环境中非常容易误触发。另外,适当提高驱动电压有时是可行的,但要注意到,短路发生时,由于米勒电容,栅极电压被抬高,这时就很危险。

摘自IKW40N120T2 40A 1200V IGBT数据手册

负电源

负电压可以提高功率器件抗干扰能力,也可以加快关断速度,负电压可以在规定范围内选取,主要考虑抗干扰能力,驱动功率(因为驱动功率与∆U成正比,PGE=fSW·QG·ΔU,负电压大,需要驱动功率大)和电源拓扑的复杂程度。

寄生导通

负电源电压不够会增加寄生导通的风险,包括通过米勒电容寄生导通和通过寄生电感寄生导通。

米勒电容的寄生导通

当开通半桥中的下桥臂IGBT时,上桥臂的IGBT/二极管两端的电压会发生dvCE/dt变化。这会产生米勒电流iCG,从而对上桥臂的IGBT寄生电容CCG充电。电容CCG和CGE形成一个电容分压。电流iCG流经米勒电容、串联电阻、CGE和直流母线。如果栅极电阻上的压降超过IGBT的阈值电压,就会出现寄生导通。足够幅值的负电压可以拉低栅极电压,很好地避免寄生导通。

寄生电感寄生导通

如果开关器件没有辅助发射极,或者是驱动环路寄生电感比较大时,虽然器件本身处于关断模式下,但是对管或者其他相功率器件开通产生di/dt会在该器件上产生一个电压VσE2:,这样可能有寄生开通风险。

比如当开通IGBT T1时,主电流将从续流二极管D2换向至IGBT1。二极管反向恢复电流减小过程中产生的diC2/dt会在LσE2上产生感应电压,并将T2的内部发射极电平拉到负值,变相提高了驱动电压。

如果通过高diC/dt产生的感应电压高于IGBT的阈值电压,则会导致IGBT T2寄生导通。

负电源的拓扑

驱动的负电压是针对GND2的,而且对稳压精度要求不高,往往不需要用变压器两个绕组来实现,简单的方法通过电源芯片实现。

如果要产生+15V,-7.5V的正负电压,简单的方法是通过倍压整流实现,倍压整流原理和设计请参考评估板EVAL-2EP130R-VD带双输出倍压整流的2EP130R变压器驱动器评估板的应用手册,控制芯片全桥变压器驱动器集成电路,需要购买评估板和索取PCB参考文件等请填写表单

如果要灵活设计负电压值,也可以选择英飞凌2EP130系列全桥变压器驱动器集成电路,其占空比和开关频率皆可调整。如果采用下图这样的峰值整流电路,可以大大缩减器件数量。并且该芯片会根据占空比来进行过流保护,提供电源可靠性。设计可以参考评估板:EVAL-2EP130R-PR,具有双输出峰值整流和可定制的输出电压,适用于MOSFETS和IGBT。需要购买评估板和索取PCB参考文件等请填写表单。《新品 | 频率和占空比可调的驱动电源用全桥变压器驱动器评估板》。

参考资料

驱动电路设计(一)——驱动器的功能综述

驱动电路设计(二)——驱动器的输入侧探究

英飞凌

英飞凌

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。收起

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英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工,在2023财年(截至9月30日)的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。 更多信息,请访问www.infineon.com