这家公司的DSP要靠软文干翻C2000吗？

最近2个月，一家上市国产公司的DSP文章满天飞，大招放了又放，各路朋友微信小二听过没有，怎么样...

小二其实很简单，看规格和文档质量就好了；发现没有任何资料后，小二内心一颤，还真是敢玩啊

也许对于这家公司的高层来说，这种营销的感觉是一鱼三吃：

• • 上市公司的市值管理，毕竟每年亏这么多，不放新闻怎么割韭菜
  • 控股的公司需要下一轮融资，也是为下一次融资站台
  • 广而告之，获客，也是为下一次融资铺垫

小二在看完朋友发个我的手册之后，内心是：

• • 不负责任的推销
  • 无风险管理意识的管理

为什么是这个感觉，小二结合DeepSeek给你分析

手册宣称通过了AEC-Q100认证，Grade 1

问题：汽车MCU芯片，Grade 1标准 ，可以选用结温度85°C下保持10年的Flash IP吗？

DeepSeek：

汽车MCU芯片的Grade 1标准要求芯片在-40°C到125°C的环境温度下正常工作，且需具备高可靠性和长寿命。对于Flash IP的选择，结温度（Tj）85°C下保持10年的要求是否适用，需考虑以下几点：

Grade 1标准：Grade 1要求芯片在高温环境下（如125°C）仍能稳定运行，因此Flash IP的耐久性和数据保持能力需满足这一标准。

结温度（Tj）：结温度是芯片内部的实际工作温度，通常高于环境温度。若Flash IP在Tj=85°C下能保持10年，需评估其在更高环境温度下的表现是否仍能满足Grade 1要求。

可靠性要求：汽车电子对可靠性要求极高，Flash IP需在高温、高湿、振动等条件下保持稳定，且耐久性（如擦写次数）和数据保持能力需满足汽车应用的需求。

供应商认证：选择Flash IP时，需确保供应商通过相关汽车电子认证（如AEC-Q100），并能在Grade 1条件下提供可靠的性能数据。

结论：仅凭Tj=85°C下保持10年的数据，无法直接判断该Flash IP是否满足Grade 1要求。需进一步评估其在更高温度下的性能，并结合供应商的认证和可靠性数据进行综合判断。建议与供应商沟通，确保其产品符合Grade 1标准。

小二思考：

AEC-Q100 Grade对环境温度要求是125°C环境温度，一般结温度至少135°C，一家AEC-Q100的数据手册里面写85°C的结温度，从哪个角度都说不过去；

问题：AEC-Q100 Grade 1测试对于芯片批次数目和芯片数目的总要求

DeepSeek：此处省略错误的分析过程

总结

AEC-Q100 Grade 1测试要求至少3个生产批次，每个批次至少77颗芯片，总计至少231颗芯片。这些要求旨在确保芯片在不同生产批次和严苛环境下的可靠性和一致性。

小二明确指出DeepSeek的结果错误，开启了深度思考模式和联网模式

问题：因为AEC-Q100的实验有很多类别，不同类别的芯片需求数不一样，所以你的一个批次只需要77颗是错的。你能找到更详细的测试规范并更新结果吗

DeepSeek也是更正了答案：

根据AEC-Q100标准的具体测试规范，不同测试序列和测试项目对芯片样本数量的要求确实存在显著差异，并非所有测试均固定为每批次77颗。以下是基于最新搜索结果的详细分析及更新后的结论：

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1. 批次与样本数量的核心规则

至少3个独立生产批次：所有测试样品必须来自3个不同的生产批次（Lot），以确保工艺稳定性和结果代表性。

样本数量因测试组而异：不同测试序列（Group A-G）中的具体测试项目对样本量的要求不同，部分测试需要多个批次的样本叠加，部分测试仅需单一批次。

2. 关键测试组的样本数量要求

以下列举部分测试组的具体样本要求（以Grade 1为例）：

测试组A（环境压力加速测试）

A1预处理（PC）：每个批次77颗，总计231颗（3批×77）。

A2温湿度偏压（THB/HAST）**：每个批次77颗。

A3高压/无偏压测试（AC/UHST）**：每个批次77颗。

A4温度循环（TC）：每个批次77颗。

A5功率温度循环（PTC）：每个批次45颗，总计135颗（3批×45）。

A6高温存储寿命（HTSL）：每个批次45颗。

测试组B（使用寿命模拟测试）

省略...

测试组C（封装组装完整性测试）

省略...

测试组G（腔体封装完整性测试）

省略...

3. 总样本量的复杂性

无法统一计算：由于不同测试项目对批次和样本量的要求差异较大，总样本量需根据具体测试组合累加。例如：

ELFR测试（B2）：单批次800颗。

VFV测试（G2）：单批次15颗。

HTOL测试（B1）：3批次共231颗。

部分测试需跨批次：如序列A中的某些测试需从3个独立批次各抽取77颗，而序列B的ELFR仅需单批次。

4. 核心原则与零失效要求

零失效（Zero Defect）：所有测试项目均要求样本在测试后无任何功能或性能失效。

测试条件适配性：样本量和测试时间需根据芯片的Grade等级（如Grade 1或Grade 2）调整。例如，Grade 1的HTOL测试需在125°C下进行1000小时，而Grade 2可能缩短至408小时。

5. 总结与建议

1. 具体测试决定样本量：芯片厂商需根据AEC-Q100的测试清单（如Group A-G的42项测试）逐项核对样本要求，而非统一按每批次77颗计算。

2. 重点关注高样本量测试：如ELFR（800颗）、HTOL（231颗）等，可能成为资源投入的重点。

3. 供应商与实验室协作：建议与认证实验室（如赛宝实验室、华南检测等）合作，针对具体芯片类型定制测试方案。

如需完整的测试项目与样本量对照表，可参考AEC-Q100 Rev-H标准文档或联系专业检测机构获取详细数据。

小二思考：

AEC-Q100 Grade 1 要求不高，也不低，但是一个初创公司的产品，需要在刚刚量产后通过AEC-Q100认证，基本是不可能的，因为一个批次的投片生产周期基本也是4个月+的时间；三个批次全部投片完成，基本也需要半年时间了；

很多公司会宣传符合AEC-Q100要求，但是敢随意写通过AEC-Q100认证的，小二是长见识了；也是欢迎这家公司能够晒出AEC-Q100证书排疑；

小二专门看了下手册里面的功耗数据，全是空白！一个宣传过了AEC-Q100的芯片功耗数据全是空白，等同于什么呢...  不敢想象给客户带来的风险得有多高....

问题：MCU满足ISO26262 ASIL-B要求，Flash及SRAM是否需要做ECC

DeepSeek：

根据ISO 26262标准的要求，MCU芯片若需满足ASIL-B功能安全等级，其Flash（闪存）和SRAM（静态随机存储器）通常需要支持ECC（纠错码）机制，以应对随机硬件失效风险。以下是具体分析：

省略....

5. 总结与建议

ASIL-B推荐支持ECC：从实际产品设计和认证案例看，支持ECC是满足ASIL-B要求的典型方案，尤其是Flash和SRAM等关键存储器。

需结合安全分析：是否采用ECC需通过危害分析与风险评估（HARA）确定，确保所有潜在失效模式均被覆盖。

供应商选择：建议优先选择已通过ASIL-B认证且明确支持ECC的MCU产品，以降低开发风险。

如需进一步验证，可参考ISO 26262-5:2018中关于硬件安全机制的说明，或联系认证机构（如DEKRA、TÜV等）获取详细要求。

小二思考：

从手册资料看，没有Flash支持ECC的介绍，SRAM也不全支持ECC，这不是说过不了认证，但是Flash如此重要的存储不支持ECC，确实会需要选择时候多思考一些；

再挑一个数据吧，DSP芯片很重要的采样单元ADC，德州仪器的C2000系列的ADC，2.5V内部参考下，ENOB基本是11bit， 这家公司同等条件，大概在10.5bit左右，然而小二也是第一次见到，最低采样电压竟然不支持0V... 小二又一次被深深的触动到了....

小二基本就是我操，我操，我操的感受中看完了这家公司的手册...特留文章；

你是要凭的软文把C2000的硬货和硬文章干下去吗？

支持的点个赞，自媒体写实话，真的需要鼓励...