cmp工艺中的dishing（凹陷）与ersion（腐蚀）

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：cmp中凹陷和腐蚀有什么区别？产生的原因有哪些？

dishing与ersion是什么？

如上图，dishing是cmp后的介质层与Cu层最低点形成的凹坑。而Erosion是介质层在cmp研磨前后的差距。其中Dishing通常发生在较宽的金属层中。金属比介电层软，因此在CMP过程中，金属区域的去除速率通常比介电层快，导致金属表面出现凹陷。 Erosion一般发生在较细的金属线周围，抛光液对金属线，介质层均有腐蚀。

dishing与ersion造成的影响？

1，金属层变薄，导致导线的阻抗变化，从而影响电气性能，特别是在高频应用中，信号的传输质量可能会大幅下降。

2，晶圆表面不平整，提高了后续第二层金属的的cmp研磨困难度

如何减小dishing？

1，选用合适的抛光垫，如选用无孔隙PU材质的抛光垫

2，选用高选择比的抛光液

3，dummy fill，在一些空白区域进行虚拟填充，以增加图形密度。

4，减小过抛光的时间及压力

等等

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