干法刻蚀后为什么要清洗？

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：用于铜互联的大马士革工艺，在刻蚀介质后为什么要用清洗液清洗，主要是洗去什么物质？

双大马士革工艺的步骤？

芯片的后段支撑主要是铜互联，而铜互联一般是用双大马士革工艺来做，下图是双大马士革工艺的流程图：

其中在步骤A，C均会有低k介质刻蚀的步骤。

双大马士革工艺刻蚀步骤后的副产物？

28nm工艺节点之前与之后的副产物不太相同，因为28nm以内的节点，为了保证刻蚀的准确性引入了TiN硬掩模。

没有引入TiN时，副产物为[SiFmO2-m/2]n，[CuOm/2X2-m]n，CuO引入TiN硬掩模后，副产物为[TiNmX4-4m]n ，[SiFmO2-m/2]n，   [CuOm/2X2-m]n ，CuO如图：

这些副产物在刻蚀后会附着在沟槽内，造成后续的工艺问题，因此需要清洗干净。

清洗注意事项？

由于清洗液一般是酸，碱或加入有氧化剂，会对金属有腐蚀，因此应保证选用的清洗液对Cu、SiON、TEOS，W等腐蚀最小，对TiN，光刻胶等去除速率最大。

欢迎加入Tom的半导体制造与先进封装技术社区，在这里会针对学员问题答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升半导体制造能力，目前有2300位伙伴，介绍如下：