多个MOSFET并联的电路里为什么只有个别MOS炸管？调整栅极电阻就能解决？

前言

单个MOSFET的电流能力有限，通过并联多个器件可直接提升总电流承载能力。多个器件分担功耗，减少单个器件的温升。MOSFET并联是一种常见的电路设计方法，主要用于提升电流承载能力、降低导通损耗或改善散热性能。

由于负载电流比较大，如果MOSFET并联电路设计不合理，就会出现炸管的问题，今天重点讲一下栅极电阻在预防MOSFET并联炸管问题中的作用，我们在设计MOSFET驱动电路时，一般会在MOSFET栅极串联一个电阻，那多个MOSFET并联的电路能共用一个栅极电阻吗？这个栅极电阻有什么用呢？如何解决炸管的问题呢？

Part 02、栅极电阻的作用以及能否共用分析？

栅极电阻主要用于以下目的：

1.控制开关速度

MOSFET的栅极-源极之间的等效电容Cgs在开关过程中需要充电和放电，Cgs叠加Cgd构成MOSFET的输入电容Ciss，栅极电阻与输入电容Ciss共同决定充放电时间常数（T=Rg·Ciss），进而会直接影响开关速度。增大Rg会减缓开关速度，降低开关损耗（Esw），但可能增加导通损耗，减小Rg则加快开关速度，但可能引发振荡或EMI问题。此处的抑制振荡指的是MOSFET漏源极Vds电压快速变化形成的dv/dt高频噪声干扰。Rg通过减缓开关速度降低EMl辐射干扰。

2.抑制寄生振荡

MOSFET栅极存在寄生电感，比如PCB走线、MOSEFT的封装引脚，寄生电感和电容（Cgs，Cgd），可能形成LC谐振，导致MOSEFT栅极电压振荡。通过调整栅极电阻能提供阻尼，避免栅极电压过冲或振铃。

3.MOSFET并联电路中均衡MOSFET开关延迟问题

打开MOSFET规格书，我们会发现MOSEFT的开启电压Vgs(th)参数是一个范围值，比如下图的0.9V~1.7V，这样即便我们用两个一模一样型号的MOSFET并联，可能存在其中一个MOSFET的开启电压是0.9V，另一个MOSFET的开启电压是1.7V，MOSFET的驱动电压是由低到高逐步变化的，这就会出现开启电压是0.9V导通时，开启电压是1.7V的并联的另一个MOSFET还没打开，就会出现一个MOSFET短时间内承担大电流的问题，如果没有详细计算评估，就可能会出现MOSFET爆管的问题。

所以在并联MOSFET中，若各器件的开启阀值电压（Vth）或输入电容（Ciss）存在差异，我们就可以通过栅极电阻可调节各器件的导通/关断时间差异，改善动态均流。由于不同MOSFET的寄生参数（栅极电感、输入电容）和阈值电压差异会导致驱动信号延迟不一致。若共用Rg，部分器件可能先导通或后关断，导致动态电流分配不均，尤其是MOSFET以高频开关工作时。并且共用Rg时，各MOSFET的栅极路径形成并联谐振回路，可能引发高频振荡，严重时导致器件过热或损坏，也就是炸管。

Part 03、总结

经过以上分析每个MOSFET的栅极一般都需要单独串联一个电阻，可有效隔离寄生参数差异，抑制振荡，并实现动态均流。并且对于电流特别大的驱动电路，如果MOSEFT同时以高频PWM开关工作，建议选择精度较高的电阻栅极，比如1%精度，避免阻值差异导致驱动信号不一致引起的MOSFET损耗不均衡。

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