529
长鑫存储科技（CXMT）已采用 16 纳米技术量产 DDR5 DRAM。
据业界1月26日报道，半导体市场研究公司TechInsights近日报道称，“中国分销市场发布的32GB DDR5 DRAM模组由长鑫存储的16Gb（千兆位）DDR5 DRAM组成”，而“长鑫存储最新的16㎚采用了‘G4’ DRAM 技术”。 TechInsights 获取并分析了上个月上市的中国 DDR5 DRAM模组。DDR5 DRAM 的容量更大，传输速度大约是其前身 DDR4 的两倍。
长鑫存储采用的 16㎚ G4 与三星电子、SK 海力士于 2021 年开始量产的 10㎚ 第三代（1z，15.8~16.2㎚）工艺相同。这也是为何有分析称，长鑫存储与韩国的DRAM技术差距已缩小至3年，上一代 DRAM DDR4 的工艺技术差距超过五年。TechInsights评价称，“长鑫存储成功量产16㎚ DRAM，意义重大，意味着其已经做好与三星、SK海力士等公司竞争的准备”。
韩国企业处于高度警惕状态。三星电子和SK海力士已开始准备应对措施，包括开始对长鑫存储的16㎚ DDR5 DRAM技术进行详细分析。
去年下半年，三星电子和 SK 海力士开始密切关注长鑫存储科技（CXMT）的DDR5发布趋势。因为在那个时候，长鑫存储秘密通知其主要客户“DDR5已开始量产”。此次，人们的担忧变成了现实，长鑫存储确认已采用 10 纳米（nm；1 nm = 十亿分之一米）第三代（1z）技术量产 DDR5 DRAM。
若长鑫存储继DDR4之后再度发起“低价攻势”，那么对于本已亏损的韩国企业而言，通用DRAM的盈利能力预计将进一步下滑。
据半导体市场研究公司TechInsights 报道，长鑫存储的1z DDR5 16千兆位（Gb）DRAM性能与三星电子、SK海力士同规格产品相当。韩国内存公司于 2021 年开始量产 16Gb DDR5 DRAM。
据了解，长鑫存储采用 16㎚ 工艺生产 DDR5 16Gb DRAM。与韩国企业的10nm第三代1z DRAM（15.8~16.2㎚）类似。位密度（单位面积存储单位）是性能的关键衡量标准，为 0.239 Gb/mm2，高于三星电子的同类产品（0.217 Gb/mm2）和 SK 海力士的同类产品（0.213 Gb/mm2）规格。TechInsights分析称，“相比18㎚工艺，长鑫存储通过16㎚工艺将存储信息的单元面积减少了20%。”
上个月，当中国制造的 DDR5 DRAM 出现在中国分销市场时，半导体行业一度陷入怀疑。这是因为美国从2023年10月开始对技术和设备出口进行监管，以阻止中国开发和量产18㎚或更低规格的DRAM。据悉，长鑫存储突破美国监管限制，成功量产16㎚ DDR5 DRAM，令国内业界感到震惊。据悉，三星电子已经开始对该产品进行详细分析。
随着长鑫存储成功量产16㎚ DDR5，预计目前已知14-15㎚级别的“10㎚第四代（1a）”DRAM的开发也将加速。TechInsights解释道：“长鑫存储也在积极开发15㎚以下的DRAM。”
韩国半导体业界担心长鑫存储继DDR4之后，在DDR5市场发起“低价攻势”。长鑫存储自去年下半年起开始以30%的折扣向市场推出DDR4。结果导致个人电脑用DDR4 DRAM固定交易价格从去年7月的每单位2.10美元，暴跌35.7%，至12月的1.35美元。韩国企业库存积压，盈利能力恶化。
分析认为，若中国在DDR5市场开始低价攻势，韩国企业必然会受到冲击。去年全球DRAM市场DDR5出货量（折算为位单位）超过了DDR4（62Eb），达到87exabit（Eb）。TechInsights预测，“长鑫存储将采取行动扩大其DDR5市场份额。”
一些分析人士表示，这些担忧有些过度。SK海力士首席财务官(CFO)兼执行副总裁金宇铉1月23日在业绩发布会上表示，“中国企业的DDR5产品在质量和性能上会有明显差异(与SK海力士相比)。”这意味着长鑫存储已经做好充分准备进入DDR5市场。
