PECVD TEOS工艺介绍

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：在沉积SiO2薄膜时，常采用PECVD TEOS工艺，那么TEOS有哪些优势？

什么是TEOS？

如上图是，TEOS，分子式为Si(OC₂H₅)₄，即四乙氧基硅烷。它是一种有机硅化合物，通常作为硅源，在低压LPCVD或PECVD中生成二氧化硅。

Si(OC₂H₅)₄ + 0₂==》Si02+挥发性副产物该反应在400℃左右进行反应，适合低温沉积。

1，替代硅烷。TEOS用于替代硅烷（SiH₄）来沉积SiO₂薄膜。

2，具有较好的台阶覆盖性。在复杂的表面形貌，如沟槽或孔洞上，能够实现薄膜的均匀沉积。3，相比于硅烷，副反应较少

PECVD TEOS中的掺杂？

PECVD TEOS不仅可以用来制作USG,PSG,BPSG,FSG等。

USG，是未掺杂的SiO2。PSG，是掺磷的SiO2；BPSG，是掺硼、磷的SiO2；FSG，是掺氟的SiO2。以上薄膜均可以用PECVD TEOS工艺来制得，通过掺入对应源材料，实现薄膜的掺杂。磷源常使用TMP（P(OCH3)3）或TEPO磷硼源常使用TMB 氟源常使用SiF4或FTES

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