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“碳”索能源未来:SiC模块实战运用的32个问题,安富利已为您解答

01/16 11:50
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碳中和背景下,绿色能源市场迎来了诸多机遇。新能源发展已进入全新的阶段,风能、光能作为新能源领域的先锋力量,正在以快速的增长态势推动这场绿色能源革命。安富利携手安森美,精心策划“碳”索能源未来专题活动,分享碳化硅储能技术的最新趋势与解决方案,本期带大家回顾活动中的精彩瞬间~

▌问答集锦

在研讨会过程中大家踊跃发言提问,技术工程师为大家解答疑惑,精彩问答集锦为您一一呈现!

Q1、1100Vdc/480Vac储能系统在实际应用中,能量转换效率和系统稳定性如何?有哪些优化措施可以进一步提升性能?

A:能量转换效率:当前系统的能量转换效率一般在94%-97%,高效方案可达98%(依赖于功率器件和拓扑)。

系统稳定性:稳定性与控制策略、元件质量和热管理密切相关。

优化措施:

1.使用SiC器件:降低开关损耗,提高效率。

2.控制算法优化:改进功率因数校正(PFC)和电流控制策略。

3.拓扑改进:使用全桥或多电平拓扑以降低应力。

4.热管理优化:液冷或高效散热设计提升稳定性。

Q2、IGBT和SiC在短路时有什么不同的地方,短路保护上怎么设计?

A:短路表现的不同:

IGBT:短路耐受时间较长(一般为5-10μs),允许一定时间检测并关断。

SiC:因材料特性短路耐受时间更短(通常<2μs),需更快速的保护机制。

保护设计:

1.配置门极驱动电路的短路监测功能(如desaturation检测)。

2.利用快速熔断器或电子保险丝

3.设计硬件保护逻辑,在μs级实现故障关断。

Q3、IGBT在储能系统的应用一般规格有哪些?

A:典型规格:

电压等级:600V、1200V、1700V。

电流等级:50A-300A,模块化设计支持更大功率需求。

封装形式:常见TO-247、模块封装。

Q4、安森美是否能提供仿真模型,或者仿真渠道?

A:安森美器件仿真渠道:https://www.onsemi.com/design/elite-power-simulator

Q5、SiC在高压大电流方面比si器件有哪些优势?

A:高击穿电场强度SiC的击穿电场强度约为Si的10倍,支持更高电压。

低导通损耗:SiC MOSFET的导通阻抗远小于IGBT。

更高的热导率:散热效率显著提高。

高频性能:支持高达MHz级频率。

Q6、SiC功率器件在双向DC转换电路中如何应用?

A:双向DC转换器采用SiC MOSFET,显著降低反向恢复损耗,提高双向能量流动效率。

电动车辆和储能系统中,SiC可优化充放电效率,同时降低系统重量与体积。

Q7、SiC模块可以支持多高的开关频率?

A:SiC模块的开关频率通常在50kHz至1MHz,视系统需求而定。

在>100kHz频率下仍可保持较低开关损耗,适合高频应用(如光伏逆变器、DC-DC转换器)。

Q8、V2G是分布式储能的一个很好的方向,它的大规模商业实现还缺乏哪些条件?

A:标准化不足:各国的通信协议、硬件接口尚未统一(如OCPP协议)。

电网适应性:现有电网的双向能量流动能力有限。

经济模型:需建立合理的商业回报机制激励用户参与。

硬件可靠性:充放电频繁对电池寿命提出更高要求,需优化电池技术

Q9、安森美EliteSiC碳化硅系列产品大功率器件和大功率PIM在储能市场大范围的应用了吗?应用有哪些注意点?

A:目前储能市场头部企业新产品方案均采用安森美开发,安森美模块在大功率PCS应用中市占率排第一。

应用注意点:

1.散热设计:确保良好的热管理,减少热失效。

2.驱动电路优化:为SiC设计专用驱动,防止过驱或欠驱。

3.短路保护:因SiC的短路耐受时间较短,需要快速保护电路

Q10、安森美EliteSiC碳化硅相比于友商有哪些优势?

A:导通电阻同级别器件中导通损耗更低。

更高可靠性:在高温和高频环境下性能稳定,适应严苛条件。

产业链整合:安森美从SiC粉末到长晶到切片到封测全产业链全自有工厂,器件一致性、供应稳定性更好。

Q11、安森美的碳化硅器件有什么比较突出的优点和特性,可以应用高压脉冲发生器中吗?

A:优点与特性:

1.高击穿电压和低漏电流,适用于高压场景。

2.开关速度快,适配高压脉冲快速切换的需求。

3.耐高温特性,适合恶劣环境。

应用场景:

可用于高压脉冲发生器,但需设计合适的驱动和散热系统以应对高频切换需求。

Q12、车载能源存储系统的趋势是什么?

A:轻量化与高功率密度:通过使用SiC和GaN器件减小体积,提升效率。

高压化:从400V系统逐步发展到800V或更高电压平台。

集成化与智能化电池管理系统(BMS)与AI控制策略融合。

Q13、储能产品中的通信干扰问题如何解决?

A:屏蔽设计:对通信模块和功率模块进行电磁屏蔽

滤波电路电源线和通信线增加高频滤波器

差分信号传输:降低EMI干扰。

优化布线:电源线与信号线分离,降低相互干扰。

Q14、储能场景差异化如何实现?

A:功率与容量优化:根据用户需求(如家庭储能vs工商业储能)设计不同的功率密度和容量方案。

控制策略差异化:针对微网并网、孤网运行等设计专属控制算法。

模块化设计:通过模块化堆叠实现灵活扩展,适应不同应用场景的需求。

能源管理系统(EMS)定制:优化不同场景的调度逻辑,如峰谷电价套利或应急供电。

Q15、储能趋势是高效低功耗吗?从安全可靠的方面有那些进步?

A:趋势:

是的,高效低功耗是储能系统的核心方向,同时注重安全性和可靠性。

安全与可靠性进步:

1.热管理系统优化:改进散热设计,防止热失控。

2.电池管理技术:增加冗余保护,实时监测单体电池状态。

3.绝缘监测与漏电保护:确保高压设备运行安全。

4.直流灭弧技术:防止直流拉弧引发事故。

Q16、储能市场现有解决方案有哪些?

A:家用储能系统:5-30kWh,基于锂电池和SiC的逆变器。

工商业储能系统:50-500kWh,模块化设计,支持并网和离网模式。

大型储能电站:>1MWh,适用于电网调峰调频。

移动储能设备:电动汽车车载储能,支持V2G(车网互动)。

Q17、储能系统需要有哪些保护?

A:过压/过流保护避免电池和功率器件损坏。

温度保护:防止热失控或过热运行。

直流灭弧:直流电弧能量较高,需特殊设计灭弧装置。

防反接保护:防止系统接线错误导致的安全问题。

Q18、存储效率以及安全如何解决?

A:提高效率:

1.采用高效率功率器件:如SiC和GaN器件。

2.优化能量管理:采用AI优化调度算法减少能量损耗。

3.高效热管理:降低系统热损耗。

提升安全性:

1.电池级保护:实时监测电池电压、温度和电流。

2.系统级保护:增加多层安全冗余设计。

3.材料创新:采用防燃材料,减少起火风险。

Q19、大功率器件散热怎么能够很好的解决?

A:先进散热材料:如热界面材料(TIM)、石墨烯涂层。

液冷系统:在高功率密度应用中效果更好。

优化模块封装:ONSEMI有Si3N4作为沉底的模块,降低热阻,提升散热效率。

热仿真与设计优化:通过CFD工具优化热流通路。

Q20、对于系统扩容,是否SiC可以与原IGBT混用?

A:技术上可以混用:SiC和IGBT的混用是可行的,但需要进行匹配设计。

注意点:

驱动电路匹配:SiC开关频率更高,驱动设计要区分。

散热需求不同:SiC的散热需求可能低于IGBT。

系统谐波和兼容性:SiC和IGBT的开关特性不同,可能引入谐波干扰。

建议:对扩容的电路进行仿真分析,确保稳定性。

Q21、光伏储能逆变器采用哪种功率元器件的效率更高?IGBT还是SIC MOSFET?

A:SiC MOSFET更高效:

高开关频率,降低开关损耗。

更高的热导率,散热需求降低。

能实现更小的无源元件体积,适合高功率密度场景。

IGBT:适用于成本敏感且开关频率要求不高的场景。

建议选择:高效率和紧凑设计优先时选SiC MOSFET;低成本方案时选IGBT。

Q22、贵司碳化硅和IGBT,驱动需要注意什么?有无专用驱动板?碳化硅硬开关的开关损耗是否和比一般MOS管小?

A:驱动注意点:

SiC:需更高的驱动电压范围(如18-20V),更快的响应速度。

IGBT:一般驱动电压在15V左右,开关速度相对较慢。

安森美有SiC配套驱动解决方案,如NCD57101、NCP51561,可提供免费样品测试。SiC硬开关损耗是比传统Mosfet小。

Q23、老师你好!问一下碳化硅储能技术较现在常用的储能技术有那些优势?

A:更高效率:开关损耗和导通损耗更低。

更高功率密度:可支持更高开关频率,缩小器件体积。

耐高温:SiC可在150℃或更高温度下工作。

使用寿命长:降低了热应力和老化问题。

Q24、能源存储效率如何提升?有哪些影响因素?

A:采用高效器件:如SiC或GaN,降低功率损耗。

优化控制策略:改进MPPT和充放电管理算法。

降低传输损耗:通过更短的布线和优化拓扑设计。

热管理优化:提高散热效率,减少热损耗。

影响因素:器件效率、转换级数、控制策略、散热设计。

Q25、请教一下碳化硅模块在驱动和散热设计上有什么不同吗?

A:驱动设计:

SiC需要更快的驱动响应,通常采用更高的驱动电压。

注意抗干扰设计,避免高频振荡。

散热设计:SiC的损耗更低,热管理设计压力相对小,但高功率密度下需用高效散热方案,如液冷。

Q26、请专家分析一下:碳化硅器件在户用储能和家庭微网领域是否有适用场景?

A:适用场景:高效率、高功率密度要求的应用(如5-10kW的家庭储能)。

优势:

支持高频小型化设计,降低逆变器体积。

高效充放电管理,降低能量损耗。

Q27、驱动设计需要注意哪些要点?

A:确保驱动电压满足器件要求(如SiC需更高驱动电压)。

降低寄生电感,避免高频开关引起的振荡。

增加死区时间优化,避免直通失效。

Q28、碳化硅驱动震荡有什么好办法抑制吗?

A:PCB布线优化:减少寄生电感和寄生电容

栅极电阻调整:适当增加栅极电阻值,降低开关速度。

添加吸收网络:并联RC电路吸收振荡能量。

Q29、碳化硅与IGBT在储能系统中的性能和优越性提升了多少?

A:SiC的效率较IGBT可提升2%-5%。

开关频率可提高3-10倍,支持更小的无源元件设计。

Q30、未来储能pcs的转化率怎样提高?

A:使用SiC/GaN器件,优化拓扑结构和控制策略。

Q31、下一代储能系统是否具备构网型能力?同时构网型储能对功率器件有什么型的要求?随着带NPU的异构DSP推出,AI对下一代储能有什么影响?

A:构网型储能:具备独立维持电网运行的能力,对控制算法要求高。新一代储能根据公司设计要求,可实现该功能。

功率器件要求:高可靠性、一致性好、高效率和宽带宽器件。

AI影响:优化全局调度、提升效率、预测故障并提前做出预备策略。

Q32、针对大功率应用,是可以轻松实现多只并联还是直接集成到一起了?

A:大功率应用可选择单管并联及模块方案,目前主流单管硬并联数量不超过4PCS,如需再增加功率,考虑交错式方案及组串式方案,可极大扩充系统整体功率。

安富利

安富利

安富利(Avnet)创立于1921年,总部位于美国亚利桑那州凤凰城,是财富500强企业。公司的业务网络遍布世界各地,在全球拥有300余家办事处,为遍布全球140个国家的超100万客户提供全方位的技术支持和供应链服务。

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