传长鑫存储3倍年薪挖角千人

金先生，长鑫存储科技有限公司（CXMT）负责开发的高级副总裁，是韩国人，毕业于韩国著名大学，曾在三星电子从事DRAM设计和开发工作26年。金先生曾担任三星电子研究员（高管）和一家附属公司负责战略营销的高管，于 2019 年 11 月移居中国，五年多来一直领导长鑫存储的尖端 DRAM 开发。得益于这支“外籍工程师团队”，长鑫存储以超出市场预期的速度进军传统DRAM市场，目前正投入到HBM和DRAM 开发。

《韩国经济日报》12月30日对在商业平台LinkedIn上披露职业生涯的381名长鑫存储现任和前任高管和员工进行了分析，结果显示，其中145人(38.1%)曾是一家全球半导体公司的前工程师，其中有51人被确认来自三星电子和SK海力士，其中大部分部署在HBM3E、3D DRAM等前沿半导体开发部门，对长鑫存储技术能力的提升发挥着关键作用。有分析称，如果算上不使用LinkedIn或隐藏职业的高管和员工，长鑫存储将有超过1000名来自公司外部的工程师。

与业界预期在晋升竞争中落败的工程师主要会跳槽相反，韩国媒体发现大量的高层技术高管也跳槽到了长鑫存储。一个代表性的例子是S先生，他在索尼负责半导体开发25年，然后自2019年11月起在日本SK海力士负责图像传感器研发(R&D)。2022年，他在长鑫存储担任“研究员”（高级研究主管），传承了索尼和SK海力士的半导体技术。

一位业内资深人士强调，“长鑫存储正在用高薪来吸引三星电子和SK海力士苦心培养的技术人才，韩国需要采取特别措施来防止半导体人才和技术外流。”

A先生在长鑫存储担任技术优化高级副总裁八年，现担任特别顾问。L先生是长鑫存储的高级技术主管，领导移动、数据中心和人工智能(AI)领域的DRAM研发(R&D)。

他们有一个共同点，都是一位王牌工程师，其专业知识得到了一家全球半导体公司总部的认可（A先生是美国应用材料公司，L先生是美国美光公司）。长鑫存储是一家成立于2016年的新兴半导体公司，其技术能力的提升速度超出了市场预期，这要归功于移居中国的“工程师外军”，并承诺提供比自己高出三倍的薪资等前所未有的福利，以及工作、住房和教育支持。

韩国经济日报对12月30日在商务平台LinkedIn上披露职业生涯的381名长鑫存储现任和前任员工进行分析后发现，大量招募了下一代DRAM开发所需的关键工程师。

一个代表性的例子是聘请了许多极紫外（EUV）光刻工艺的专家，该工艺在晶圆上绘制电路，就像冲洗照片一样。EUV曝光工艺对于10纳米（nm·1nm=十亿分之一米）以下DRAM的开发至关重要。例如，曾在ASML和全球半导体设备公司应用材料公司工作后加入长鑫存储的K先生，以及曾在英特尔大连工厂从事ASML曝光设备工作的L先生。

长鑫存储的招聘名单中还包括一位“最先进的封装”专家，他可以堆叠多个半导体，使它们像单个芯片一样运行。这是因为需要该领域的专家来正确制造由 8 或 12 个 DRAM 堆叠而成的高带宽存储器 (HBM)。尖端封装还用于开发三维 (3D) DRAM（具有垂直堆叠单元的 DRAM，即半导体存储空间），将于 2030 年左右实现商业化。

长鑫存储招募了大量尖端封装专家，意味着它将接受HBM和3D DRAM这两种高价值尖端DRAM的挑战。加入长鑫存储的美光毕业生 L 先生和曾在 DRAM 龙头公司南亚科和美国晶圆代工公司 Global Foundry（代工半导体代工）工作的 W 先生被认为是 HBM 开发方面的专家。W先生曾就职于设计工具公司Cadence、美国NAND闪存公司Western Digital，并就职于CXMT日本研究中心，是尖端封装领域的专家。他们在长鑫存储HBM开发部门工作。HBM3E是SK海力士向NVIDIA供应的主要产品。

长鑫存储的另一个人才招聘策略是“海外华人网络”，目标是在中国台湾、新加坡、马来西亚等国家的全球半导体公司亚洲研发中心工作的华人人才。这意味着大量曾在美光、格罗方德新加坡公司、英特尔马来西亚公司工作的中国工程师转战长鑫存储绝非偶然。

长鑫存储正在快速追赶三星电子、SK海力士、美光等“DRAM三巨头”，其中一支外国工程师大军处于最前沿。继旧款通用 DRAM 席卷双倍数据速率 4 (DDR4) 并以低价攻势席卷市场后，据悉最新的通用 DRAM (DDR5) 也已开始销售，主要在中国。

生产能力也正在显著着提高。业界预测，若明年将每月晶圆投入量增加至30万片，全球DRAM市场份额（以晶圆投入量计）将由目前约10%提升至15%。它紧随美光之后，后者以 20% 左右的份额排名第三。