在上期的直播中,有观众问:EBR与WEE去边胶的原理有什么不同?今天我们专门来解答一下。
什么是EBR与WEE?
EBR,全称:Edge Bead Removal。
WEE,全称:wafer edge exposure。在晶圆匀胶后,晶圆边缘的光刻胶会比中间区域的更厚,在后续的工序中会脱落造成污染,因此需要除去。而EBR,WEE,都是去除光刻工艺中晶圆边缘光刻胶的方法。
EBR与WEE的工艺原理?
EBR,是在晶圆旋涂光刻胶之后立即去掉,专门的EBR喷嘴对晶圆边缘喷射去胶溶剂,如PGMEA等,喷嘴一般以一定的倾斜角度向外喷洒溶剂。晶圆在旋转的过程中,离心力会将溶解的光刻胶和溶剂一起甩出。WEE,是在匀胶,软烘后,用光纤将光线引导到晶圆边缘区域,光纤的输出端经过透镜聚焦,将光线精准聚焦到晶圆的边缘区域。晶圆是旋转的,那么整个晶圆边缘都能被均匀地照射到。在后面显影的工序中可以除去。
EBR与WEE各自优缺点?
WEE的去边胶的精度高,但是WEE对抗反射层没有作用,因为抗反射层无法感光。 而EBR则可以将光刻胶与抗反射层都能除去,但是EBR的溶液容易飞溅,如果操作不当,会飞溅到晶圆中间部位,造成工艺问题。
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