格力、三安、长飞等3条SiC晶圆线投产/点亮

近期，国内3个百亿投资级别的SiC项目宣布迎来新进展：● 格力电器：碳化硅芯片工厂正式建成并投入生产。● 三安：安意法首期产线已于11月完成点亮。● 长飞先进：武汉基地完成首批设备搬入。

格力电器：碳化硅芯片工厂建成投产

12月17日晚间，格力电器官方视频号发布相关视频，展示了旗下投资近百亿元建设的全自动第三代半导体（碳化硅）芯片工厂。

据悉，格力电器的碳化硅芯片工厂正式建成并投入生产；格力电器董事长董明珠日前在《珍知酌见》栏目中表示，格力芯片成功了，格力在芯片领域从自主研发、自主设计、自主制造到整个全产业链已经完成。

该项目自2022年12月开始打桩建设，仅用时10个月完成芯片厂房的建设和设备移入，并在388天内实现全面通线。此外，工厂关键核心工艺的国产化设备导入率超过70%，为全自动缺陷检测方案的碳化硅芯片制造工厂。

产能方面，根据珠海市生态环境局在官网于2023年6月披露的“格力电子元器件扩产项目环境影响报告表受理公告”显示，格力电器的第三代半导体芯片工厂项目总用地面积约为20万平方米，施工周期为12个月，将新建3座厂房及其配套建筑设施，其生产厂房1计划安装6英寸SiC芯片生产线，生产厂房2 计划安装6英寸晶圆封装测试生产线，生产厂房3作为二期预留工程。预计项目建成后，将拥有年产24万片的6英寸SiC芯片制造及封装测试能力，原计划于2024年6月量产。

安意法半导体：首期产线11月完成点亮

12月17日，三安光电在投资者互动平台表示，湖南三安与意法半导体在重庆设立的合资公司安意法首期产线已于11月完成点亮，预计将于2025年一季度通线后开始流片验证，并逐步释放产能。

据“行家说三代半”此前报道，2023年6月，三安光电与意法半导体宣布将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。其中，该衬底工厂也于今年8月底点亮通线。

2大项目均位于重庆高新区西永微电子产业园，总规划投资约300亿元人民币，项目达产后将建成一条8吋碳化硅衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8吋碳化硅衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力。

长飞先进：武汉基地首批设备搬入

12月18日，长飞先进官微宣布，其武汉基地建设再次迎来新进展——项目首批设备搬入仪式于光谷科学岛成功举办。

本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，将为武汉基地构建全链条生产能力、加速通线量产奠定坚实根基。

长飞先进表示，本次设备搬入作为厂房建设发展历程中重要一环，标志着武汉基地即将迈入工艺验证新阶段，全面投产正式进入倒计时。据悉，该项目总投资预计超过200亿元。目前，长飞先进武汉基地项目正加快推进建设并对设备进行安装调试，预计2025年5月实现量产通线。项目达产后，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。