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任何射频系统中的噪声都是具有随机幅度和频率的信号。它可以显示为电压或电流，它一直在变化。根据频率分布，它可以在整个频谱中以各种形式延伸，但幅度并不总是相同。在噪声方面没有特定的模式。
噪声会掩盖所需的信号，从而导致数据错误并增加误码率。
如果 n（t） 是噪声，则噪声的平均 power 可以定义为：
什么是功率谱密度 （PSD） 函数？
信号的功率谱密度 （PSD） 将信号中存在的功率描述为每单位频率的函数。它显示了功率和频率之间的关系。PSD 还显示强度随频率的变化。换句话说，我们可以说 PSD 显示了随频率变化强或弱。例如，在图中，f1 的噪声功率高于 f0，f0 具有低噪声能量，因此功率较低。
PSD从理论上是可以计算的。
PSD 始终以 1Hz 表示功率，因此带宽限制为 1Hz。如果我们取 PSD 的积分，PSD 下的面积等于 average power。
噪声的分类
热噪声：它是由于温度而发生的，温度导致电荷的随机运动——通常是导体中的电子。
散粒噪声：这种噪声是由电流随时间变化的波动引起的。
相位噪声：这种形式的噪声在射频和其他信号上可见。它以信号扰动或相位抖动的形式出现。
闪烁噪声：它几乎存在于所有电子元件中，并且与频率成反比。如果频率增加，闪烁噪声会减少。它通常以电阻波动的形式出现。
雪崩噪音：它发生在在雪崩击穿点或附近区域工作的晶体管的 PN 结中。
所有有源和无源设备都有自己的噪声。添加到外部噪声中的器件噪声会降低输出端的 SNR。这种噪声是由用于设计模块的组件产生的，如电阻器、晶体管和非理想电感器。这些分量对总噪声有贡献;因此 SNR 输入不等于 SNR 输出。因此，我们也可以说 MOSFET 和 BJT 会产生噪声。理想的电感器是无噪声的，因为它没有任何与之相关的寄生电容。然而，在现实世界中，我们总是会有一个电阻小、寄生电容不理想的电感，它会产生噪声，但不会像电阻和晶体管那样多。
电阻器中的噪声： 电阻器产生的噪声类型是Thermal Noise。热能导致电阻器中的电荷载流子随机搅动，因此会产生噪声。由于热量，电荷开始随机移动并产生噪音。这种噪声在 PSD 中以两种方式显示，一种是电压源，另一种是并联电流源。热噪声取决于电阻器的值和温度。提高温度会增加热搅动，因此会增加噪音水平。在电流中，它与 R 的值成反比，如以下公式所示：
上图显示了热噪声的电压谱密度。可以观察到，频谱密度与频率是恒定的，因为方程中没有频率分量。当频率达到非常高的值时，图中显示了一个点，并且噪声开始降低。但是，许多应用程序在恒定的光谱密度下工作。
晶体管中的噪声：有两种类型的噪声与 MOS 相关：热噪声和闪烁噪声。晶体管在通道内具有电荷载流子，这些电荷会因温度而随机移动。因此具有热噪声。
晶体管的栅极处使用并联电流源或电压源进行建模，晶体管的噪声模型
在方程中，'γ' 是超额噪声系数，并且是常数。长通道晶体管的 γ 为 2/3，短通道晶体管为 2。因此，我们可以说短通道晶体管的 γ 高于长通道晶体管的 γ。随着设备的尺寸越来越小，它会产生更多的噪声，这是主要缺点之一。
闪烁噪声总是出现在低频中，它与频率成反比，如果我们降低频率，闪烁噪声就会增加，如图所示。闪烁噪声只能通过增加晶体管尺寸来降低，但它可能会导致其他问题，如尺寸限制和更高的寄生。这是 size-parastic 和 noise 之间的一种权衡。热噪声的 PSD 是常数，闪烁噪声随频率变化。因此，我们可以说，与热噪声相比，闪烁噪声在低频占主导地位。PMOS 晶体管的 K（玻尔兹曼常数）低于 NMOS，这意味着 PMOS 的闪烁噪声相对较低。
闪烁噪声的影响
在设计零中频接收器时面临的最重要的问题是闪烁噪声。闪烁噪声不仅是影响零中频接收机，也同样影响低IF接收机。
当通道在零频率附近时，它具有非常低的频率，正如我们所知，闪烁噪声在低频中占主导地位，它的功率谱密度 （PSD） 与频率成反比。因此，随着频率的降低，闪烁噪声变得占主导地位。
只考虑热噪声的噪声总功率 Pn2 ，闪烁噪声时的噪声总功率Pn1
█ 最后的话
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