三星正开发移动HBM，能效提高70%

三星电子正致力于下一代半导体市场，重点开发被称为DRAM市场新星的“LLW（Low Latency Wide IO）DRAM”。LLW具有数据处理速度快、功耗低的特点，是比现有低功耗DRAM性能更高的产品。它被认为是针对设备上人工智能市场的未来技术，因此被称为“移动HBM（高带宽内存）”。

LLW是一种与移动DRAM相比，通过显著增加信息输入和输出的I/O数量来提高数据处理速度的存储器。它是作为缓解处理器和存储芯片之间速度不匹配造成的数据瓶颈的解决方案而出现的。LLW不仅具有比低功耗DRAM LPDDR更高的带宽的高性能，而且还具有超低延迟和低功耗。当靠近处理器放置时，与常规 DRAM 相比，能效提高约 70%。

HBM用于数据中心和服务器，但存在难以在移动设备和PC等边缘设备中使用的限制。LLW是一款专门针对设备端人工智能市场的产品，可用于智能手机、扩展现实（XR）、游戏和PC等多种应用。这是因为它具有适合处理设备实时生成的数据的特性。这就是为什么专注于开发 XR 设备的苹果也在其“Vision Pro”产品中使用 LLW DRAM。

LLW和LPDDR最大的区别在于是否是“定制内存”。LPDDR是通用型产品，一旦量产即可批量使用。另一方面，LLW是一个定制产品，反映了应用程序和客户的要求。由于LLW与处理器连接的引脚位置不同，因此在批量生产之前需要针对每个客户的产品进行优化设计。

业界将LLW视为下一代半导体，并正在重点关注其开发。但开发或量产尚未正式确定。没有一个名字像 HBM 那样广为人知。据报道，三星电子内部将其称为 LLW，SK 海力士将其称为定制 DRAM。不过，随着近期定制化内存产品需求的增加以及端侧AI市场的逐渐壮大，人们对LLW市场的真正开放抱有很高的期望。