干法刻蚀工艺参数汇总

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：干法刻蚀中可以调节的工艺参数有哪些？各有什么作用？

1，温度：晶圆表面温度，温度梯度

晶圆表面温度：控制刻蚀表面的化学反应速率和产物的挥发性

温度梯度：晶圆表面不同区域的温度由于加热器分布不均可能会有差异，导致局部区域刻蚀速率不同，从而影响刻蚀均匀性。

2，气体：气体化学组成，气体比例，气体流量

气体化学组成：干法刻蚀的腔室中可以选择的气体多达20种，通过调整化学成分实现不同的刻蚀性能气体比例：不同气体的分压比可以改变选择比和刻蚀形貌。气体流量：控制腔室内的反应气体和刻蚀产物的停留时间，浓度等，从而影响刻蚀速率。

3，射频功率：总射频功率，多频RF组合

总射频功率：决定了等离子体的能量水平，影响离子轰击的强度。多频RF组合：通过调节低频和高频的配比，实现更优的刻蚀效果。高频可以提高等离子体密度，低频可以增强离子的方向性和能量。

4，脉冲：射频功率脉冲，气体脉冲

射频功率脉冲：调节占空比和频率，可以用来优化刻蚀速率和选择比。气体脉冲：控制气体流量的周期性变化，用于改善刻蚀均匀性。

5，其他：刻蚀时间，工艺腔压力等

刻蚀时间：直接决定刻蚀深度工艺腔压力：控制等离子体的密度、化学反应速率和离子的轰击能量。

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