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意法半导体推出了标准阈值电压 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管，新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力，适用于非逻辑电平控制的应用场景。
工业级晶体管STL300N4F8 和 车规晶体管STL305N4F8AG 的额定漏极电流高于300A，最大导通电阻 RDS(on)为1mΩ，可在高功率应用中实现出色的能效。动态性能得到了改进，65nC(典型值)的总栅极电荷和低电容(Ciss, Crss)确保在高开关频率下电能损耗降至最低。MOSFET体二极管的低正向电压和快速反向恢复特性有助于提高系统的能效和可靠性。
有了新系列器件，设计人员可以利用意法半导体最新的 STripFET F8 技术为无线电动工具、工业生产工具等设备设计电源、电源转换器、电机驱动装置。MOSFET 的能效可延长电池续航时间，降低耗散功率，准许应用系统在采用简单的热管理设计情况下持续输出高功率，从而节省电路板空间，降低物料成本。车规器件的目标应用是整车电机驱动装置和DC/DC转换器，包括车身电子设备、底盘和动力总成。具体应用场景包括车窗升降器、座椅定位器、天窗开启器、风扇和鼓风机、电动助力转向、主动悬架和减排控制系统。
意法半导体的 STripFET F8 技术确保器件具有很高的稳健性和更大的安全工作区 (SOA)，能够处理大功率，耐受大功率造成的漏源电压 (VDS)大幅下降。此外，175°C 的最高工作结温让MOSFET适用于极端恶劣的工作环境。
此外，该技术可以缩减裸片尺寸，降低导通电阻RDS(on)，提高价格竞争力，采用尺寸紧凑的封装。这两款器件都采用节省空间的 PowerFLAT 5x6 封装，同时还提供汽车工业要求的可润湿侧翼封装。
STL300N4F8现已上市。
