晶圆表面温度对干法刻蚀的影响？

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：温度能影响干法刻蚀的哪些方面？麻烦讲一讲表面温度对干法刻蚀的影响主要包括：聚合物沉积，选择性，光刻胶流动、产物挥发性与刻蚀速率，表面形貌等。

聚合物沉积 

工艺过程中产生的聚合物会在表面沉积，影响刻蚀速率和选择性。温度影响聚合物的沉积速率和稳定性，高温可使沉积层分解或减少，低温则会增加聚合物沉积。

选择性 

刻蚀材料和掩膜材料的选择性对温度非常敏感。温度过高会降低刻蚀选择性，因为刻蚀速率加速会同时刻蚀掩膜。

光刻胶

光刻胶流动在高温下，光刻胶会发生软化、流动甚至起泡，导致形貌失真。

产物挥发性与刻蚀速率 

温度影响化学反应的副产物挥发性，高温下副产物更易挥发，有助于提高刻蚀速率。而低温会导致副产物残留，降低刻蚀效率。

刻蚀形貌

刻蚀温度接近材料的玻璃化温度 (Tg)，表面形貌均匀。刻蚀温度远低于玻璃化温度，表面刻蚀不均匀，且粗糙度较大。

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