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    • 一、存储行业背景
    • 二、存储器分类
    • 三、行业公司介绍
    • 四、对比分析
    • 五、总结
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中国本土6家存储芯片企业对比分析

5小时前
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一、存储行业背景

根据WSTS数据,全球存储芯片市场上一轮周期顶点出现在2021年,在全球半导体市场规模中占比接近28%(1500亿美元)。2022-2023年,受产业周期下行影响,市场规模出现萎缩。2022年存储芯片市场规模约为1300亿美元,占整个半导体行业的23%。2023年存储市场同比下滑35.2% 至 840 亿美元。预计2024年将重回1300亿美元的市场规模,存储芯片占据整个半导体市场的22%。

2022年中国进口的芯片金额超过4000亿美元,2023年因行业下行,进口金额降低至3500亿美元。2024年,芯片产业复苏,机构预测中国进口的芯片金额依然会超过4000亿美元。而存储芯片(主要是NAND Flash、DRAM内存)占到进口额的三分之一左右。据统计,国内96%以上存储芯片不得不依赖进口,虽然是存储最大的应用市场,但是能分到的蛋糕明显偏少。

在众多存储器芯片中,市场规模最大的是 DRAM 和 NAND Flash。根据 IC Insights 预测,2021 年全球 DRAM 市场规模约占整个存储市场的 56%(约 869 亿美元),NAND Flash 市场规模约占整个存储市场的 41%(约 636 亿美元), NOR Flash 市场规模约占整个存储市场的 2%(约 31 亿美元),其他存储芯片 (EEPROM、EPROM、ROM、SRAM 等)合计占比为 1%(约 16 亿美元)。

2017年美光缩减了NOR Flash业务,把产能转向DRAM和NAND Flash 存储器等产品上。同年,赛普拉斯退出了中小容量的NOR Flash市场,专注高毛利大容量的车用和工业控制领域。国内企业虽然面临技术限制的各种不利局面,但及时抓住了中小容量NOR Flash市场机遇,在技术研发、生产规模和市场影响力等方面都取得了显著进展。

兆易创新、复旦微电、东芯股份和恒烁股份为代表的本土企业,不断突破中低端容量的NOR Flash技术壁垒,在NAND和利基型DRAM也有所突破。以聚辰股份和普冉股份为代表的企业,在EEPROM方向也取得了一定的市占率。今天,我们就来对中国本土的6家存储设计企业进行比较分析,以便大家共同应对存储行业面对的不利局面。

二、存储器分类

2.1、大类

存储器是用来存储数据和程序的设备,存储器分类:主要分为RAM和ROM。RAM叫做随机访问存储器(Random Access Memory),主要包括了SRAM和DRAM;ROM叫做只读存储器(Read Only Memory),主要包括了Flash、EPROM和EEPROM等。

图|存储芯片分类

来源:聚辰股份招股书

2.2RAM

RAM存储器特点是可以从任意一个地址写入或者读出数据,但掉电数据易丢失。SRAM(SaticRAM)静态随机访问存储器通常用于计算机的高速缓存,速度快。DRAM(Dynamic RAM)动态访问存储器通常用于计算机的内存,例如DDR

2.3ROM

ROM存储器特点是CPU只能读取存储在ROM中的数据或指令,无法对存储的数据做修改,更无法写入新的数据,但是掉电数据不易丢失。ROM经历了PROM->EPROM->EEPROM的发展阶段,从一次性可编程,到可编程可擦除,再到带电可编程可擦除,性能越来越强大。Flash闪存是一种高级版的EEPROM。

Flash

Flash 包括 NAND Flash 和 NOR Flash 两大类。

NAND Flash 适宜大容量数据存储(通常在 1Gb~1Tb),常用于服务器、手机闪存、U 盘、SSD 及 SD 卡等大容量产品。

NOR Flash 具备读取速度快、随机存储和芯片内执行等特点,适宜中等容量代码存储(通常在 1Mb~1Gb),应用领域较广,如计算机、消费电子智能手机、TV、TWS 耳机、穿戴式设备)、安防设备、汽车电子ADAS、 车窗控制、仪表盘)、5G 基站、工业控制(智能电表、机械控制)及物联网设备等领域。

EEPROM

EEPROM 具有数据保存时间长、擦写次数多(可频繁改写,使用寿命长) 等特点,适宜低容量存储(通常在 1Kb~1Mb),主要用于存储需经常修改的数据,如手机摄像头模组内存储镜头与图像的矫正参数、蓝牙模块存储控制参数、 内存条温度传感器内存储温度参数等。

NAND Flash、NOR Flash 和 EEPROM 在不同容量区间内,各自具有明显不同的成本优势。作为三种非易失性存储器芯片,已经形成了各自相对稳定的应用领域和市场,三者将保持长期共存、互相补充、各自发展的态势。

2.4、供需

2024 年上半年,随着整个半导体行业的周期性复苏,存储芯片市场的供需关系也逐步恢复。 海外存储大厂经历了 2023 年严重的经营亏损和库存过剩之后,坚定地采取“调整产能、 控制供应、强势提价”等手段,动态平衡了市场供应,提升了存储价格。随着 AI 大模型等技术发展对高带宽、大容量存储芯片的需求不断增长,推动了市场的供需平衡回归,2024 年上半年,受益于存储价格的回升,以及 HBM、DDR5 等产品的出货增长,存储大厂收入同比取得较大增长,并成功扭亏为盈。

图|存储需求活跃度指数

来源:Supplyframe四方维CIQ

根据Supplyframe四方维CIQ发布的存储需求活跃度指数可以看出,2022.11-2022.12开始需求活跃度大幅下降,2022.12-2023.3月短暂回升上,2023.4-2023.12月需求活跃度持续下滑,跌破基数100,2024.1和3月份需求活跃度有所反弹,2024.4月后又震荡走低。2024年存储整体需求活跃度较2023年下滑-35.73%。

三、行业公司介绍

3.1、兆易创新

兆易创新科技集团股份有限公司是全球领先的Fabless芯片供应商,公司成立于2005年4月,2016年上市,总部设于北京。公司现有产品主要分为存储器产品、微控制器产品以及传感器产品。

图|兆易创新主要产品

来源:公司公告

在存储器产品领域,公司是全球排名第一的无晶圆厂Flash 供应商。

(1)在 NOR Flash 产品,据 Web-Feet Research 报告显示,公司 2023 年 Serial NOR Flash 市占率排名进一步提升至全球第二位。

(2)在 SLC Nand Flash 产品,供应商主要为海外厂商,铠侠、华邦电子、旺宏电子占据了较高的市场份额。

(3)在 DRAM 产品,公司积极切入 DRAM 存储器利基市场(消费、工控等),并已推出 DDR4、DDR3L 等产品,在消费电子(包括机顶盒、电视、智能家居等)、工业、网络通信等领域取得较好的营收,并持续推进规划中的其他自研产品。

3.2、复旦微电

上海复旦微电子集团股份有限公司是国内从事超大规模集成电路的设计、开发、生产(测试)和提供系统解决方案的专业公司。公司于1998年7月创办,并于2000年在香港上市,2014年转香港主板。2021年登陆上交所科创板,形成“A+H”资本格局。

复旦微电子集团现已建立健全安全与识别芯片、非挥发存储器、智能电表芯片、FPGA芯片和集成电路测试服务等产品线。

非挥发存储器

产品涵盖电可擦除只读存储器(EEPROM)、闪存(NOR/NAND)FLASH非挥发存储器系列,EEPROM市场份额居国内第一,高可靠特性FLASH存储器独具特色,月出货量超亿片。存储系列产品广泛应用于手机模组、网络通讯、消费类电子、工控仪表、物联网、安防监控等领域。

现主推四大产品线: EEPROM (容量1kbit-1024kbit);SPI NOR Flash (容量0.5Mbit-256Mbit);NAND Flash (容量0.5Gbit-8Gbit);ASNVM (VCM Driver EEPROM / NNVM)。

图|复旦微电主要产品

来源:公司公告

经过 2023 年的调整,由于终端及渠道库存消化,存储产品逐步回暖。公司存储产品线受益 于行业变化,销量有较大增长,消费及工业级 SPI NAND、NOR 产品线价格止跌回升。在工业仪器 仪表领域,公司的 EEPROM 产品市占率正在稳步提升。在消费级产品方面,公司高度关注网通、 安防、可穿戴领域的客户需求,以期进一步扩大销售。公司存储产品中的高可靠产品销售基本稳 定,是该产品线重要的基础。

存储产品线在 SONOS EE、1.8V ETOX、28nm NAND 平台的产品系列化取得关键进展及显著成 果。持续加强与主芯片厂商的合作,完成 NOR/NAND 系列新品的平台认证,在多个客户的 WiFi6、4GLTE 项目上取得突破。

3.3、聚辰股份

聚辰半导体股份有限公司于2009年成立,总部位于上海张江,2019年12月在科创板成功上市。公司目前拥有非易失性存储芯片(EEPROM & NOR Flash)、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片等主要产品线,产品广泛应用于智能手机、内存模组、汽车电子、液晶面板、工业控制、通讯、蓝牙模块、白色家电、医疗仪器等众多领域。

传统应用领域EEPROM

聚辰的EEPROM产品具有高可靠性、宽电压、高兼容性、低功耗等特点,产品广泛应用于智能手机、液晶面板、蓝牙模块、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色家电、汽车电子、工业控制等领域,使用公司产品的终端用户主要包括三星、小米、vivo、OPPO、联想、TCL、LG、佳能、松下、友达、群创、京东方、海信、海尔、伟易达等国内外知名企业。

公司EEPROM产品线包括I2C、SPI和Microwire等标准接口的系列EEPROM产品,以及主要应用于计算机和服务器内存条的SPD/SPD+TS(温度传感器)系列EEPROM产品。

车规级EEPROM

作为国内EEPROM龙头企业,聚辰半导体现已拥有A1(AECQ-100 Grade 1,-40°C~125°C)及以下等级的全系列汽车级 EEPROM 产品。新产品SPI NOR Flash也按照车规等级125℃设计。

产品主要应用于车载摄像头、液晶显示、娱乐系统等外围部件,并逐渐延伸到新能源车三电系统、车身控制、底盘传动及微电机智能座舱等核心部件。

经过十年技术积累和市场推广,聚辰已经成为国内外众多Tier1&Tier2厂商的供应商,终端客户包含比亚迪特斯拉、保时捷、现代、丰田、大众、马自达、吉利等国内外一线汽车品牌。

工业级NOR Flash、车规级NOR Flash

聚辰半导体以其领先的存储器设计技术,推出SPI NOR Flash产品,可以覆盖从消费级,到工业级,直至汽车级的所有应用,产品在可靠性,功耗,温度和速度等关键性能指标方面达到国内外前沿水准。

3.4普冉股份

普冉股份成立于2016年,总部位于上海张江高科。2021年8月,公司在科创板上市。

公司目前主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大非易失性存储器芯片、微控制器芯片及模拟产品。产品广泛应用于物联网、智能手机及周边、可穿戴、服务器、光模块、工业控制、汽车电子、安防等领域。公司产品广泛应用于三星、OPPO、vivo、小米、联想、惠普、亚马逊、美的、海内外汽车客户等品牌厂商。

NOR Flash

公司 NOR Flash 产品采用电荷俘获(SONOS)及浮栅(ETOX)工艺结构,提供了 512Kbit 到1Gbit 容量的系列产品,覆盖 1.1V-3.6V 的操作电压区间,公司 NOR Flash 产品应用领域集中在蓝牙、IOT、BLE、AMOLED、工业控制等相关市场。

目前 NOR Flash 行业主流工艺制程为 55nm,公司 40nm SONOS 工艺制程下 4Mbit 到 128Mbit 容量的全系列产品均已实现量产,处于行业内领先技术水平。

公司推出的超低电压超低功耗新一代 SPI NOR Flash 系列新产品,支持 1.1V 电源系统,同时具备宽电压范围,可涵盖 1.2V 和 1.8V 系统,该产品系列计划覆盖 4Mbit-128Mbit 的 容量区间,应用于基于嵌入式 SoC、手持移动应用、多媒体信息处理等场景中。

图|普冉股份NOR Flash产品

来源:公司公告

EEPROM

公司已形成覆盖 2Kbit 到 4Mbit 容量的 EEPROM 产品系列,操作电压覆盖 1.2V-5.5V,主要 采用 130nm 工艺制程,具有高可靠性、面积小、性价比高等优势,同时实现了分区域保护、地址 编程等功能,可对芯片中存储的参数数据进行保护,避免数据丢失和篡改,可擦写次数可达到 400 万次,数据保持时间可达 200 年。

公司部分中大容量产品采用 95nm 及以下工艺制程下并已实现量产,公司 EEPROM 产品 P24C 系列满足 1000 万次擦写寿命,100 年数据保存的高可靠性要求。

公司持续推进 EEPROM 产品在工业控制和车载领域的应用,工业控制上应用占比显著提升, 对稳定公司毛利率起到一定作用;同时,公司车载产品完成 AEC-Q100 标准的全面考核,在车身摄像头、车载中控、娱乐系统等应用上实现了海内外客户的批量交付,汽车电子产品营收占比有所提升;同时公司持续推进 EEPROM 产品全系列的车规认证。

公司超大容量 EEPROM 系列产品,支持 SPI/I2C 接口和最大 4Mbit 容量,其中 2Mbit 产品批 量用于高速宽带通信和数据中心

与此同时,公司推出的超低电压1.2V系列EEPROM已实现量产出货,涵盖32Kbit至512Kbit, 是目前行业内工艺节点领先和容量覆盖面较为完备的超低电压产品线。

图|普冉股份EEPROM产品

来源:公司公告

3.5、东芯股份

东芯半导体股份有限公司成立于2014年,2021年科创板上市,总部位于上海。作为Fabless芯片企业,东芯半导体聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售,是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。

(1)NAND Flash

公司聚焦平面型 SLC NAND Flash 的设计与研发,主要产品采用浮栅型工艺结构,存储容量覆盖 512Mb 至 32Gb,可灵活选择 SPI 或 PPI 类型接口,搭配 3.3V/1.8V 两种电压,可满足客户 在不同应用领域及应用场景的需求。

产品已通过联发科瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可,主要应用 于 5G 通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。

(2)NOR Flash

公司 SPI NOR Flash 存储容量覆盖 64Mb 至 1Gb,支持 Single/Dual/Quad SPI 和 QPI 四种指令 模式、DTR 传输模式和多种封装方式。普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。

(3)DRAM

公司研发的 DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的 DRAM 产品,具有高带宽、低延时等特点,在通讯设备、移动终端等领域应用广泛;公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求,自主研发的 LPDDR1/2/4X 系列产品具有低功耗和高传输速度等特点,最大时钟频率可达 2133MHz, 适用于智能终端、可穿戴设备等产品。

(4)MCP

公司 MCP 系列产品具有 NAND Flash 和 DDR 多种容量组合,Flash 和 DDR 均为低电压的设 计,核心电压 1.8V 可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。

公司产品凭借设计优势已在紫光展锐高通、联发科等平台通过认证,被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。

3.6恒烁股份

恒烁半导体(合肥)股份有限公司成立于2015年,2022年在科创板上市。恒烁半导体是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路企业。

公司现有主营产品包括NOR Flash存储芯片和基于Arm® Cortex®-M0+内核架构的通用32位MCU芯片。同时,公司还在致力于开发基于NOR闪存技术的存算一体终端推理AI芯片,并提供边缘计算的完整解决方案。

SPI NOR FLASH 存储器芯片

恒烁半导体可提供具有通用SPI接口的Flash存储器,主要产品为1.8V工作电压的ZB25LD/ZB25LQ系列,3.0V工作电压的ZB25VQ/ZB25D系列,以及1.8/3.3V宽工作电压的ZB25WD/ZB25WQ系列。可供选择的容量大小为1Mbit到256Mbit。

配合高133MHz的工作频率,和标准、双口和四口的工作模式,恒烁半导体的SPI NOR Flash产品可支持高达到(Dual)266MHz和(Quad)532MHz的数据交换速度。

恒烁半导体SPI NOR Flash产品的静态电流低至1uA,数据保持时间20年,擦写次数可达10万次,工作温度范围-40℃~105℃。产品具有可靠性高,功耗低,和先进的安全特性。

四、对比分析

4.1、产品对比

根据对各公司的统计,兆易创新、东芯股份是国内产品线最全的企业,涵盖Nor Flash、NAND Flash、DRAM产品,复旦微电为Nor Flash、NAND Flash、EEPROM,普冉股份为Nor Flash、EEPROM,聚辰股份为EEPROM,恒烁股份为Nor Flash。

国内厂商都采用Fabless模式,都围绕成熟制程24nm-5Xnm,先进制程尚未突破。兆易创新Nor Flash在行业排名第二,复旦微电、聚辰股份在EEPROM都曾为行业第一。

图|各公司主要存储产品

来源:与非研究院整理

图|存储业务营收占比%

来源:与非研究院整理

通过对各公司存储业务占比进行拆分统计可以发现,普冉股份2019-2021年储存营收占比高达99.96%,2022-2023年随着微控制器MCU和模拟芯片业务的扩展,存储业务占比出现下降,分别为94.54%、90.11%。东芯股份全部为存储业务,较为稳定,维持在97%水平。恒烁股份扩展了MCU业务,存储业务在2020年占比最高为96.45%,2022年降低至最低80.76%,2024H1又提升至89.54%。聚辰股份扩展音圈马达驱动芯片和智能卡芯片业务,存储业务最高为2019年的88.14%、2021年最低为78.06%。兆易创新扩展了微控制器MCU以及传感器产品,存储业务2019年最高为79.79%,2022年最低为59.36%,2024H1恢复至72.17%。复旦微电产品种类较多,涵盖安全与识别芯片、智能电表芯片、FPGA芯片和集成电路测试服务,存储业务2019年最低为20%,后逐渐提高,2024H1为33.37%。

4.2、存储业务营收对比

图|存储业务营收/亿元

来源:与非研究院整理

从营收角度对比看,兆易创新存储业务营收排名最高,2019-2021年持续增长,2022-2023年出现下降,2019-2024H1金额分别为25.56亿元、32.83亿元、54.51亿元、48.26亿元、40.77亿元,2024H1为26.05亿元。

复旦微电2019-2024H1存储的营收持续增长,金额分别为2.96亿元、5.1亿元、7.21亿元、9.40亿元、10.72亿元、5.99亿元。

聚辰股份2019-2023年分别为4.53亿元、4.09亿元、4.25亿元、8.54亿元、5.62亿元。

普冉股份2019-2023年分别为3.61亿元、7.15亿元、11.03亿元、8.72亿元、10.12亿元。

东芯股份2019-2023年分别为4.97亿元、7.61亿元、11.05亿元、10.87亿元、5.17亿元。

恒烁股份2019-2024H1分别为1.28亿元、2.43亿元、4.97亿元、3.50亿元、2.61亿元、1.59亿元。

兆易创新、东芯股份受行业影响较大,2019-2021年业绩持续增长,2022-2023年受存储价格下跌,营收持续下降。2024 年,受益于大宗存储价格增长,利基型 DRAM 价格率先反弹。

随着部分应用产品升级换代的需求、安防监控等市场的逐步复苏以及产能限制等因素影响,SLC NAND Flash产品价格也开始呈现温和上涨的趋势。受到消费电子产品市场的复苏、AIPC 和 AI 服务器的设备价值增加以及晶圆代工厂稼动率提升等影响,NOR Flash 的价格也逐步上涨。行业呈现比较好的复苏态势,两家公司业务出现了不错的恢复。

2024 年上半年,复旦微电受益于存储产品在工业市场、高可靠市场、汽车电子等领域提前布局,特别是高可靠产品基础稳固,打造差异化优势,减少了消费类存储产品下行对该产品线的压力,带领产品线穿越周期,使产品线业绩提升。

聚辰股份随着下游应用市场需求的逐步回暖,在公司工业级 EEPROM 产品和音圈马达驱动芯片产品受益于产品线的成功迭代,公司 SPD 产品、NOR Flash 产品以及汽车级 EEPROM 产品出货量同比实现高速增长。

普冉股份受益于 IOT、可穿戴设备、手机、智能家居等消费电子的景气度回暖,公司实现了多家的知名大客户导入,营收大幅提升。

恒烁股份所处行业竞争仍然激烈,各家厂商为加大出货量和占据扩大市场份额,公司产品出货量及营收同比增加。

4.3、存储业务毛利率对比

图|毛利率对比%

来源:与非研究院整理

毛利率受下游市场需求、产品售价、产品结构、委外加工成本及公司技术水平等多种因素影响。若上述因素发生变化,如委外加工服务供应紧张或者涨价、下游市场供给和需求发生不利变动或竞争格局加剧导致产品售价下降、成本上升等,将导致毛利率下降,从而影响公司的盈利能力及经营业绩。

复旦微电依靠高可靠产品稳定的出货提升,毛利率维持在行业最高水平,2019-2024H1分别为47%、45%、56%、65%、64%、65%。兆易创新和聚辰股份毛利率相对均衡,兆易创新2019-2024H1分别为39%、35%、40%、40%、33%、39%。聚辰股份2019-2023年分别为43%、36%、40%、71%、52%。

普冉股份、东芯股份、恒烁股份因为都属于后期进入者,为了抢占市场份额,在产品定价上较低,产品毛利率低于行业平均水平。普冉股份2019-2023年分别为27%、24%、36%、30%、24%。东芯股份2019-2023年分别为15%、22%、42%、41%、12%。恒烁股份2019-2024H1分别为13%、25%、40%、26%、15%、14%。

4.4、净利润对比

图|净利润对比/亿元

来源:与非研究院整理

因为净利润无法单独拆分,因此以各公司总的净利润进行对比。

复旦微电2019-2024Q3分别-2.55亿元、0.4亿元、4.44亿元、10.19亿元、5.72亿元、3.85亿元。因为复旦微电业务种类较多,在面对行业周期波动时,表现出更多的盈利韧性。

兆易创新2019-2024Q3分别为5.66亿元、5.55亿元、22.24亿元、19.10亿元、0.27亿元、7.77亿元。

聚辰股份20192024Q3年分别为0.98亿元、0.6亿元、0.85亿元、2.73亿元、0.88亿元、2.00亿元。

普冉股份2019-2024Q3年分别为0.43亿元、0.80亿元、2.73亿元、0.33亿元、-0.65亿元、2.27亿元。

东芯股份2019-2024Q3年分别为-0.63亿元、0.18亿元、2.55亿元、1.65亿元、-3.27亿元、-1.53亿元。

恒烁股份2019-2024Q3分别为-0.12亿元、0.14亿元、1.32亿元、0.04亿元、-1.92亿元、-1.19亿元。

兆易创新、聚辰股份、普冉股份、东芯股份、恒烁股份盈利能力受全球存储价格波动影响较大,呈现较强的顺周期性。

4.5、研发投入对比

图|研发投入/亿元

来源:与非研究院整理

研发投入无法进行拆分,因此选取各公司总研发投入进行对比。

兆易创新2019-2024Q3分别为3.78亿元、5.41亿元、9.40亿元、10.29亿元、10.67亿元、8.46亿元。

复旦微电2019-2024Q3分别5.50亿元、5.29亿元、7.49亿元、8.86亿元、11.90亿元、8.04亿元。

聚辰股份20192024Q3年分别为0.58亿元、0.52亿元、0.74亿元、1.34亿元、1.61亿元、1.30亿元。

普冉股份2019-2024Q3年分别为0.31亿元、0.46亿元、0.91亿元、1.49亿元、1.91亿元、1.72亿元。

东芯股份2019-2024Q3年分别为0.48亿元、0.48亿元、0.75亿元、1.10亿元、1.82亿元、1.58亿元。

恒烁股份2019-2024Q3分别为0.18亿元、0.22亿元、0.47亿元、0.65亿元、1.00亿元、0.65亿元。

研发投入和公司营收规模有很大的关系,兆易创新和复旦微电作为行业龙头企业,成立时间较长,营收较高,研发投入金额相对领先。聚辰股份、普冉股份、东芯股份、恒烁股份作为新进入者,研发投入整体相对较低,但也是在持续增长。

图|研发投入/营收占比

来源:与非研究院整理

2023年由于各公司的营收均为下降,但是研发投入都是持续增长,所以研发投入占营收比例明显高于正常年份。

研发投入占比最高的为复旦微电,常年维持在30%以上水平。兆易创新研发投入占比也是逐步提高,由12%水平提升至14.97%水平。聚辰股份2019/2020年维持在11%水平,2024Q3提升至16.91%水平。普冉股份2019-2021年维持在8%左右水平,2024Q3提升至12.59%、东芯股份2019-2022年维持在6%-9.6%水平,2024Q3大幅提升至35.34%水平。恒烁股份2019-2022年在8%-15%水平,2024Q3提升至24.68%水平。

五、总结

通过以上对比可以发现,兆易创新和复旦微电具有较强的产品力和研发实力,在两家企业的带领下,国内企业在中低容量 NOR Flash 产品取得了一定市占率,NOR Flash 行业开始呈现出多元竞争格局的趋势。

聚辰股份、普冉股份、东芯股份和恒烁股份因为成立较晚,发展阶段不同,虽营收和利润稍显不足,但是也都在持续增加研发投入、扩充产品品类。在车规、高可靠性、宽温环境适应能力等方面做产品性能的差异化,在功耗、数据传输速度等关键性能指标方面也能达到业界领先水平,在各自的细分领域都有独特的差异化竞争优势。

因为各限制因素,国内的企业无法使用最先进的制程,海外大厂纷纷转向AI需求暴涨的HBM、DDR5方向,而国内DRAM、NAND产品的技术较国际大厂还存在较大的代差。面对近1000亿美金的国内存储市场,国产份额依然较低,国内企业在研发和产品布局等方面尚有较大提升空间。

兆易创新

兆易创新

北京兆易创新科技股份有限公司成立于2005,是一家全球芯片设计公司。北京兆易创新科技股份有限公司成立于2005年4月,是一家以中国为总部的全球化芯片设计公司。公司致力于各类、控制器及周边产品的设计研发,已通过SGS认证的ISO9001:2008质量管理体系认证和ISO14001环境管理体系认证。

北京兆易创新科技股份有限公司成立于2005,是一家全球芯片设计公司。北京兆易创新科技股份有限公司成立于2005年4月,是一家以中国为总部的全球化芯片设计公司。公司致力于各类、控制器及周边产品的设计研发,已通过SGS认证的ISO9001:2008质量管理体系认证和ISO14001环境管理体系认证。收起

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与非网资深行业分析师,工科背景,11年行业研究经历。擅长从行业供需、量价、公司财务基本面等角度分析,洞悉电子行业未来发展方向,欢迎交流。