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    • 激光直写光刻胶与电子束光刻胶的区别是什么?
    • DLC沉积是什么?DLC沉积的应用领域?
    • AOI是什么?
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半导体制造与AOI检测的一些问题解答

11/15 09:00
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本周的周一,周二两天,Tom分别拜访了位于深圳市坪山区的深圳清华大学研究院超滑技术研究所与深圳格芯集成电路装备有限公司,超滑所具有整条半导体制造的产线,格芯是专门做AOI设备的企业,Tom和相关负责人针对相应领域技术作了一番交流,这里面涉及到很多半导体机理的内容,特整理出来,供大家参阅。

EBL与传统的紫外曝光机,激光直写曝光机的曝光方式上有什么差别?

EBL(电子束光刻)使用电子束进行曝光,精度极高,可实现纳米级图形,但速度较慢。激光直写曝光机使用激光直接在光刻胶上写入图形,分辨率介于EBL和紫外曝光之间.这两种都是无掩膜的光刻方式。而紫外曝光机使用紫外光通过掩膜版进行曝光,快速,是投影式的一种曝光方式。激光直写与电子束直写如何选择?电子束直写精度能够达到600nm左右,而EBL的精度在5nm左右。因此低精度的无掩膜光刻选用激光直写,高精度的无掩膜光刻选用EBL。

激光直写光刻胶与电子束光刻胶的区别是什么?

激光直写光刻胶一般为紫外或近紫外波段的胶,而电子束光刻胶一般为PMMA、HSQ等,本身不具有光敏性,靠电子束的作用,发生聚合或分解反应。什么是接触式光刻,与投影光刻有何不同?接触式光刻中,掩膜版直接接触到涂有光刻胶的晶圆表面,投影光刻使用投影光学系统,掩膜与基片不接触,图形通过投影方式缩小并转移到基片上。

DLC沉积是什么?DLC沉积的应用领域?

DLC是Diamond-Like Carbon的缩写,即类金刚石薄膜,DLC薄膜兼具金刚石的高硬度和碳材料的润滑性,可以通过PVD或CVD的方法来制作,可以通过改变工艺条件来改变DLC薄膜的性质,使其更偏向于金刚石或碳膜。二氧化碳超临界点干燥仪,有什么用途?原理是什么?二氧化碳超临界点干燥仪,主要是用来干燥MEMS等容易因表面张力而塌陷的样品。二氧化碳在31.1°C、72.8 atm(约7.39 MPa)的条件下达到超临界状态,在此状态下二氧化碳无表面张力,能够将微孔中的水进行替换,之后将二氧化碳逐步降压释放,使其转化为气态并排出系统,完成样品干燥。

AOI是什么?

AOI 的全称是 Automated Optical Inspection,即自动光学检测。利用摄像头捕捉样品的图像,与预设的图形做对比,判断是否存在缺陷。

AOI的应用场景?

明场和暗场各有什么作用?AOI在封装,半导体制造,PCB板中应用很广泛。明场光源直接照射到样品表面,反射光进入检测相机,适合较大缺陷,划痕的检测。暗场光源以倾斜的角度照射样品表面,只有表面细小的缺陷会散射光进入相机,因此适合小颗粒,小缺陷的检测。

AOI的2D检测与3D检测原理有什么不同?

相机数目不同,3D 检测一般有一台主相机,再配以数台副相机,通过全方位地对样品进行拍照,整合成为3D图形。而2D设备一般只有一台相机。

AOI墨点标记与激光标记是如何实现的?

AOI检测设备在识别出缺陷后,发送信号给微型喷头,喷头将少量墨水喷在缺陷位置,形成小点。而激光标记则利用激光束在产品表面刻蚀出标记。激光标记适合小尺寸芯片,墨点标记适合大尺寸的芯片。

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