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整个 9 月，英特尔一直是人们津津乐道的话题，高通拟收购英特尔，Arm 拟收购英特尔产品部门，英特尔本身的收购讨论频频出现，成为焦点也就不足为奇了。以 9 月底的收盘价计算，英特尔的股价为 23.46 美元。英特尔的市值约为 1000 亿美元，低于英伟达（NVIDIA）的 3 万亿美元，甚至低于 AMD 的 3000 亿美元，因此成为企业收购的目标也在情理之中。
英特尔重新崛起的关键在于英特尔代工厂，尽管英特尔自己宣布将利用Intel 18A工艺推出“Xeon 6”芯片，但与此同时，有报道称Broadcom对其18A工艺表示不满，这也让人难以对英特尔的情况持乐观态度。更重要的是，英特尔的“发布”和“出货”往往不可靠（“Sapphire Rapids”的情况便是一个明显的例子），而且OEM合作伙伴对基于Intel 18A的Xeon 6的系统完全没有进行相关公告，因此可以认为18A的道路仍然充满荆棘。
01、三星对英特尔的困境并不陌生
三星电子（Samsung Electronics），或者说三星电子旗下的三星晶圆代工厂（Samsung Foundry），已经不再对英特尔的困境独善其身。三星电子本身的业绩也不错，10 月 8 日公布的 2024 年第三季度财务指引（财报本身将于 10 月底公布）显示，销售额为 74.07 万亿韩元，营业利润为 10.44 万亿韩元。销售额本身仅增长了9.8%，但营业利润率却从3.6%大幅增至 14.1%。无独有偶，英特尔 2024 年第三季度的业绩尚未公布，但在第二季度，按非 GAPP 计算，营业利润为零，按 GAPP 计算，销售额为 128.33 亿美元，亏损 16.54 亿美元。
不过，三星电子的强劲业绩主要是由内存驱动的，而三星代工厂本身也遇到了各种困难。
02、“SF3”工艺的良率过低
具体来说，三星原本计划即将开始量产的“SF3”工艺，实际上尚未建立起正常的量产体系。根据《韩国时报》9月12日的报道，到2024年第二季度末，SF3的良率低于20%。
宣布开始生产采用 GAA 的 3 nm工艺时的照片；来源：三星电子众所周知，采用GAA（Gate-All-Around）技术的3nm工艺制造难度较大。
实际上，三星首个GAA工艺“3GAE（SF3E）”在2022年首次宣布量产时，良率仅停留在10%左右，尽管在2022年底时，这一良率提升到了约40%。因此，SF3在第一季度的良率仍在10%台阶并不令人惊讶（不过，这不禁让人质疑，SF3E的经验是否得到了有效运用？）。问题在于，第二季度的良率仅略微改善至20%以下，这对于量产工艺而言显然是不合格的。实际上，这也是导致该公司智能手机用“Exynos 2500”工程样品提供延迟的原因之一。结果是，SF3目前完全没有接到订单，这一状况也是情理之中的。
03、建厂计划也面临阴云
这一结果导致三星的Fab计划被迫受到了审查。目前，三星正在韩国平泽建设P4工厂，同时在美国德克萨斯州泰勒也在建设一座工厂。泰勒工厂将专注于逻辑产品，计划生产4nm至2nm工艺，而P4工厂则计划涵盖DRAM、NAND闪存以及4nm至2nm的所有逻辑产品。P4 工厂的建设分为四个阶段：第一阶段专注于NAND闪存，第二阶段为逻辑产品，第三阶段将增设NAND闪存产线和DRAM，第四阶段则计划增设逻辑产线。
此外，三星还计划在平泽建设P5工厂，最初预计在2024年7月底竣工。
然而，截至9月，P5工厂的建设已经中断，预计最早将在2025年1至2月恢复，但更有可能推迟至2026年。至于P4工厂，第四阶段的建设目前完全没有进展，甚至第二阶段也被延后，而第三阶段可能会提前实施。伴随这一变化，从9月起，生产设备制造商接到通知，要求延期交货。现在，预计 P4 工厂将生产 NAND 闪存，然后是 DRAM 和 HBM3e，对它们的需求迫在眉睫。
关于HBM3e，三星已被SK海力士等公司超越，三星在2024年7月底才获得NVIDIA的认证，随后进入量产阶段。值得一提的是，7月底获得认证的是8-Hi（8层）版本，而12-Hi（12层）版本仍在认证中。NVIDIA计划增产下一代GPU“Blackwell”，由于SK海力士的HBM3e供应无法满足需求，NVIDIA预计会向三星寻求补充。此外，AMD的“Instinct”系列、Intel的“Gaudi 2/3”以及其他多家供应商的AI处理器也都在使用HBM3/3e，预计至少到2026年上半年，对HBM的需求将持续。
另外，SK海力士计划在2025年推出8/12-Hi的HBM4，2026年推出16-Hi的HBM4。三星预计会跟进，P4 工厂将为HBM3e和未来HBM4的量产做好准备。
这样做的结果是，逻辑产品的进展被迫推迟。SF3的良率尚未提升，2nm的SF2良率也持续低迷，目前尚无提高的明确途径。不过，三星并没有放弃，仍在努力改善良率，但由于当前的良率无法满足量产需求（即使宣布能够量产，客户也不会选择），在良率得到改善之前，投资量产设备也是徒劳。因此，P4 工厂的第三阶段目前的开始时间仍然未定，进展非常缓慢。
04、美国工厂的情况更为严峻
更具灾难性的是泰勒工厂。该工厂原计划于 2024 年投产，但由于种种原因，投产时间推迟到了 2026 年。这导致原定于2025年开始量产的SF4计划被推迟到2026年下半年。然而，由于判断 "2026 年不太可能有 4nm产品"，因此SF4的量产被取消，并将目标锁定在 2nm及更先进的工艺（SF2/SF1.4）。就泰勒工厂而言，与 P4工厂不同的是，它没有生产 DRAM 或 NAND 闪存的计划，因此即使建立了工厂，也没有替代产品可供生产。结果，该公司决定缩减运营并裁员。
2024 年 4 月，美国政府决定根据 CHIPS 法案为泰勒工厂和奥斯汀工厂提供高达 64 亿美元的补贴。其中大部分补贴用于泰勒工厂，该工厂将因提供先进封装以及采用 SF2 或更先进工艺进行生产而获得补贴。然而，目前泰勒工厂唯一有可能进行的就是这一先进封装，但仅为此而运营工厂，实在令人怀疑。
05、部分客户转向台积电
10月的消息显示，一些客户已经转向台积电。根据ZDNet Korea在10月2日的报道，韩国AI处理器开发商FuriosaAI和DEEPX已将其下一代产品的生产从三星转移至台积电。
FuriosaAI的第一代产品“Warboy”使用的是三星的14nm工艺，而第二代“Renegade”则决定采用台积电的N5工艺并使用CoWoS封装。DEEPX的第一代计算机视觉处理器“DX-V1”在三星的28nm工艺下制造，而后续的“DX-V3”则采用了台积电的12nm工艺。顺便提一下，“DX-M1 ”和 “DX-H1 ”这两款更高性能的AI加速器是采用三星的 5 nm工艺制造，但后续产品的生产工艺仍在商议中。
三星的代工业务一直以来在某种程度上充当台积电产能溢出的“接收池”。一个显著例子是NVIDIA。NVIDIA原本希望在台积电生产其消费级“GeForce RTX 3000”系列，但由于当时台积电的N7产能不足，转而选择了基于三星8LPP的8N工艺。而最新的“GeForce RTX 4000”系列则较早确保了产能，最终在台积电的N4基础上使用4N工艺制造。三星显然对这一情况并不满意，因此试图通过抢先量产GAA工艺来破局。
然而，由于GAA工艺的产量问题未能得到有效解决，其代工业务的前景变得不容乐观。尽管与英特尔不同，三星可以依靠DRAM和NAND闪存业务来维持财务健康，但在技术上与英特尔的情况几乎没有太大差别。如果英特尔成功提升Intel 18A的良率并实现量产，三星甚至可能败给英特尔（尽管从Broadcom的情况来看，这一前景尚不明朗）。
根据TrendForce于2024年9月6日的报道，三星电子决定与台积电合作开发无缓存的HBM4芯片。具体而言，三星负责DRAM堆叠的生产，而底层的控制器将由台积电而非三星生产。这一安排无疑体现了三星当前业务所面临的艰难处境。
