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继宣布将出售部分股权后，罗姆还公布了在GaN领域的新合作；此外，“行家说三代半”还汇总了近期GaN行业的多起合作案，详情请看：
罗姆&台积电：加强GaN器件代工合作
10月8日，据日经新闻报道，罗姆宣布将在GaN功率半导体领域加强与台积电合作，拟借由水平分工、对抗海外竞争对手。
报道称，在日前举行的“第85届应用物理学会秋季学术讲座”上，罗姆宣布将全面委托台积电代工生产GaN功率半导体器件，包括650V耐压产品等。报道还指出，罗姆应此前就已委托台积电代工，但未曾对外公开过。
罗姆将旗下的GaN产品命名为“EcoGaN™”，并正在不断扩大其产品阵容。在分立产品方面，罗姆在2022年开始量产150V耐压的GaN HEMT，并于2023年开始量产650V耐压GaN HEMT，目前，650V产品已被台达电子采用。
QPT：开发主驱GaN逆变器演示器
10月8日，据外媒报道，英国初创公司QPT宣布，他们最近获得了英国先进推进中心（APC）的VERDE项目资助，用于开发一款高频400V/60kW GaN逆变器演示样机，以证明GaN在汽车应用中优于SiC/Si。
资料显示，QPT成立于2019年，位于英国剑桥。该项目旨在加速早期技术市场化，支持向零排放汽车的转变。项目合作伙伴RAM Innovations将为该GaN逆变器提供创新封装，以优化芯片散热能力。
据RAM Innovations的首席执行官Peter Green透露，该项目将在2025年9月的英国UTAC Millbrook Cenex 博览会上展示样机；这项APC投资将至少提前两年将技术推向市场。
VisIC&贺利氏&PINK：开发车规级GaN功率模块
7月29日，据外媒报道，全球氮化镓领域的三家企业——以色列VisIC Technologies、德国的贺利氏和PINK三方签署了合作协议，将共同开发一种能够为电动汽车提供"前所未有的可靠性和性能"的GaN功率模块。
据介绍，此次合作汇集了VisIC在基于GaN的器件方面的专长、贺利氏在先进封装材料方面的知识，以及PINK在烧结技术方面的最新技术，合作开发一种利用D3GaN技术的先进功率模块，该产品将基于硅氮化物陶瓷基板、银（Ag）烧结工艺和先进的顶侧互连技术打造而成。
Finwave&GF：开发8英寸GaN射频器件
8月30日，据外媒报道，Finwave Semiconductor与GlobalFoundries（GF）达成了技术开发和许可协议，合作将Finwave的GaN-on-Si技术与GF的射频创新和大规模生产能力相结合。这项合作旨在优化Finwave的增强型MISHEMT技术，并在GF位于佛蒙特州伯灵顿的8吋半导体制造工厂进行批量生产。
据介绍，Finwave 8英寸GaN-on-Si E-mode MISHEMT平台在射频性能方面表现出色，能够在低电压下提供高增益和效率，同时确保晶圆的高均匀性。这项技术预计将在5G、6G、毫米波放大器和高功率Wi-Fi 7系统中提供高效率的功率放大器解决方案。
此外，Finwave的技术得到了美国能源部ARPA-E的资金支持和私人投资，预计将在2026年上半年实现大规模生产。
欧洲航天局（ESA）：启动射频GaN项目
据外媒9月18日消息，欧洲航天局（ESA）宣布启动Magellan项目，目的是开发用于毫米波卫星通信的GaN晶体管和高功率放大器。这些技术将支持5G和6G网络的全球移动通信，需要在Ka、Q和W频段上进行更有效的卫星通信。
Fraunhofer IAF研究所正在领导这个项目，开发基于GaN的高电子迁移率晶体管（HEMTs）和放大器电路，项目合作伙伴还包括United Monolithic Semiconductors GmbH（UMS）和TESAT-Spacecom GmbH & Co KG，他们将提供在卫星通信中应用这些技术的专业知识。
Magellan项目由ESA的ARTES高级技术计划资助，计划从2024年持续到2027年，旨在建立一个从半导体开发到空间应用的欧洲价值链。
