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今天，液相法SiC技术有了重磅进展——日本Oxide公司宣布，他们已经与日本SiC芯片代工厂JS foundry株式会社签署了一项基本协议，双方将在日本开展液相法SiC全链条产业协同。
此外，“行家说三代半”还了解到：
● 日本Oxide：将成立全资子公司，采用液相法生产的8吋SiC衬底即将送样。
● JS foundry：6吋晶圆线已经提供代工服务，投资超过9亿元的8吋晶圆生产线也将投入使用。
日本Oxide：8吋液相法SiC衬底将送样
10 月 9 日，Oxide和JS foundry共同宣布，他们已经达成了初步合作，正致力于将溶液法碳化硅衬底的商业化。
Oxide表示，与传统的升华法PVT相比，溶液法有望生产出缺陷更少、质量更高的碳化硅衬底片。但是更为重要的是要建立并完善液相法SiC制造价值链，实现全产业链的协同合作。
除了液相法长晶外，抛光和外延也是直接影响 SiC 功率半导体性能的重要工序，因此，Oxide与JS Foundry结成了业务联盟，因为后者在功率半导体制造工艺的各个方面都拥有丰富的经验和知识。
今年4月，Oxide还曾宣布，他们将在今年的10月18日成立一家全资子公司“Oxide Power Crystal”，通过该公司将液相法碳化硅衬底正式商业化，并计划在2025年2月末之前开始8英寸碳化硅产品送样。
据Oxide介绍，他们这样做主要有2个目的，一是通过将SiC衬底业务从母公司分离出来，新公司旨在实现更灵活的经营，并推动与其他公司的合作。二是这也有助于扩大资金筹集以支持液相法碳化硅业务的增长。
在液相法SiC衬底项目建设方面，“行家说三代半”此前曾做过报道，Oxide于2022年2月投资了4亿日元（约2100万人民币）扩产建设第五个工厂，该工厂专门用于生产8英寸SiC晶圆；该工厂于2022年6月动工，2023年3月正式竣工。
而该工厂的建立是为了响应日本新能源产业技术开发机构（NEDO）绿色创新基金项目 (GIF)的号召，Oxide联合了名古屋大学、Mipox株式会社、UJ-Crystal株式会社、Alxtal株式会社以及日本国立研究院等企业/机构，主导开发“下一代功率半导体的晶圆技术开发”项目，该项目已获得了186亿日元（约9.7亿人民币）资助，其中Oxide负责8吋SiC单晶的量产。
Oxide总裁兼首席执行官古川康宪曾透露过，“我们预计8英寸n型碳化硅衬底的售价约为10万日元(约5227元人民币)。8英寸p型碳化硅衬底方面，有很多用户可以接受的报价是50万日元（约2.6万人民币）左右。”
JS foundry：8吋晶圆线将投入营运
JS Foundry 是日本第一家独立的代工厂，专门从事模拟功率半导体的加工和制造，包括预处理、背面处理、EPI 堆叠和芯片尺寸封装。
JS Foundry目前在新泻拥有1条6英寸晶圆代工厂，该工厂的前身是三洋半导体工厂，后来在2011年三洋新泻工厂被安森美收购，2022年12月日本投资基金Mercuria Investment等收购了安森美新泻工厂，然后成立了JS Foundry。
据“行家说三代半”了解，除了旧的6英寸晶圆线外，2023年JS Foundry还透露投资约200亿日元（约合人民币9.51亿元），用于建设一条新的功率半导体生产线，除了现有的6英寸晶圆外，还可生产8英寸晶圆，新线计划于 2024 年投入运营增加功率和模拟半导体的产量。
而且JS Foundry还获得约1/3总投资额的政府补贴——2023年1月，日本政府和新泻县预计将向JS Foundry提供总计约57亿日元（约合人民币2.71亿元）的补贴。
晶圆工艺技术方面，JS Foundry是与日本凸版印刷（TOPPAN）公司合作。
根据TOPPAN公司2023年4月份发布的公告，他们与JS Foundry 签订了战略合作协议，双方推出了面向功率半导体的合约制造处理服务，目标是在2027财年实现30亿日元（约合人民币1.43亿元）销售额。
据了解，TOPPAN公司是从2001年进入LSI统包服务领域，一直为逻辑和存储器件制造商提供半导体OEM服务。在功率半导体领域，TOPPAN公司建立了生产控制和质量保证体系，打造了全新的功率半导体供应链。
双方在公告中表示，两家公司将优先使用 JS Foundry 的 6 英寸晶圆生产线，2024 年夏季开始，新建的8 英寸晶圆生产线也将投入使用。
不过，“行家说三代半”认为，JS Foundry的6吋和8英寸晶圆线并不会马上全面导入Oxide的液相法SiC衬底，他们的合作仍处于初步磨合阶段。
