为什么器件失效分析需要Nano-probe机台？

器件失效分析（Failure Analysis，FA）关系到集成电路的质量控制、产品可靠性以及产量优化。在分析过程中，工程师必须准确定位失效源头，分析失效机理并找到解决方法。其中，Nano-probe（纳米探针）作为一项关键的微纳级分析工具，广泛应用于先进工艺制程中，如5nm、7nm、16nm等。

1. 什么是Nano-probe？

Nano-probe，顾名思义，是一种基于纳米尺度的探针技术，能够在极小的区域内对特定节点进行电气特性测试。在集成电路的失效分析中，Nano-probe设备可以直接接触芯片内部的金属层或晶体管节点，通过微小探针来测量电流、电压等参数，从而帮助工程师分析器件的电气特性与异常情况。

这种技术通常用于以下两种主要的场景：

逐层分析（Delayering）：通过逐层去除芯片的金属层或介质层，使Nano-probe能够直接接触到目标区域的金属节点或晶体管的源极、漏极和栅极。

局部电气特性测试：在特定的电路节点上进行精确的电气测试，捕捉可能的电路异常，例如电流泄漏、开路或短路等问题。

2. Nano-probe 在失效分析中的作用

在半导体芯片的失效分析过程中，尤其是先进工艺制程产品（如5nm、7nm、16nm等）的分析，传统的分析方法可能已经难以满足需求。晶体管的尺寸越来越小，电路结构越来越复杂，因此Nano-probe在失效分析中的作用变得越来越重要。

具体来说，Nano-probe在失效分析中的作用可以从以下几个方面来说明：

（1）精准定位故障点

在集成电路的分析过程中，工程师通常需要在极其复杂的电路中找到失效的源头。失效可能来自晶体管、金属互连、栅极等多个层次，而Nano-probe能够通过逐层测试，对特定区域的电气特性进行详细分析，从而精准定位故障点。例如，在上述16nm工艺制程案例中，Nano-probe被用于SRAM的某个单个Bit cell区域，通过版图分析和逐层去除工艺，Nano-probe能够定位到M0OD/M0PO层的一个NMOS器件，发现其gate漏电偏大，最终确认工艺质量问题。

（2）逐层分析能力

现代半导体芯片包含多达13层甚至更多的金属互连层，失效问题可能发生在不同的金属层之间。Nano-probe能够逐层剥离芯片中的金属和介质层，并在每一层进行测试，从而确定问题发生的具体层次。在逐层剥离的过程中，Nano-probe通过精细的探测能力能够确保电气特性测试的准确性，减少误判的可能性。

（3）器件电气特性测试

Nano-probe允许对特定器件或电路节点进行电气特性测试。它能够通过微小的探针直接接触到晶体管或金属互连层的某个具体节点，测量电流、电压、导电阻等关键参数，从而帮助工程师发现电气异常。例如，在7nm工艺制程通信产品的案例中，Nano-probe被用于检测失效信号链路，最终发现某个器件的Idsat（饱和电流）低于正常值，帮助工程师进一步确认问题所在。

（4）检测小规模缺陷

随着晶体管尺寸的缩小，工艺制程中的缺陷越来越微小，甚至在微观下难以观察。Nano-probe技术的高精度探测能力使其能够检测到极小的缺陷，例如金属互连层中的空洞、裂纹，甚至是晶体管内的原子级失效问题。通过结合FIB（聚焦离子束）、TEM（透射电子显微镜）等技术，Nano-probe可以提供失效区域的电气和物理特性分析，帮助工程师找到根本原因。

3. Nano-probe 技术在器件失效分析中的优势

Nano-probe技术之所以被广泛应用于器件失效分析，主要因为它具备多项关键优势：

（1）超高分辨率

Nano-probe技术能够在纳米级别对电路节点进行测试，其探针直径极小，通常可以达到10纳米或更小的尺寸，能够非常精确地接触到晶体管的源极、漏极、栅极等区域。这种高分辨率确保了测试结果的准确性，并能有效应对先进制程工艺中晶体管结构的微缩挑战。

（2）非破坏性测试

传统的失效分析方法可能需要破坏芯片的物理结构，才能够测试到失效点。而Nano-probe可以通过逐层去除芯片中的材料，保留必要的电路结构，在进行电气测试的同时尽量减少对芯片的破坏。这使得工程师能够在不完全破坏芯片的前提下完成精密测试，保留更多的物理信息以供后续分析。

（3）灵活性高

Nano-probe能够灵活适应不同的分析需求，无论是对于电路级别的全局失效分析，还是局部器件的特性测试，Nano-probe都能提供可靠的技术支持。工程师可以根据失效分析的具体需求，选择不同的测试方法和策略，充分发挥Nano-probe的灵活性和多样化功能。

4. 结合其他分析技术的应用

在失效分析过程中，Nano-probe通常与其他分析技术相结合，以提高分析的准确性和效率。常见的组合包括：

（1）FIB（聚焦离子束）

FIB技术可以用于局部区域的样品制备，通过精确切割芯片的某一部分，使Nano-probe能够更加精准地接触到目标区域。这在分析复杂工艺制程中的缺陷时尤为重要，特别是在需要在纳米级别定位和切割时。

（2）TEM（透射电子显微镜）

通过TEM技术，工程师能够获得芯片材料结构的详细信息，包括晶体管的栅氧层厚度、金属互连层的空洞或裂纹等。而Nano-probe在TEM的基础上提供了电气特性测试，使工程师能够同时了解物理结构和电气特性。

（3）EMMI/OBIRCH（电子发射显微镜/光学电流发射显微镜）

这些技术能够帮助工程师找到失效区域中的发光或热异常点，而Nano-probe则可以进一步测试这些异常点的电气特性，验证其是否为失效的主要原因。

5. 应用实例分析

例如，在16nm制程的网络产品失效分析案例中，Nano-probe帮助工程师将芯片逐层去除至M0OD/M0PO层，并发现bit区域的NMOS gate存在漏电问题，最终通过FIB和TEM进一步确认了工艺质量问题。这一过程中，Nano-probe的精确定位和逐层分析能力是找到问题的关键。

在14nm通信产品的失效分析中，Nano-probe通过对特定信号链路的电气特性测试，发现了器件Idsat异常，帮助工程师定位到了失效的根本原因，并推动了工艺管控的改进。

6. 未来的发展方向

随着半导体工艺的不断进步，器件结构越来越复杂，晶体管尺寸越来越小，失效分析的难度也不断增加。Nano-probe技术未来的发展方向主要集中在以下几个方面：

更高的分辨率：未来的Nano-probe设备将具备更高的分辨率，能够在更小的区域内进行更精确的电气测试，满足3nm及以下制程的分析需求。

自动化程度提高：随着人工智能技术的发展，Nano-probe设备将逐渐实现更高的自动化水平，减少人为干预，提高分析效率。

多功能集成：未来的Nano-probe设备将与更多的分析技术集成，例如与X射线分析、超声波分析等结合，进一步提高分析的全面性和准确性。