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就在刚刚，Soitec和Resonac宣布达成8英寸复合型SiC合作开发协议——
9月24日下午，Resonac（原昭和电工）官网宣布，他们与Soitec签订了联合开发协议，双方将共同开发8英寸SiC——Resonac将在8英寸衬底制造中采用Soitec的SmartSiC™技术，最终提高8英寸碳化硅外延的生产效率，并实现碳化硅外延片业务供应链的多样化。
目前，Resonac正在积极扩径，其8吋SiC外延片已开始向客户送样。为确保SiC衬底产能供应，Resonac最近也宣布了扩产——
9月12日，Resonac在日本山形县东根市工厂内新建了一条专门生产SiC衬底的产线，并举行了开工仪式，该项目预计2025年第三季度竣工。
Soitec表示，通过Smart Cut™技术制造的SmartSiC™衬底，具有非常高的质量，能够优化器件良率。SmartCut™工艺可提高碳化硅单晶衬底的重复利用率，实现高水平的导电性和导热性。其研究表明，SmartCut SiC可将碳化硅衬底的电阻率降低至少4倍，电阻率的显著降低可以使SiC MOSFET尺寸缩小5-15%。
除Resonac外，Soitec还与意法半导体等多家企业合作，推进SmartSiC™技术的量产：
● 2022年，意法半导体就曾与Soitec达成合作，以验证8吋复合型SiC衬底，并表示有望在中期实现量产。
● 今年5月23日，X-FAB和Soitec共同宣布，双方在经过评估阶段后正式达成合作，Soite将为X-FAB位于德克萨斯州拉伯克的工厂供应SmartSiC晶圆，用于生产碳化硅功率器件。
同期，Soitec还宣布与东海炭素建立了战略合作伙伴关系，东洋炭素将利用其在多晶碳化硅（polySiC）方面的技术和制造能力去配合Soitec SmartSiC™的生产，以加强 SmartSiC 生态系统。
