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LVDS静电放电防护方案
方案简介
LVDS是一种低压差分信号技术，该技术通过一对差分信号线（或平衡电缆）以极低的电压摆幅（约350mV）进行数据的传输，采用LVDS接口，可以使得信号在差分线或平衡电缆上以几百Mbps的速率传输，由于采用低压和低电流驱动方式，实现了低噪声、低串扰、低误码率和低功耗，LVDS在对信号完整性、低抖动及共模特性要求较高的系统中得到了越来越广泛的应用，常见于各电子设备的液晶显示屏中。
LVDS 接口拥有较高的数据传输速率，数据/图像传输率为 650Mbps 至 1.3Gbps。由于接口试图在保持高速的同时传输内容，因此选择线对线电容低的 ESD 保护器件对于确保信号完整性至关重要。普通的防护方案会对数据的传输造成一定影响。此方案高速差分信号部分采用集成低压四通道保护、超低容值、低漏电、低残压的ESD静电二极管防护器件，在不影响数据传输的前提下满足IEC61000-4-2 Level 4静电放电防护需求，让后端的电路得到有效防护。
LVDS工作原理
LVDS技术的基本工作原理是通过一个恒流源（通常约为3.5mA）驱动一对差分信号线。在接收端，由于接收器本身具有高直流输入阻抗（几乎不会消耗电流），因此几乎全部的驱动电流都流经100Ω的终端匹配电阻，并在接收器输入端产生约350mV的电压。当驱动状态反转时，流经电阻的电流方向改变，从而在接收端产生一个有效的“0”或“1”逻辑状态。
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典型的LVDS发送芯片分为四通道、五通道和十通道几种，输入信号来自主控芯片，包含RGB数据信号、时钟信号和控制信号三大类。发送芯片将以并行方式输入的TTL电平RGB数据信号转换成串行信号后，直接送往液晶面板侧的接收芯片。LVDS发送芯片的输出是低摆幅差分对信号，一般包含一个通道的时钟信号和几个通道的串行数据信号。由于LVDS发送芯片是以差分信号的形式进行输出，因此，输出信号为两条线，分别输出正负信号。
应用示例
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我们为LVDS接口提供了两种电气特性相似的ESD防护器件，专为保护差分线路而设计，其型号分别为SEUC10F5V4U和SEUC06F5V2U。器件的流通式封装设计简化了 PCB 布局，减少布线过程中的不连续性，促进了信号完整性和系统稳定性的提升。
SEUC10F5V4U为集成式十引脚ESD保护器件，结电容为0.6pF，钳位电压为12V，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，可在 ±17kV（空气）和 ±12kV（接触）下提供瞬变保护,可同时保护LVDS接口的两对数据传输高速信号差分线免受ESD静电放电干扰。
SEUC06F5V2U为集成式六引脚ESD保护器件，结电容为0.6pF，钳位电压为12V，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，可在 ±17kV（空气）和 ±12kV（接触）下提供瞬变保护,可保护LVDS接口的一对时钟信号差分线免受ESD静电放电干扰。
型号参数
| 规格型号 | 方向 | 工作电压(V) | IPP(A) | 钳位电压(V) | 结电容(pF) | Package |
| SEUC10F5V4U | Uni. | 5 | 4.5 | 12 | 0.6 | DFN2510-10L |
| SEUC06F5V2U | Uni. | 5 | 4.5 | 12 | 0.6 | DFN1610-6L |
电气特性表
At TA = 25℃ unless otherwise noted
| Parameters | Symbol | conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| Reverse stand-off voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
| Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT= 1mA | 6.0 | V | ||
| Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
| Peak Pulse Current | IPP | TP=8/20us@25℃ | 4.5 | A | ||
| Clamping Voltage | VCL | IPP=1A; TP=8/20us | 9.0 | 11.0 | V | |
| Clamping Voltage | VCL | IPP=4.5A; TP=8/20us | 12.0 | 15.0 | V | |
| Junction capacitance | CJ | I/O pins to ground; VR=0V; f = 1MHz |
0.6 | pF | ||
| Between I/O pins; | ||||||
| VR=0V; f = 1MHz | 0.3 |
表1 SEUC10F5V4U电气特性表
| Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
| Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5 | V | |||
| Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 6 | 9.5 | V | |
| Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
| Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 8.5 | 10.0 | V | |
| Clamping Voltage | VC | IPP=4.5A; tp=8/20us | 12.0 | 15.0 | V | |
| Junction Capacitance | CJ | I/O to GND; VR=0V; f=1MHz | 0.6 | 0.8 | pF | |
| Between I/O; VR=0V; f=1MHz | 0.3 | 0.4 | pF |
表2 SEUC06F5V2U电气特性表
总结与结论
LVDS接口不仅常用于消费电子类产品的显示器中，还广泛应用于汽车中的视频显示系统，所以保证其可靠性和稳定性极为关键。ELECSUPER SEMI研发各种低电容低钳位电压的ESD保护器件，可按照客户需求性能与封装提供定制化开发服务，为各种高速接口及通信线路提供值得信赖的保护器件。以上解决方案是保护LVDS接口的优选之策，确保设备能够高效、可靠地运行。
