3112
在半导体制造中会使用很多英文词汇，而英文词汇在翻译为汉语的过程中，意思往往会出现偏差，后面的几期，Tom会针对几大工序中常见的半导体术语做一个归纳总结，有些术语会做必要的解释。
1，alignment：对准
2，ARC：抗反射层，其中BARC是底部抗反射层，TARC是顶部抗反射层，见文章：芯片制造中的抗反射层（TRAC&BRAC）
3，bake，oven：烘烤，soft bake是软烘，匀胶之后，hard bake是后烘，显影之后，PEB是曝光后烘烤
4，CCD：charge coupled device，电荷耦合阵列成像探测器
5，CD：critical dimension，特征尺寸，即线宽，芯片上最小尺寸
6，contrast：对比度
7，developer dispense：喷淋式显影
8，DI water：去离子水
9，DOF：Depth of Focus，焦深
10，DUV：deep ultraviolet，深紫外线
11，EBR：edge bead removal，边缘胶去除
12，EUV：extremely ultra-violet，极紫外
13，Exposure：曝光
14，gap：间隙
15，G/H/i line：G线，H线，i线，波长分别为436nm，405nm，365nm
16，HMDS：六甲基二硅氮烷，见文章：气相 HMDS工序介绍
17，hydrophobicity：疏水性
18，LWR：线宽粗糙度
19，leveling：找平
20，MEF：mask error factor，掩膜板误差因子，在硅片上曝出的线宽对掩膜板线宽的偏导数
21，metrology：量测
22，NA：Numerical Aperture，数值孔径，
23，Overlay Accuracy：套刻精度
24，PAG：光酸产生剂
25，pellicle：掩膜板保护膜
26，Photolithography：光刻
27，photoresist，resist：光刻胶
28，puddle：显影液在晶圆表面停留
29，reticle，mask，photomask：掩膜版，光罩
30，resolution：光刻的分辨率
31，rinse：清洗
32，shot：曝光区域
33，sidewall angle：侧墙倾斜度
34，slit：狭缝
35，standing wave：驻波
36，step-and-repeat：步进分块曝光
37，step-and-scan：步进分块扫描曝光
38，spin dry：甩干
39，thickness：厚度
40，undercut：内切
41，UV：紫外线（光）
42，wave length：波长
由于篇幅有限，今天先总结到这里，下期继续总结。
欢迎加入我的半导体制造知识星球社区，目前社区有2000人左右。在这里会针对学员问题答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升半导体制造能力，介绍如下： 《欢迎加入作者的芯片知识社区！》
