美光HBM明年目标：倍增！

随着美国存储半导体公司美光成功开发出第5代高带宽存储器“HBM3E 12层”产品，存储器企业之间的领导地位之争预计将变得更加激烈。

据业内人士9月14日消息，美光近日在其网站上宣布，正在开发36GB（千兆字节）HBM3E 12层产品，并正在向客户供应样品。

HBM 是一种通过垂直连接多个 DRAM 创新性地提高现有 DRAM 数据处理速度的产品，主要安装在 AI 芯片中使用的图形处理单元 (GPU) 中。最重要的是，由于HBM是一种高价值产品，其价格比普通DRAM高出4至5倍，存储器公司之间争夺市场的竞争正在加剧。

根据市场研究公司数据，去年的HBM市场份额为SK海力士53%、三星电子38%、美光9%。

美光科技的目标是明年获得 20% 的 HBM 市场份额。

随着美光也进军HBM3E 12层市场，SK海力士、三星电子等内存企业的战场将越来越激烈。

目前市场主流是HBM3和HBM3E 8层，但预计NVIDIA的后继产品中将大量采用12层产品。

Trend Force预计，随着H200的出货，今年HBM3E的消费份额将增至60%以上，而NVIDIA未来推出的Blackwell Ultra将配备8个HBM3E 12层堆栈。

据此，预计明年HBM3E中12层产品的比例将达到40%，并可能进一步增加。

看来SK海力士不仅在HBM3E 8层产品上暂时占据上风，在12层产品上也暂时占据上风。

去年 3 月，SK 海力士成为第一家开始向 NVIDIA 供应 HBM3E 8 层的内存公司。

后续产品HBM3E 12层已完成主要客户的样品供货，计划本季度开始量产，第四季度向客户供货。

继8层产品之后，三星电子也通过认证12层产品来加速量产。