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存储行业被称为半导体产业“风向标”。迈过了2022年至2023年的行业低谷，从去年年末开始至今年二季度，存储国产存储厂商财报逐渐有了起色。
受益于AI浪潮，以及消费电子、汽车、工控等领域驱动，今年多家存储厂商半年报数据普遍增长，新技术新产品陆续开出。另外，近期存储市场动态不断，包括兆易创新拟向子公司增资8亿元，增加DRAM募投项目实施主体和地点。
（一）多家国产存储厂商业绩大涨
首先来看兆易创新、澜起科技、佰维存储、德明利、普冉半导体、聚辰股份的半年报财报。
兆易创新方面，2024年上半年，兆易创新实现营业收入36.09亿元，同比增长21.69%，归属于上市公司股东的净利润5.17亿元，同比增长53.88%。经历2023年市场需求低迷和库存逐步去化后，2024年上半年消费、网通市场出现需求回暖，带动公司存储芯片的产品销量和营收增长。
在汽车市场，公司车规闪存产品出货量保持良好增长。车规MCU产品与多家国内、国际头部Tier 1公司建立和保持深入合作关系，产品应用包括车灯方案、AVAS方案、无线充电方案、汽车直流无刷电机控制系统、汽车仪表盘等。在兆易创新的财报中，其海外市场营收值得关注。2021至2023年兆易创新来自于境外地区的收入分别为70.66亿元、67.66亿元、45.81亿元，占总营收的比例分别为83%、83%、80%。这和该公司在汽车市场业绩的持续增长密切相关。
另外，兆易创新的存储器产品主要有NOR Flash、SLC Nand Flash和DRAM。其中，DRAM产品包括DDR3L和DDR4两个品类，DDR3L产品提供市场通用 1Gb/2Gb/4Gb 容量；DDR4 8Gb产品已流片成功，并已为客户提供样片，以4Gb/8Gb容量为市场提供广泛的应用选择。
澜起科技披露半年报显示，上半年实现营业收入16.65亿元，同比增长79.49%，净利润高达5.93亿元，同比增长624.63%。与上年同期相比，净利润翻了六倍不止。
对于业绩增长，澜起科技披露，行业需求实现恢复性增长，DDR5下游渗透率提升且DDR5子代迭代持续推进，带动公司内存接口及模组配套芯片销售收入同比大幅增长，津逮服务器平台产品线则实现了快速增长。澜起科技上半年业绩十分受益于AI发展。据悉，该公司的三款高性能“运力”芯片新产品（PCIe Retimer芯片、MRCD/MDB芯片、CKD芯片）呈现快速成长态势，第二季度销售收入合计约为1.3亿元，环比倍增，成为上半年业绩增长的一大原因。
佰维存储上半年营业收入同比增长199.64%，达到34.41亿元，净利润2.83亿元，成功实现扭亏为盈。公司认为，数据的持续增长、国产化率的提升以及AI技术革命是推动存储产业发展的三大要素。
另外，据佰维存储官微消息，即将上市的佰维DW100 DDR5内存将推出全新CUDIMM规格（超频实验室联合款），频率可达9200MT/s CL42。DW100是佰维设计的DDR5旗舰级内存，相较常规DDR5内存实现了突破性的频率提升。
德明利发布的半年报显示，公司上半年营业收入为21.76亿元，同比增长268.50%；归母净利润为3.88亿元，同比增长588.12%；扣非归母净利润为3.70亿元，同比增长536.69%。公告称，公司营业收入变化主要由于行业周期回暖，销售价格上涨；以及拓展新客户增加使得销售规模大幅增加。
报告期内，德明利持续推进产品结构升级，产品矩阵不断丰富，推出了多款移动存储、高端固态硬盘、嵌入式存储新品，新增了LPDDR、内存条产品线，全面覆盖主流存储产品类型。其中特别是嵌入式存储与内存条业拓展顺利，成为新的业绩增长点，推动了公司整体营收增长。另外，报告期内，德明利加快完善企业级存储、嵌入式存储和内存条等新产品线团队搭建，新设立北京研发中心与杭州研发中心，通过在芯片产业聚集地设置研发中心的方式积极引进高端研发技术人才。半年报还显示，新一代存储卡主控芯片及固态硬盘主控芯片均已进入量产阶段，模组导入工作进展顺利。
普冉半导体近期也发布2024年半年报。财报显示，上半年营收8.96亿元，同比增长91.22%；净利润1.36亿元，同比上升273.78%，上年同期净亏损7824.95万元。上半年，受益于IOT、可穿戴设备、手机、智能家居等消费电子的景气度回暖、下游终端应用的功能升级以及新型终端设备的场景应用等，市场需求有所提升。
公开资料显示，普冉半导体于2016年成立，位于上海自贸区，是一家以从事非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售为主的企业。
聚辰股份2024年上半年营收5.15亿元，同比增长62.37%；净利润1.43亿元，同比增长124.93%。官方资料显示，2024年随着下游应用市场需求逐步回暖，在工业级EEPROM产品和音圈马达驱动芯片产品受益于产品线的成功迭代，出货量同比取得较快速增长，SPD产品、NOR Flash产品以及汽车级EEPROM产品的出货量同比高速增长。
据悉，聚辰股份拥有存储类芯片、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条产品线，产品广泛应用于智能手机摄像头模组、内存模组、汽车电子等众多领域。该公司成立于2009年，位于上海市浦东新区，是一家以专门从事高性能、高品质集成电路产品的研发设计和销售，提供应用解决方案和技术支持服务为主的企业。
（二）国产存储产业消息不断
除了发布最新财报以外，国产存储项目开工、新品发布等消息不断。
01、兆易创新：拟向子公司增资8亿元，增加DRAM募投项目实施主体和地点
9月9日，兆易创新发布公告，公司董事会审议通过增加DRAM募投项目实施主体和地点，并使用部分募集资金向全资子公司及全资孙公司增资的议案。
公告显示，兆易创新募集资金投资项目“DRAM芯片研发及产业化项目”的原实施主体为兆易创新及全资子公司上海格易，实施地点为北京市海淀区及上海市，现拟增加兆易创新全资子公司珠海横琴芯存、全资孙公司北京芯存、全资孙公司上海芯存、全资孙公司合肥芯存、全资孙公司西安芯存作为募投项目实施主体，与公司共同实施募投项目，对应增加实施地点珠海市、北京市朝阳区、合肥市、西安市，并由公司使用部分募集资金向珠海横琴芯存增资80,000万元，再由珠海横琴芯存 使用募集资金向北京芯存、上海芯存、合肥芯存、西安芯存分别增资1,000万元、1,000万元、2,000万元、5,000万元以实施募投项目。
本次除增加实施主体和地点外，与“DRAM芯片研发及产业化项目”相关的实施方案等其它内容保持不变。兆易创新此前公告显示，DRAM芯片研发及产业化项目预计总投资39.92亿元，公司拟通过本项目研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。
02、忆恒创源发布国产PCIe 5.0企业级SSD
9月3日，忆恒创源发布旗下首款全国产PCIe 5.0企业级NVMe SSD PBlaze7 7A40系列。该产品基于平头哥镇岳510芯片打造，产品性能和能效比大幅提升，在业内率先实现4K随机写100万IOPS的突破，可应用于 AI、数据库、云计算等领域。
据悉，忆恒创源新发布的PBlaze7 7A40系列采用了多项国产自研技术，在读写、延迟等性能指标上处于国际领先水平。该产品基于忆恒创源自主统一架构平台 MUFP开发，在硬件架构和自研固件的深度优化下，4K随机读性能达到3300K IOPS，4K随机写性能则实现了业界最高的1000K IOPS；其充分利用平头哥镇岳510主控芯片架构优势，通过对I/O路径全面优化和精简处理流程、优化数据排布等方式，大幅提高了NAND的读写效率，将4K随机读延迟低至55μs，随机写延迟更是降至5μs。
PBlaze7 7A40系列中采用的镇岳510主控芯片是平头哥半导体2023年发布的产品，其使用平头哥自研芯片架构，内置大量自研硬件加速模块，有效平衡性能与功耗；在内存和接口方面，支持业界最领先的DDR5、PCIe 5.0技术，大幅提升芯片的数据吞吐速率；在可靠性方面，通过自研LDPC纠错算法与介质电压预测算法，误码率比业内标杆领先1个数量级。
03、新型存储RRAM传来新进展！
近日，悦芯科技和睿科微达成战略合作，成功开发了国内首个基于睿科微RRAM IP的芯片量产测试方案，并已正式进入量产。
公开资料显示，RRAM（Resistive Random Access Memory）意为阻变式存储器，也称忆阻器，具有尺寸易于缩小，高速度，低功耗，低成本，易与CMOS工艺兼容等诸多特点。这些存储特性能满足现新兴应用领域的需求，未来在消费类电子产品（手机，平板，蓝牙耳机等），物联网，工业类电子，汽车电子，数据中心以及人工智能产品上将得到广泛运用。RRAM以材料的电阻在外加电场作用下，可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换，被称为前瞻性下一代非挥发存储器。
据介绍，悦芯科技的T800 SOC测试平台具备的Memory Test Option功能，为RRAM芯片的量产提供了坚实的技术支持。在首颗RRAM芯片量产成功的基础上，悦芯科技将继续支持多款RRAM IP芯片的量产，为客户提供高性能、可靠的完整量产测试解决方案。
悦芯科技的T800 SOC自动测试设备以模块化设计为主要特色，为不同类别的IC器件提供针对性的测试模块，实现在单一平台上拥有测试数字器件、混合信号器件、SOC芯片器件、嵌入式Flash、独立Memory的能力，其性能比肩国际主流SOC ATE测试平台，目前已广泛应用于FAB，OSAT，Test House, Design House，院校研究所等各类用户。
悦芯科技成立于2017年2月，专注研发、生产、销售各类大规模集成电路测试设备。公司SOC测试设备T800已开发量产，存储器测试设备TM8000正在开发验证。合肥睿科微则是一家专注于开发先进新型存储器芯片和接口技术的科技创新型企业，致力于开发阻变式存储器（RRAM）和接口技术，将把下一代内存技术推向市场。
04、七彩虹发布全新DDR5内存
近期，七彩虹推出了其全新白羊座（ARIES）系列DDR5内存，首批提供了6000MT/s和6400MT/s速率可选，均为32GB（16GB x2）套装。据悉，这款内存采用了SK海力士A-die颗粒，测试数据显示，读取速度可达104.25 GB/s，写入速度93953 MB/s，复制速度95946 MB/s，延迟69.4 ns，各项指标都较为。
设计上，新款内存采用一体成型高密度合金马甲，上面融合了“星矢”元素的设计，以白色为底，金黄线条勾勒，厚重的散热模块紧密贴合颗粒，对热量进行快速传导，让内存时刻保持冷静温度。
值得一提的是，无论是白羊座系列的DDR4还是DDR5内存，均全面支持Intel XMP 2.0及最新的XMP 3.0超频技术。这一技术革新意味着，用户只需通过简单的设置，即可一键激活内存的超频潜能，无需繁琐调整，即可让内存迅速进入最佳性能状态。
尤为亮眼的是，DDR5-6000与DDR5-6400规格的产品，分别搭载了CL38与CL40的低延迟时序，这意味着在提供极致速度的同时，也兼顾了数据的快速响应与传输。
