通过窃取三星电子自主开发的核心工艺技术,投资数万亿韩元在国外创办半导体制造公司的前高管被捕并移交给检察机关进行拘留。
首尔地方警察厅产业技术安全搜查队9月9日宣布,逮捕并移送了半导体制造商CHJS首席执行官崔先生(66岁)和工艺负责人吴先生(60岁)。
CHJS是由崔先生于2021年成立的公司。警方称,崔先生涉嫌泄露和滥用三星电子存储半导体核心技术,他招募了包括曾担任三星电子高级研究员的吴先生在内的大量韩国半导体专家,2020年9月在国外合资成立联合公司后,涉嫌泄露和滥用三星电子存储半导体核心技术,违反了《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》。
曾担任三星电子和海力士半导体(现SK海力士)高管的崔先生,以制造20纳米DRAM半导体为目标,窃取了三星电子独立开发的每个工艺步骤的核心技术。
吴先生在这一过程中发挥了关键作用,他泄露了三星电子的核心技术,并调往成都高田,担任工艺设计部门负责人。
警方解释称,三星电子泄露的18纳米和20纳米工艺开发技术的经济价值达4.3万亿韩元(227.9亿元人民币)。
警方还对从三星电子等韩国企业调到成都高田的其他高管和员工进行了立案调查,并正在调查是否存在额外的技术泄露。
一名警方人员解释说:“这是一个动摇经济安全基础、削弱国家竞争力的问题,因为国内半导体公司的前高管试图与国外合作使用国内技术生产半导体。”