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“行家说三代半”获悉，近期国内多家SiC企业均获得了最新技术突破，涉及沟槽技术、大尺寸制备等：
● 青禾晶元：实现了高质量晶圆级SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的规模化生产。
● 国家第三代半导体技术创新中心（南京）：成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术。
● 上海汉虹：使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体。
青禾晶元：SiCOI实现规模化生产
8月28日，青禾晶元官微宣布，他们在绝缘体上碳化硅（SiCOI）材料的制备技术上取得了重大突破，成功实现了高质量晶圆级SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的规模化生产。
长期以来，高质量SiCOI材料的制备一直是一项极具挑战性的任务，需要解决晶圆键合、微纳加工等多个技术难题，业内前期探索主要是小尺寸样品的制备尝试。
青禾晶元成功攻克了这些技术难关，实现了高质量晶圆级SiCOI的制备，该公司科研人员通过优化晶圆键合质量、完善微纳加工工艺等手段，确保了SiCOI材料的高纯度、高均匀性和高性能，为后续器件的制造和性能提升奠定了坚实基础。
值得一提的是，青禾晶元已正式参编《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，将与众多行家企业一起深入剖析碳化硅产业脉络。《白皮书》将于今年12月中旬发布，届时也将深入展示青禾晶元的SiC最新进展和布局。
除青禾晶元外，合盛新材料、芯聚能、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、天岳先进、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、泰坦未来、东尼电子、科友半导体、长联半导体、致领半导体、奥亿达新材料、瑞霏光电、才道精密、亿值旺、纯水一号、中科光智、中电化合物、森国科、清软微视、士兰微、清连科技、弘信新材、高泰新材、成都炭材等也已正式参编《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，期待更多SiC领域的行家企业加入，共同推进碳化硅半导体产业发展，了解更多详情请扫描海报二维码。
国家第三代半导体技术创新中心（南京）：开发沟槽型碳化硅MOSFET芯片
9月1日，据“南京发布”官微消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）成功研发了沟槽型碳化硅（SiC）MOSFET芯片制造的关键技术，在国内实现首次突破。
据介绍，国家第三代半导体技术创新中心（南京）组织核心研发团队和全线配合团队历时4年，不断尝试新工艺最终建立全新工艺流程，突破“挖坑”难、稳、准等难点，成功制造出沟槽型碳化硅MOSFET芯片，较平面型提升导通性能30%左右。
国家第三代半导体技术创新中心（南京）技术总监黄润华透露，目前中心正在进行沟槽型碳化硅MOSFET芯片产品开发，推出沟槽型的碳化硅功率器件。预计一年内可在新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等领域投入应用。
此外，该中心还表示已启动碳化硅超集结器件研究，该结构的性能比沟槽型结构的还要更优更强，目前还在研发中。
上海汉虹：制备8英寸碳化硅晶体
8月30日，上海汉虹官微宣布，他们在拉晶实验室中，使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体，此晶体具备优良的均匀性和低缺陷密度，直径达到200毫米标准，电阻率和晶向均符合高端应用要求。
据悉，该晶体的制备使用了上海汉虹自行研发制造的碳化硅长晶炉，采用上进料方式和自动化控制，通过热场旋转及热场工艺稳定性设计，确保晶体生长过程中的温度均匀性和稳定性，目标为新能源汽车、5G通讯等新兴产业的进一步发展提供材料基础。
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