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  • 正文
    • 1. 良率(Yield)的定义
    • 2. 良率的分类
    • 3. 良率的影响因素
    • 4. 良率提升的策略
    • 5. Yield 的影响因素
    • 6. 良率管理和优化的具体案例
    • 7. 案例分析
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如何理解晶圆制造的良率(Yield)

08/27 10:45
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晶圆制造中,良率的管理和提升是一个复杂而持续的过程,需要在工艺、设计、材料、设备等多个方面进行综合的优化和管理。通过数据的分析、持续改进的策略、客户协同的优化,最终实现良率的最大化,提高产品质量和产线效率。

1. 良率(Yield)的定义

在晶圆制造中,良率通常指在一批晶圆中,最终达到设计和功能要求的合格芯片的比例。良率的高低直接影响到产品的成本、生产效率和最终的经济效益。

2. 良率的分类

在晶圆制造中,良率可以分为以下几类:

工艺良率(Process Yield):指在制造过程中,工艺步骤的执行成功率,即每一步工艺所导致的损失。

测试良率(Test Yield):指在测试过程中,通过测试的芯片的比例。

成品良率(Final Yield):综合工艺良率和测试良率,指最终符合质量要求的成品芯片比例。

3. 良率的影响因素

良率受到多种因素的影响,包括但不限于:

工艺控制(Process Control):包括设备的精度、参数的稳定性、工艺流程的优化等。工艺控制的稳定性和精度直接决定了良率的高低。

材料质量(Material Quality):材料的纯度、杂质含量等会影响晶圆的物理和化学性能,从而影响良率。

设计因素(Design Factors):芯片设计中的缺陷、设计规则违规等也会影响最终的良率。

缺陷密度(Defect Density):晶圆在制造过程中可能会出现各种微观和宏观的缺陷,这些缺陷会导致芯片失效,降低良率。

4. 良率提升的策略

针对量产产品良率提升,通常采用以下几种策略:

缺陷分析和优化(Defect Analysis and Optimization):通过对晶圆制造过程中产生的缺陷进行分类、分析,确定缺陷的来源,并通过调整工艺参数、优化工艺流程等方法减少缺陷的产生。例如,降低光刻过程中颗粒污染的概率或通过化学机械抛光(CMP)优化减少表面缺陷。

持续改进(Continuous Improvement):在量产过程中,基于历史数据和统计分析,持续进行小幅度的工艺优化和改进,逐步提高良率。使用统计过程控制(SPC)来监控关键参数,及时发现并纠正偏差。

客户反馈和协同(Customer Feedback and Collaboration):通过与客户的紧密合作,获取客户的反馈和需求,针对特定问题进行定制化的优化方案。与客户沟通协商制定质量提升计划,并定期评估和更新。

5. Yield 的影响因素

在晶圆上制造过程中,每片晶圆上的总芯片数通常由晶圆的尺寸和芯片的大小决定。而合格芯片数是通过测试阶段得出的,经过筛选,只有功能和性能都符合要求的芯片才算合格。

6. 良率管理和优化的具体案例

比如CIS项目,良率提升和优化通常涉及到以下几个方面:

Defect Reduction: 在投片过程中通过对缺陷的监控和数据分析,定位和减少特定的缺陷种类。例如,通过使用先进的检测设备和优化的光刻流程,可以减少颗粒缺陷。

Process Optimization: 通过工艺参数的调整和优化,例如调整离子注入剂量、扩散时间等,优化制程条件以提高器件的电性能,从而提高良率。

Design for Manufacturability (DFM): 通过与设计团队的协作,优化设计规则,使之更加适合量产,减少生产过程中由于设计缺陷导致的失效。

7. 案例分析

良率提升项目:通过优化30多个项目,您已经实现了平均良率提升超过1%的目标,特别是在4个关键项目中取得了显著的提升。这通常涉及精细的缺陷分析和针对性的工艺调整。

新产品导入(NTO):成功导入了5颗NTO,并顺利交付进入量产阶段。这需要对新产品的快速学习和工艺调整,确保在量产前解决所有潜在的工艺问题。

通过对产线的持续优化和材料的有效利用,您显著提高了成本效益、良率、循环时间以及生产力,达到了某Fab厂的最佳成本/良率,并保持零客户事故。

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