美国多个半导体制造项目推迟

近日，英国《金融时报》报道，尽管美国的《通胀削减法》和《芯片与科学法》提供了超过4000亿美元的税收减免、贷款和补贴，以促进美国国内清洁能源技术和半导体产业的发展，但是美国制造业复兴计划因投资者按下暂停键而推迟。

据悉，与上述法案相关的过亿美元大项目共114个，总投资2279亿美元，但其中总计投资约840亿美元的项目进度滞后两个月至数年，甚至无限期停摆，其中不乏半导体项目。相关企业表示，市场状况恶化、需求放缓，以及本土政策缺乏确定性，导致厂商改变了投资计划。

01、台积电亚利桑那州工厂推迟投产

8月13日，台积电公布多项董事会决议，包括核准近300亿美元资本预算。其中，台积电核准不超过75亿美元额度，增资百分之百持股子公司TSMC Arizona，即台积电亚利桑那子公司。

按照规划，台积电未来几年将在美国亚利桑那州建设3座工厂，总计投资达650亿美元。不过，《纽约时报》最新消息显示，台积电宣布建厂以来四年时间过去，台积电亚利桑那州工厂尚未生产出一颗芯片。业界分析，文化差异，劳动力资源面临与英特尔的竞争，两大因素使得台积电亚利桑那州工厂面临挑战，并推迟投产。

2020年5月台积电宣布在亚利桑那州建设晶圆厂时，计划2021年开始建设，目标量产时间是2024年。第二座晶圆厂则是在2020年12月份宣布，原定计划于2026年量产。

今年5月台积电官网显示，亚利桑那州首座晶圆厂延期至2025年上半年投产，第二座晶圆厂也将其延期至2028年量产。

至于第三座晶圆厂，台积电尚未披露动工的时间，官方表示计划在本世纪30年代末开始投产。

按照台积电规划，亚利桑那州第一座工厂将采用4nm制程技术，第二座工厂将采用2nm技术，第三座工厂则将采用2nm或更先进制程工艺。

02、英特尔俄亥俄州工厂延迟建设

美国本土半导体厂商英特尔计划未来五年在美国投入1000亿美元，在亚利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州以及俄勒冈州投资新建芯片工厂以及扩大现有产能，创造1万个制造业工作岗位和2万个建筑业岗位。

2月外媒报道，由于市场低迷以及美国补贴发放延迟，英特尔推迟了俄亥俄州200亿美元规模的芯片项目。英特尔将在俄亥俄州建设两家新的尖端晶圆厂，计划2025年开始芯片制造，经过调整，英特尔俄亥俄州一号项目的Fab1和Fab2两座工厂将推迟至2026~2027年完工，约2027~2028年正式投运。

随着芯片制程不断向3nm、2nm迈进，晶圆厂的投资金额也水涨船高，半导体厂商面临资金紧张的压力。这一背景下，英特尔不但推迟了美国俄亥俄州工厂建设，而且对欧洲的工厂做出了延期调整。

其中，英特尔在德国马格德堡投资300亿欧元兴建的Fab 29.1和Fab 29.2两座晶圆厂原本计划在2023年下半年开工，但是由于欧盟补贴的推迟确认、建厂地区需要移除黑土，英特尔已经将开工时间将推迟到2025年5月。此外，英特尔还暂停了对法国和意大利的投资计划。

03、三星泰勒晶圆厂延期

三星计划在美国得克萨斯州建设包括两座先进逻辑代工厂和一座先进封装工厂在内的半导体产业集群，美国将提供至多64亿美元补贴。

其中，三星位于美国得克萨斯州泰勒市的首座晶圆厂已于2022年动工，原定于2024年投产，可提供4nm制程生产能力。不过，今年5月媒体报道三星已将该座晶圆厂的量产时间从2024年底推迟到了2026年，原因可能与晶圆代工市场增势放缓以及美国补贴发放进度缓慢有关。

另据媒体报道，随着晶圆厂延期建设，三星可能将上述工厂先进制程技术从4nm升级至2nm，以便在先进制程领域，与台积电、英特尔、Rapidus等厂商进行竞争。