晶圆制造CVD工艺面试知识点小结

无锡某Fab工程师工作5年的王工分享了CVD工艺岗位的面试问题及知识点如下，仅供参考：

1、基础知识问题

①请解释化学气相沉积（CVD）工艺的基本原理。

化学气相沉积（CVD）是一种通过化学反应将气态前驱体转化为固态薄膜的工艺。在CVD工艺中，气态前驱体通过气流引入反应室，并在加热的基板表面发生化学反应，生成固体材料沉积在基板上，同时副产物以气态形式被排出。CVD工艺的关键在于控制反应条件（如温度、压力、气体流量等）以获得高质量的薄膜。

②CVD工艺与物理气相沉积（PVD）相比有哪些优缺点？

优点：

CVD可以沉积复杂形状的基板表面，具有更好的覆盖性。

通过化学反应形成的薄膜通常具有更高的致密性和纯度。

CVD工艺适用于大面积沉积和高产量生产。

缺点：

由于化学反应需要较高的温度，某些基材可能无法承受。

CVD工艺中的副产物可能具有腐蚀性或毒性，处理不当可能影响安全性。

设备和工艺较为复杂，成本相对较高。

③什么是PECVD？与常规CVD相比，它的优势是什么？

等离子增强化学气相沉积（PECVD）是一种利用等离子体来促进化学反应的CVD工艺。相比于常规CVD，PECVD的主要优势在于可以在较低的温度下实现沉积。这使得PECVD特别适用于对温度敏感的基材，同时也能获得特定的薄膜特性，如低应力和高均匀性。

④请解释等离子增强化学气相沉积（PECVD）中等离子体的作用。

在PECVD中，等离子体通过电磁场的作用生成，从而激发气态前驱体分子，使其发生化学反应，形成固态薄膜沉积在基板上。等离子体的作用是提供能量，使化学反应可以在较低的温度下发生，同时等离子体还可以提高薄膜的沉积速率和均匀性。