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经历较长时间的行业下行周期后，2023年第四季度以来，存储产业出现了较为明显的回暖迹象。与此同时，随着AI人工智能浪潮的推动，加上数据中心等应用对高端存储需求的持续增加，全球存储产业链复苏态势愈发强烈。
而近日，从SK海力士、铠侠、三星、美光等厂商释放的信号来看，存储产业迈入上行周期的确定性进一步提升。
SK海力士12层HBM3E即将量产，HBM工厂迎利好
近期，SK海力士无论是在技术研发还是建厂投资方面，都释出了利好消息。
技术研发方面，众所周知，受益于人工智能热潮推动，SK海力士在AI存储器市场掌握着主导地位。SK海力士首席执行官郭鲁正表示，由于HBM等高性能存储器芯片的强劲需求，存储器芯片市场还将维持一段时间的乐观态势，预计存储器芯片市场将持续活跃到明年年初。
SK海力士认为，随着人工智能市场的扩大，明年存储器的需求将持续增长，并制定了积极应对的战略。SK海力计划在本季度向主要客户供应12层HBM3E样品并开始量产，并将在明年下半年推出与台积电合作开发的12层HBM4。
除了全力发展HBM高带宽内存市场外，SK海力士在显存方面的发展也迎来新的进展。
7月30日，SK海力士宣布推出全球最高性能的新一代显存产品GDDR7。与前一代产品相比，SK海力士GDDR7运行速度提高了60%以上，能效与前一代相比提升了50%以上。此外，SK海力士技术团队通过采用封装新技术，成功地将该产品的热阻减少了74%。
SK海力士表示，GDDR7将于今年第三季度量产，将适用于图形处理、人工智能、高性能计算、及自动驾驶等多种领域。
投资建厂发面，SK海力士将投资约9.4万亿韩元，龙仁半导体产业集群首个晶圆厂及事业设施。根据规划，SK海力士将建设四座生产下一代半导体的先进晶圆厂，其中第一座晶圆厂计划明年3月开工，2027年5月完工，将生产包括代表性AI存储器HBM在内的下一代DRAM，并在工厂竣工后根据市场需求生产其他产品。
此外，SK海力士还与美国商务部签署了一份不具约束力的初步备忘录（PMT）。基于美国《芯片和科学法案》，SK海力士就美国印第安纳州半导体先进封装工厂的投资，将获得最高4.5亿美元的直接补助和最高5亿美元的贷款。与此同时，美国财政部决定为SK海力士提供在美国投资额最高可达25%的税收抵免。
SK海力士此前宣布，将在美国印第安纳州投资建设HBM先进封装生产基地，总投资达38.7亿美元，并创造约1,000个工作岗位。该工厂预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适于AI的存储器产品。同时，SK海力士还将与普渡（Purdue）大学等当地研究机构携手进行半导体研发。SK海力士表示，为了在印第安纳州顺利进行面向AI的存储器量产，将如期进行工厂建设。
铠侠Q1营收环比大涨106.4%，规划10月底IPO？
近日，NAND闪存大厂铠侠公布了2024财年（4-6月，2024自然年二季度）第一财季营收报告。
数据显示，当季铠侠营收创历史新高，达4,285亿日元，同比大涨71%，环比增长106.4%；营业利润1259亿日元，环比增加187%；净利润也自去年同期的亏损1,031亿日元转为盈利698亿日元，环比增长578%。
铠侠表示，供需平衡改善，带动NAND Flash平均售价持续上升，同时闪存市场需求复苏也随之推动NAND Flash产品出货量增加，外加日元贬值等，是推动公司营收实现大幅增长的主要因素。
铠侠指出，以日元计算，当季NAND Flash售价较上一财季（2024年1-3月）上涨20%左右，为连续第四个季度呈现上涨；NAND Flash出货量也环比增长了10-14%。铠侠表示，上季以美元计算的售价环比增长15%左右。
另外，铠侠位于日本岩手县北上市工厂Fab 2（K2）已于7月完工。而随着市场需求的复苏，铠侠将在密切关注NAND闪存市场趋势的同时逐步进行资本投资。并计划于2025年秋季在K2开始运营。
铠侠在新闻稿中强调，将致力于抓住NAND Flash闪存市场机遇，满足对AI人工智能应用和数据中心日益增长的需求，并在合适的时机实施符合市场趋势的资本投资。
据日经新闻报道，铠侠K2工厂将用来增产人工智能AI用最先进存储器。报道还称，北上工厂将生产被称为“第8代”的最先进存储器，预计月产2.5万片，除AI数据中心外，也将用于智能手机、PC、汽车等领域。
至于备受关注的IPO情况，有知情人士表示，铠侠会在8月底提交正式申请，目标10月底上市，而为了赶上期限，铠侠正以比一般IPO更快的速度进行准备，不过最终结果要视进度而定，不排除推延至12月。
三星平泽P4生产第6代DRAM，或明年6月开始运营
据韩国媒体ETNews最新报道，三星电子内部已经确认在平泽P4工厂内建设1c纳米制程DRAM产线的投资计划，目标是预计在2025年的6月投入量产。
三星平泽P4是一座综合性的半导体生产中心，分为四期计划。在三星早前的规划中，一期以生产NAND Flash闪存为主，二期为逻辑代工，三期及四期为DRAM内存。不过ETNews最新报道称，当前，三星已在P4一期导入DRAM生产设备，但暂时搁置了二期建设。1c纳米制程DRAM是第六代10纳米级DRAM制程技术，报导指出，三星计划在2024年底启动1c纳米制程技术的存储器生产计划。
另据韩媒消息，三星高管在2024年第2季度财报电话会议透露，第五代8层HBM3E产品目前已交付客户评估，计划2024年第3季度开始量产。
该高管还指出，已经完成了12层HBM3E芯片的量产准备，将在今年下半年根据多个客户的要求计划扩大供应。
据悉，三星HBM销售额在第二季度环比增长了50%，预计在下半年将增长3-5倍，三星表示，HBM3E芯片在三星HBM中所占的份额预计将在第三季度超过10%，并有望在第四季度迅速扩大到60%。至于第六代HBM4，三星预计，有望从2025年下半年开始出货。
事实上，在DRAM方面，8月6日，韩国存储厂商三星电子宣布，已开始批量生产业界最薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM内存，支持12GB和16GB容量。
据官方介绍，三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度仅0.65mm，散热控制能力更强，适合端侧AI在移动端的应用，LPDDR封装采用12纳米级工艺，四层堆叠架构，每层均由两片LPDDR DRAM芯片组成，在提升Die密度的同时，减少厚度，提高耐热性。与上一代产品相比，LPDDR5X DRAM厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。
具体来看，通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和环氧树脂模塑料(EMC)工艺，新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm)，超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。同时，三星优化了背面研磨工艺，进一步压缩了封装厚度。
此外，通过提供超薄的LPDDR5X DRAM封装，使移动设备内有多余的空间，促进空气流动，散热控制能力也因此得到提升，三星表示，这一属性对于像端侧人工智能类具有复杂功能的高性能应用尤为关键。
三星计划通过向移动处理器生产商，和移动设备制造商供应0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，继续扩大低功耗DRAM的市场。三星表示，未来hiatus计划开发6层24GB和8层32GB的模组，为未来设备打造超薄的LPDDR DRAM封装。
美光量产第九代NAND闪存，瞄准数据中心等需求
7月31日，美光宣布量产其采用第九代（G9）TLC NAND技术的SSD产品已开始出货，成为业界首家实现这一里程碑的厂商之一。适用于个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心。
据介绍，G9 NAND数据传输速率比当前SSD中的NAND技术要快50%。同时，与市场上现有的同类NAND解决方案相比，美光G9 NAND的每颗芯片写入带宽和读取带宽分别高出99%和88%。
封装方面，与前一代NAND产品相同，美光G9 NAND采用11.5mm x 13.5mm的紧凑封装，比同类产品节省28%的空间。
据悉，采用了G9 NAND技术的美光2650 NVMe SSD理论性能水平接近PCIe 4.0，突破了高性价比TLC客户端SSD的性能极限。连续读取速率高达7000 MB/s。
与同类竞品相比，美光2650 NVMe SSD表现出色，连续读取性能提升高达70%，连续写入性能提升高达103%，随机读取性能提升高达156%，随机写入性能提升高达85%。
而在此之前，7月底，美光还宣布推出全新的数据中心SSD产品9550 NVMe SSD。其顺序读取速率和顺序写入速率分别为14.0 GB/s和10.0 GB/s。
美光表示，与业界同类SSD相比，其性能提升高达67%。此外，其随机读取速率达到3,300 KIOPS，比竞品提升高达35%，随机写入速率达到400 KIOPS，比竞品提升高达33%。
存储产业复苏信号强劲
众所周知，SK海力士、三星、美光和铠侠是全球知名的存储厂商，四家厂商在NAND Flash领域的市场份额合计达83%，而前三家厂商在DRAM领域的市占合计逾90%。
全球市场研究机构TrendForce集邦咨询此前的研报显示，今年第一季度，全球DRAM产业营收较前一季度成长5.1%，达183.5亿美元；NAND Flash产业也因市场量价齐扬，营收季增28.1%，达147.1亿美元。
在市场需求提升，供需结构拉升价格，加上HBM等高附加值产品快速崛起的利好形式下，当前全球DRAM及NAND Flash存储产业的发展可谓是一片利好。
而根据集邦咨询的最新调研，2024年DRAM及NAND Flash产业营收有望分别达增加907亿美元和674亿美元，分别同比增长75%和77%。
集邦咨询同时预测，2025年产业营收将持续维持成长，并创历史新高。其中，DRAM产业营收将来到1,365亿美元、年增51%，NAND Flash产业营收也将来到870亿美元、年增29%。
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