加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推荐器件
  • 相关推荐
  • 电子产业图谱
申请入驻 产业图谱

芯片内部如何实现过欠压功能?

08/12 11:05
1006
阅读需 2 分钟
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

大家好,这里是大话硬件

在前面通过推送《芯片内部如何实现VREF参考稳压源?》实现了芯片内部VREF功能,今天分享一下芯片内部是如何实现过欠压保护。

UC3842芯片系列的数据手册如下:

从上面的描述可知,芯片在工作时,需要电压达到16V,但是电压跌落到10V后,芯片就不能工作。实现思路如下:当电压上升高于16V,产生一个信号,来表示芯片正常工作;当芯片电压跌落到10V,产生相反的信号,来关断芯片内部的模块。

很明显要实现上面的功能,使用滞回比较器就可以。滞回比较器的窗口电压为6V,上限电压为16V,下限电压为10V,则参考电压为13V。

仿真电路实现方案:VCC设定为18V,从0V开始上升,保持一段时间后,开始下降,模拟电路上下电的过程,观察比较器输出信号

仿真波形:

仿真结果说明,当电压低于16V,VCC_ON的信号一直为低电平,当电压高于16V,VCC_ON为高电平,代表芯片进入正常的工作模式;当电压低于10V时,VCC_OFF为高电平,代表芯片未正常工作,实现欠压保护功能。

如果使用上述的信号,就能实现数据手册中描述的电流


仿真电路:

仿真结果:

从上面的数据可以看出,实现了数据手册中描述的功能。

两种方案均能模拟芯片拉电流的结果,和数据手册要求一致。

关注我,让我成为你的专属小太阳吧

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
1600688-8 1 TE Connectivity SQUEEZE REL RECEPT HSG W/KEYS

ECAD模型

下载ECAD模型
暂无数据 查看
NLC453232T-150K-PF 1 TDK Corporation General Purpose Inductor, 15uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1812, ROHS COMPLIANT

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.61 查看
66597-2 1 TE Connectivity III+ PIN,18-14,30AU/FL,STRIP

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.97 查看

相关推荐

电子产业图谱

技术交流,经验分享。用时间打磨自己的手艺;用认知升级个人操作系统。

微信公众号