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芯片内部如何实现过欠压功能?

08/12 11:05
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在前面通过推送《芯片内部如何实现VREF参考稳压源?》实现了芯片内部VREF功能,今天分享一下芯片内部是如何实现过欠压保护。

UC3842芯片系列的数据手册如下:

从上面的描述可知,芯片在工作时,需要电压达到16V,但是电压跌落到10V后,芯片就不能工作。实现思路如下:当电压上升高于16V,产生一个信号,来表示芯片正常工作;当芯片电压跌落到10V,产生相反的信号,来关断芯片内部的模块。

很明显要实现上面的功能,使用滞回比较器就可以。滞回比较器的窗口电压为6V,上限电压为16V,下限电压为10V,则参考电压为13V。

仿真电路实现方案:VCC设定为18V,从0V开始上升,保持一段时间后,开始下降,模拟电路上下电的过程,观察比较器输出信号

仿真波形:

仿真结果说明,当电压低于16V,VCC_ON的信号一直为低电平,当电压高于16V,VCC_ON为高电平,代表芯片进入正常的工作模式;当电压低于10V时,VCC_OFF为高电平,代表芯片未正常工作,实现欠压保护功能。

如果使用上述的信号,就能实现数据手册中描述的电流


仿真电路:

仿真结果:

从上面的数据可以看出,实现了数据手册中描述的功能。

两种方案均能模拟芯片拉电流的结果,和数据手册要求一致。

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