晶圆制造刻蚀工艺面试常见问题

请解释刻蚀工艺的基本原理以及在半导体制造中的重要性。

在选择刻蚀工艺时，如何确定是使用干法刻蚀还是湿法刻蚀？

请描述RIE（反应离子刻蚀）工艺的工作原理和应用场景。

什么是选择性刻蚀，如何在实际工艺中实现高选择性？

在刻蚀工艺中，如何控制侧壁的形貌以避免倒锥形或梯形剖面？

等离子体刻蚀中的“异向性”和“各向同性”有什么区别？

请解释在刻蚀过程中常用的掩膜材料有哪些，以及它们各自的优缺点。

如何应对刻蚀过程中产生的侧壁聚合物沉积问题？

在刻蚀工艺中，为什么会出现刻蚀速率不均匀的现象？如何改善？

影响干法刻蚀工艺中各向异性的主要参数有哪些？

请描述化学机械抛光（CMP）和刻蚀工艺的关系以及如何协同工作。

刻蚀工艺中，如何检测和控制刻蚀深度？

在多层结构的刻蚀过程中，如何避免底层被意外刻蚀？

如何在刻蚀过程中进行工艺窗口的优化？

什么是“刻蚀停层”（etch stop layer），它在多层结构中的作用是什么？

请解释深硅刻蚀（DRIE）技术的原理及其主要应用。

在刻蚀过程中，如何处理等离子体损伤和电荷积累问题？

请举例说明如何利用刻蚀工艺实现微纳米级结构的加工。

在进行刻蚀工艺开发时，如何进行参数的筛选和优化？

你如何处理刻蚀过程中由于掩膜与基材选择性不足导致的图形变形问题？

刻蚀设备的维护和保养对工艺稳定性的影响有哪些？

如何应对刻蚀过程中出现的微掩膜效应（micro-masking effect）？

在不同的刻蚀工艺中，如何选择合适的气体配比和工艺压力？

请解释背面刻蚀（backside etching）技术及其应用。

在刻蚀过程中如何监控和减少工艺偏差以保证产品一致性？

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