天眼查显示,杭州士兰微电子股份有限公司近日取得一项名为“MEMS器件及其制造方法”的专利,授权公告号为CN109665488B,授权公告日为2024年7月19日,申请日为2018年12月29日。
本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法。该制造方法包括:形成CMOS电路;以及在CMOS电路上形成MEMS模块,CMOS电路与MEMS模块连接,用于驱动MEMS模块,其中,形成MEMS模块的步骤包括:形成保护层;在保护层中形成牺牲层;在保护层与牺牲层上形成第一电极,并形成第一电极与CMOS电路之间的电连接,第一电极覆盖牺牲层;在第一电极上形成压电层,压电层与牺牲层的位置对应;在压电层上形成第二电极,并形成第二电极与CMOS电路之间的电连接;在第一电极上或保护层形成到达牺牲层的通孔;以及经由通孔除去牺牲层形成空腔。该方法制造的MEMS器件灵敏度高同时又显著降低制造成本和改善工艺兼容性。
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