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AI激发存储革命,美光SSD和NAND产品线全面升级

08/05 13:02
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近年来,随着人工智能技术的快速发展,数据中心规模扩张明显,并不断向智算中心演进,由此带来了算力需求的指数级增长趋势。

这一现象正在重塑我们对硬件支撑的认识和需求,以英伟达的GPU为例,在短短八年间,从第一代Pascal到最新的Blackwell B100,其算力增长了1000倍,能耗却降低了350倍。而在高速增长的算力和亟需大幅优化的能效比需求下,存储技术必须协同进步。

根据 WSTS 发布的数据显示,2023年全球半导体市场规模约为5269亿美元,其中存储器芯片市场规模约为923亿美元,占比约18%。 另根据WSTS的最新预测数据显示,2024-2025 年全球半导体市场规模将达到6112亿美元、6874亿美元,其中存储芯片市场规模 为1632亿美元、 2043亿美元,占比约 27%、30%,增速远高于其他半导体品类。

这两组数据也验证了人工智能大潮下,存储行业将实现蓬勃发展。

当然,除了规模的增长以外,这些新需求也给存储技术本身提出了更高的要求,包括需要更大的容量来满足大模型运行的要求,需要更快的数据访问速度来满足更高数据传输速率的要求,需要更完善的存储解决方案来提供更好的数据安全和隐私保护,需要更耐用和更可靠的存储产品以适应不同的使用环境要求,需要定制化和个性化的存储解决方案来满足特定应用场景的要求,以及最重要的成本效应来助推数据中心的普及。

这些需求既给全球存储厂商带来了技术性的挑战,又创造了新的市场机遇。美光作为存储市场的头部企业,在技术和市场跟进上表现不俗。

美光推出全新数据中心SSD,赋能 AI 及更多领域工作负载

随着数字化转型云计算和人工智能等先进技术的广泛部署,对高速高性能存储解决方案的需求激增,而NVMe充分利用PCIe提供的更高带宽满足新的市场应用需求,当前PCIe(NVMe)SSD已经占据市场主导地位。

根据Yole发布的数据显示,在行业级固态硬盘市场中,2023年PCIe SSD的市场份额为87.5%,预计到2028年,该数据将有望上升至96%左右。

图 | 美光 9550 NVMe SSD外观,来源:美光

就在近日,美光宣布推出数据中心 SSD 产品美光 9550 NVMe SSD,支持 NVMe 2.0 和 OCP 2.0,并具备 OCP 2.5 遥测功能;在存储容量方面,横跨3.2TB到30.72TB需求;在外形规格方面,除了支持U.2、E1.S外,也是美光发布的首款基于PCIe 5.0和E3.S的SSD产品。总体来讲,该款产品不仅性能抗打,而且针对AI工作负载特别友好。

图 | 美光 9550 NVMe SSD参数明细,来源:美光

对此,美光存储事业部产品管理总监Bill Bollengier表示:“美光 9550 NVMe SSD集成了自有的控制器NAND(G8 NAND)、DRAM 和固件,产品在新加坡和马来西亚的工厂进行生产,从设计到制造,全程由美光自主完成,在体现美光垂直整合能力的同时,也赋予了该产品强大的‘四角性能’——顺序读取、顺序写入、随机读取和随机写入均表现出色。”

具体来讲,美光 9550 SSD 凭借 14.0 GB/s 的顺序读取速率和 10.0 GB/s 的顺序写入速率,可提供出色的性能,与业界同类 SSD 相比,其性能提升高达 67%,为 AI 等要求苛刻的工作负载带来业界领先的性能表现。此外,其随机读取速率达到 3,300 KIOPS,比竞品提升高达 35%,随机写入速率达到 400 KIOPS,比竞品提升高达 33%。

对应到AI需求,我们知道大型语言模型(LLM)需要高顺序读取速率,而图形神经网络(GNN)则需要高随机读取性能。而美光 9550 SSD 针对关键 AI 工作负载进行了优化,工作负载完成时间可缩短高达 33%,在配备大加速器内存(BaM)的 GNN 训练中,特征聚合可提速高达 60%。

在AI工作负载性能测试方面,以美光 9550 SSD 在 NVIDIA Magnum IO™ GPUDirect® Storage 中的表现为例,在使用BaM 和 GIDS 进行GNN 工作负载测试中,美光 9550 SSD实现了 290 万 IOPS的性能,同时平均功耗降低了43%,整体系统能耗减少了29%。

Bill Bollengier认为,这一显著成效得益于美光 9550 SSD的高性能特性,使它能迅速完成任务并转入下一项工作,而同类产品可能仍在执行任务并消耗更多能量。

据悉,当前美光 9550 SSD正在全球范围内出样,并成功吸引了众多云和企业客户的关注和导入。

美光量产基于第九代 NAND 技术的NVMe SSD

除了美光 9550 SSD以外,美光还同时宣布了其采用第九代(G9)TLC NAND技术的 SSD 产品已开始出货。

据悉,美光 G9 NAND 采用276层设计工艺,具备高达 3.6 GB/s 的数据传输速率,比当前 SSD 中的 NAND 技术要快 50%。

该款产品同样是为AI工作负载,以及其他数据密集型应用场景而设计,涵盖个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心等主流应用。

对此,美光存储事业部 NAND 产品生命周期管理及应用工程总监Daniel Loughmiller表示:“与美光前一代NAND 产品相同,美光 G9 NAND 采用 11.5mm x 13.5mm 的紧凑封装,比同类产品节省 28% 的空间,是卓越的小尺寸、高密度 NAND。”

“与市场上现有的同类 NAND 解决方案相比,美光 G9 NAND 的每颗芯片写入带宽和读取带宽分别高出 99% 和 88%。” Daniel Loughmiller补充道。

图 | 全球首款搭载G9 NAND的客户端SSD——2650 NVMe SSD,来源:美光

而搭载了第九代(G9)TLC NAND技术的 SSD 产品2650 NVMe SSD,在 PCMark® 10 测试中表现优异,在日常计算方面带来一流的用户体验,与竞争对手相比,性能提高了38%。在带宽方面,我们提高了36%。平均访问时间比其他产品低40%。

Daniel Loughmiller透露:“就封装密度以及性能和能力而言,NAND的不同配置正在推动产品进入数据存储中心行业。在客户端方面,美光最新的2650 NVMe SSD已实现量产出货,产品可提供的容量范围在256GB到1TB之间。”

写在最后

在人工智能和数据中心的快速发展背景下,存储技术正成为推动这一进步的关键力量。随着AI算法和应用对数据处理能力的要求日益增长,数据中心作为数据的集散地,对存储系统的性能、容量和速度提出了更高的标准。而NVMe、3D NAND等存储解决方案正在变得更加先进,以满足AI和数据中心的严苛要求。

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美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营,美光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块,用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。美光公司普通股代码为MU,在纽约证券交易所交易(NYSE)。

美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营,美光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块,用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。美光公司普通股代码为MU,在纽约证券交易所交易(NYSE)。收起

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电子产业图谱

与非网副主编 通信专业出身,从事电子研发数余载,擅长从工程师的角度洞悉电子行业发展动态。