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和近端串扰同样的仿真电路图，相关的仿真条件设置一样，仿真得出的结果如下图，以本例的数据来说，远端串扰的饱和长度竟然达到22.56inch，相当于30个上升边时间的空间区域长度，远远大于近端串扰的饱和长度。
这说明，近端串扰很容易饱和，远端串扰不容易饱和。没达到饱和之前，噪声幅值是增加的，所以相对于近端串扰来说，更需要管控远端串扰。这也就是很多设计资料没有对近端串扰提出设计指标，只对远端串扰提出设计指标的原因之一。
饱和长度的影响因素
上升边时间
验证上升边时长对远端串扰饱和长度的影响，取三个上升边时间来进行仿真：50ps，100ps，200ps。100 ps是前面仿真的一个值，用50ps和200ps来对比验证，查看上升边时长的变化对饱和长度的影响，仿真结果如下：
仿真结果可以很直观地看出，上升边越长，饱和长度越长。需要注意的是：和近端串扰一样，远端串扰的饱和长度也会达到最大值，不会无限长，饱和后噪声幅值会持续一段时间。
线间距的不同
为了验证线间距对饱和长度影响，选择2W，3W和4W的三个类型来进行仿真对比，相关仿真的结果如下：
仿真结果表明：线间距越大，饱和长度越长。
表层和内层
由前文的仿真结果得出：近端串扰的表层和内层的饱和长度是不同的。电路图和前文相同，远端串扰的表层和内层的相关仿真结果如下：
仿真结果表明：内层没有远端串扰。
原因如下：本例所用的叠层信息，如下图，为了更好地体现串扰的相关特征，使用的叠层里关于损耗因子和铜箔的损耗相关的因素都是无损，信号线周围的介质都是一样的，且都是均匀分布，所以信号线的耦合，不管是容性耦合还是感性耦合都是相同的，远端串扰系数为零，对应的公式如下图。在这种情况下，就不会出现远端串扰。
远端耦合系数公式：
但是，在实际的产品叠层设计中，上下的介质材料是不同的，即使材料完全相同，压合工艺的差别也会造成介电常数的不同，容性耦合与感性耦合所受到的影响是不同的，这时候就会产生远端串扰。也有的资料从模态上，就是奇模和偶模传输速度的不同来理解。
这两个方向，都能说明在正常产品设计中，串行serdes的信号选择内层而不是表层走线，除了损耗和阻抗的原因，也可以更好管控远端串扰。
但最合适的不一定是最好的，很多规定都不是固定的，SSD的芯片产品就选择将高速并行信号走在表层。
有知道的小伙伴，可以评论区里讲讲为什么？
