加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入
  • 正文
    • HBM兴起推升DRAM营收
    • 展望未来
  • 推荐器件
  • 相关推荐
  • 电子产业图谱
申请入驻 产业图谱

900亿美元!DRAM大爆发!2024年营收飙升75%

07/24 10:20
1789
阅读需 7 分钟
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

根据TrendForce集邦咨询最新发布的存储器产业分析报告,全球DRAM(动态随机存取存储器)市场正迎来一波增长浪潮。报告指出,由于位元需求的快速增长、供需结构的改善以及高带宽内存(HBM)等高附加价值产品的崛起,预计2024年DRAM产业的营收将增长75%。这一趋势在2025年将继续,预计年增幅为51%,营收将创下历史新高。

HBM兴起推升DRAM营收

TrendForce集邦咨询估计,受惠于DRAM均价在2024年增加53%、2025年增加35%的条件下,2024年DRAM营收将达到907亿美元,年增75%;2025年将达到1,365亿美元,年增51%。这一增长主要由四大因素驱动:HBM的崛起、一般型DRAM产品的世代演进、原厂资本支出的限缩供给以及服务器需求的复苏。

1、高带宽内存(HBM)的崛起

HBM作为一种高性能、高带宽的内存技术,正在迅速崛起。相较于一般型DRAM,HBM不仅提升了位元需求,还显著提高了产业的平均价格。TrendForce集邦咨询预计,2024年HBM将贡献DRAM位元出货量的5%和营收的20%。这一趋势表明,随着更多高性能计算(HPC)、人工智能AI)和图形处理需求的增加,HBM在市场中的地位将进一步巩固。

HBM的崛起不仅仅是技术上的突破,更是市场需求推动的结果。随着数据处理和存储需求的激增,高带宽、低延迟的内存解决方案变得越来越重要。HBM通过其堆叠式架构和超高带宽,满足了这些需求,成为推动DRAM市场增长的关键因素之一。

2、一般型DRAM产品的世代演进

除了HBM的崛起,一般型DRAM产品的技术升级和世代演进也是推动市场增长的重要因素。DDR5和LPDDR5/5X等新一代DRAM产品正逐渐成为市场主流。TrendForce集邦咨询估计,DDR5将分别贡献2024、2025年Server DRAM位元出货量的40%、60-65%,而LPDDR5/5X将贡献2024、2025年Mobile DRAM(行动式内存)位元出货量的50%和60%。这些新一代产品不仅在性能上有显著提升,还在能效和成本效益上表现优异。

DDR5和LPDDR5/5X的普及不仅提升了DRAM的整体性能,还带来了更高的能效和更低的功耗。这对于数据中心和移动设备来说尤为重要,能够显著降低运营成本和延长设备的使用寿命。

3、原厂资本支出的限缩供给

原厂资本支出的限缩供给也是推动DRAM市场价格上涨的重要因素之一。随着全球经济环境的不确定性增加,许多DRAM制造商选择谨慎投资,限制了新产能的扩展。这种供给的限制在需求持续增长的背景下,进一步推高了DRAM的市场价格。

这种供给限制不仅是对市场风险的应对,也是对未来市场需求的预判。通过控制产能扩张,DRAM制造商能够在需求高峰期实现更高的价格和利润,从而推动整个行业的健康发展。

4、服务器需求的复苏

服务器需求的复苏也是推动DRAM市场增长的关键因素之一。随着全球数字化转型的加速,云计算大数据和人工智能等领域对高性能服务器的需求不断增加。这些服务器对高性能DRAM的需求量巨大,进一步推动了DRAM市场的增长。

服务器需求的复苏不仅带来了对高性能DRAM的需求,还推动了整个IT基础设施的升级换代。随着更多企业和组织采用云计算和大数据技术,对高性能、高可靠性的内存解决方案的需求将持续增长。

展望未来

展望未来,DRAM市场的增长趋势仍将持续。随着更多高附加价值产品的推出以及技术的不断进步,DRAM市场有望在未来几年继续保持强劲增长。然而,随着市场需求的增加,存储器买方的成本压力也将随之上升。如何在保持高增长的同时,平衡成本压力,将是未来DRAM市场面临的主要挑战。

未来,随着技术的不断进步和市场需求的不断增加,DRAM市场有望迎来更多创新和突破。从高带宽内存到新一代DRAM产品,技术的不断演进将推动整个行业向前发展。

总的来说,TrendForce集邦咨询的报告显示,DRAM市场正处于一个快速增长的阶段。受益于位元需求的增加、供需结构的改善以及高附加价值产品的崛起,预计2024年DRAM市场将迎来75%的营收增长,2025年将继续增长51%。这一增长不仅推动了资本支出的回升,还带动了上游原料的需求。然而,随着市场需求的增加,存储器买方的成本压力也将随之上升。未来,如何在保持高增长的同时,平衡成本压力,将是DRAM市场面临的主要挑战。

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
PVG612S-TPBF 1 International Rectifier Transistor Output SSR, 1-Channel, 4000V Isolation, LEAD FREE, SURFACE MOUNT, DIP-6
$7.68 查看
HFBR-1521ETZ 1 Avago Technologies FIBER OPTIC TRANSMITTER, 5Mbps, THROUGH HOLE MOUNT, ROHS COMPLIANT, 6 PIN

ECAD模型

下载ECAD模型
$17.77 查看
SN74HC245DW 1 Texas Instruments Octal Bus Transceivers With 3-State Outputs 20-SOIC -40 to 85

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.45 查看

相关推荐

电子产业图谱

公众号:芯通社;专注半导体/手机通信/人工智能/区块链等科技领域!