正性光刻胶的曝光机理

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：正胶在曝光后，曝光部分会被显影液除去，未曝光部分会被保留，机理是什么？可以讲一讲吗

光刻胶的基本组成？

光刻胶主要是由感光剂，树脂，溶剂，添加剂（增塑剂、表面活性剂、光敏稳定剂等）。树脂是光刻胶的基本骨架，对光不敏感。溶剂主要包括PGMEA,EGMEAD等，用于稀释光刻胶，调整其粘度。感光剂主要是对于光能发生光化学反应。

正性光刻胶的曝光原理？

以上图为例，是某款正性光刻胶的反应方程式：

1，第一步：感光剂的分解反应

该款光刻胶所用的光引发剂为三苯基氯化硫鎓盐，在紫外光（hv）的照射下，三苯基氯化硫鎓盐分解生成三苯基硫基阳离子和六氟锑阴离子（SbF6-），酸根离子以及自由基等。

2，树脂的脱保护反应：

曝光前的树脂是含有化学保护基团的聚合物，树脂在酸的催化作用下，发生脱保护反应。保护基团（如Boc基团，如下图）被酸催化脱去，生成可溶于显影液的产物（如羟基苯乙烯和二氧化碳）。

由于显影液是碱性溶液，可以与生成的酸根离子反应，且树脂的分解物容易溶解在水中，因此曝光部分更容易被除去，留下了未曝光的部分。

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